Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Półprzewodniki azotkowe w optoelektronice

Leszczyński M., Czernecki R., Grzanka E.

Postępy Fizyki

|

2016

|

T. 67, z. 1-2

39--44

PL

Półprzewodniki azotkowe (AlGaln)N kreują olbrzymie rynki białych LED-ów oraz diod laserowych BluRay. W najbliższych latach należy spodziewać się powstania całkowicie nowych, jeszcze większych rynków oświetlenia za pomocą diod laserowych, projektorów i telewizorów laserowych RGB, komunikacji ostatniej mili. Mimo sukcesów komercyjnych, azotki nadal stwarzają szereg problemów technologicznych, a stopień ich poznania odbiega od innych półprzewodników (Si-Ge i (AlGaIn)(AsP)). W artykule podane są wybrane problemy, które wymagają rozwiązania. W końcowej części artykułu zostały przedstawione atuty polskich technologii azotkowych i ich szanse na wykorzystanie w wielkoskalowej produkcji.

2

Formowanie i stabilizacja rozkładu pola optycznego w płaszczyźnie złącza w diodach laserowych dużej mocy

Sobczak G., Dąbrowska E., Teodorczyk M., Krzyżak K., Dąbrowski A., Maląg A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2015

|

Vol. 56, nr 9

20-23

PL

Niska stabilność wiązki optycznej emitowanej przez lasery półprzewodnikowe wysokiej mocy w znaczący sposób ogranicza ich stosowalność w precyzyjnych układach. W artykule przedstawiono wyniki modelowania numerycznego oraz eksperymentalne charakterystyki diod laserowych, w których uzyskano emisję wiązki optycznej o podwyższonej stabilności.

EN

Poor stability of the beam emitted by high-power laser diodes limits their applicability in high-precision systems. In this paper, the laser diodes which emit a beam of better quality are presented. The numerical and experimental results are shown.

3

Pomiar współczynnika odbicia zwierciadeł diod laserowych z wnęką Fabry-Perota

Pruszyńska-Karbownik E., Mroziewicz B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 5

83-85

PL

Pokrycie zwierciadeł diod laserowych o konstrukcji krawędziowej powłokami optycznymi, dpowiednio - refleksyjnymi i antyrefleksyjnymi, jest ważnym elementem technologii tych przyrządów zarówno z punktu widzenia ich trwałości, jak i sprawności kwantowej. W artykule opisano metodę pomiaru współczynnika odbicia powłoki antyrefleksyjnej, którą opracowano pod kątem zastosowania w pomiarach diod laserowych zmontowanych na chłodnicach.

EN

It is essential for reliability and quantum efficiency of the edge emitting diode lasers to protect their mirrors with reflection and antireflection coatings, respectively. In the paper there is described a measurement method that has been developed to measure refractive index of the antireflection coating deposited on the front mirror of a diode laser bonded to a heatsink.

4

Analiza numeryczna propagacji światła w urządzeniach optycznych i optoelektronicznych realizowanych metodami technologii planarnej

Sujecki S.

Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej. Elektronika

|

2008

|

z. 167

1-146

PL

W pracy przedstawiono teoretyczne podstawy metody dekompozycji kierunkowej oraz omówiono jej zastosowanie do analizy i projektownia urządzeń optycznych i optoelektronicznych realizowanych metodami technologii światłowodowej planarnej. W szczególności zaś przedmiotem rozważań są podukłady planarnych struktur światłowodowych stosowane w układach optyki zintegrowanej, takie jak światłowód przewężany, światłowód zakrzywiony, rozgałęzienie światłowodowe oraz odcinek światłowodu. Ponadto rozważa się zastosowanie metody dekompozycji kierunkowej w analizie i projektowaniu krawędziowych diod laserowych dużej mocy. Do szczegółowych zagadnień poruszanych w tej pracy zalicza się między innymi analizę dokładności przybliżenia uproszczonego wektorowego, skalarnego oraz zastosowanie metody efektywnego współczynnika załamania w analizie właściwości propagacyjnych światłowodów planarnych, analizę wpływu rzędu przybliżenia Pade'go operatora pierwiastkowego na dokładność obliczeń uzyskanych metodą dekompozycji kierunkowej, a także zastosowanie nieortogonalnych układów współrzędnych w metodzie dekompozycji kierunkowej. Ponadto przedyskutowano zagadnienie stabilności algorytmów, które wykorzystują metodę dekompozycji kierunkowej do obliczania rozkładu gęstości fotonów wewnątrz wnęki rezonansowej krawędziowej diody laserowej dużej mocy. Obliczenia metodą dekompozycji kierunkowej przeprowadzono przy zastosowaniu metody różnic skończonych. Prezentowane wyniki mają charakter użytkowy i mogą być wykorzystane do prowadzenia prac doświadczalnych oraz projektowania urządzeń i podzespołów realizowanych metodami technologii światłowodowej planarnej.

EN

This study provides the theoretical fundamentals of the directional decomposition method and presents the details of the application of this method to the analysis and design of the optical and optoelectronic devices realised using the processing techniques of the planar technology. Particularly, the application of the directional decomposition method to the analysis and design of basic elements of integrated optical circuits, such as bent and tapered waveguides, waveguide sections and Y-junctions is studied. Furthermore, the application of the directional decomposition method to the analysis and design of the edge emitting high power laser diodes is investigated. The particular problems considered include the analysis of the accuracy of the polarised, scalar and effective index approximations, investigation of the accuracy of the Pade approximation to the square root operator and the application of the non-orthogonal coordinate systems in the directional decomposition method. Moreover the stability of the algorithms using the directional decomposition method for the calculation of the photon distribution within an edge emitting high power laser diode cavity was studied. All calculations were performed using finite difference method. The presented results are of practical value and can be used in experimental investigations and in designing the optical and optoelectronic devices fabricated using the planar technology.

5

Diody laserowe dużej mocy i matryce diod laserowych na pasmo 800 nm

Maląg A., Strupiński W., Teodorczyk M., Dobrzański L., Dąbrowska E., Grodecki K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 11

108-112

PL

Artykuł przedstawia wyniki prac nad optymalizacją konstrukcji diod laserowych dużej mocy i liniowych matryc diod laserowych na pasmo 800 nm. Przedstawione są charakterystyki elektrooptyczne diod laserowych o mocy emitowanej do 2,5 W i do 5 W w pracy ciągłej (CW), zależnie od rozmiarów rezonatora oraz matryc złożonych z 8. emiterów o mocy optycznej do 12 W (CW). Dla poprawy sprawności sprzężenia optycznego (np. ze światłowodem) zredukowano rozbieżność wiązki promieniowania diod do ok. 15° przez odpowiednie przeprojektowanie heterostruktury z naprężoną studnią kwantową GaAsP/(AlGa)As.

EN

The paper presents the results of studies on design optimisation of high power laser diodes and arrays for 800 nm wavelength range. Electrooptical characteristics of laser diodes emitting optical power up to 2.5 W and to 5 W (CW), depending on cavity size and of 8-emitter-arrays emitting up to 12 W (CW) are presented. Emitted beam divergence has been reduced down to some 15° by using modified design of tensile-strained GaAsP/(AlGa)As heterostructure.

6

Wykorzystanie laserów półprzewodnikowych dużej mocy w pomiarach przepływowych metodą PIV

Janiczek R., Pisarek J., Wojciechowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 1

14-15

PL

Metoda PIV (Particle Image Velocimetry) należy do grupy metod fotografii plamkowej. Polega ona na prześwietlaniu wąskim strumieniem światła (najczęściej laserowego) obszaru cieczy lub gazu, w którym rozproszone są drobne cząsteczki zwane posiewem. Przez odpowiednią modulację amplitudową źródła światła uzyskuje się rejestrację położeń cząstek posiewu w określonych odstępach czasowych. Analiza uzyskanych w ten sposób obrazów daje informację o ruchu badanego medium.

EN

Method PIV (Particle Image Velocimetry) belongs to speckle images photograph group of methods. It relies on shining by narrow stream of light (often laser) liquid or gas area, in which are diffused small particles, named sowing. Using suitable modulation of light source amplitude there is obtain the registration of small part of sowing position in definite temporary distances. The analysis of images obtaining in this manner gives information about movement of examining medium.

7

Niebieskie i fioletowe półprzewodnikowe diody laserowe wielkiej mocy

Perlin P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 3

5-8

PL

Laserowe diody półprzewodnikowe z azotku galu są pożądanymi przyrządami w wielu aplikacjach wymagających wielkiej energii fotonu lub/i krótkiej fali emitowanego światła. Lasery takie mogą być stosowane w optycznym zapisie informacji, wyświetlaczach optycznych, technikach drukarskich i litograficznych, w medycynie itd. W opracowaniu przedstawiono wyniki osiągnięte przez zastosowanie wysokiej jakości kryształów azotku galu (otrzymanych na drodze wysokociśnieniowej syntezy) do otrzymywania struktur laserowych diod półprzewodnikowych. Lasery te wykonywane w geometrii szerokopaskowej otwierają możliwości generacji bardzo wysokich mocy optycznych, niezbędnych np. w przyszłej telewizji laserowej.

EN

We discuss the present situation of the blue-violet laser diode technology. We demonstrate that the use of low dislocation density gallium nitride substrates facilitate the fabrication of wide area high-power laser diodes of the optical output power reaching 200 mW. These devices may find applications in spectroscopy, chemical processing, photolithography, medicine and display technology.

8

Analiza prędkości płynu i zawieszonych w nim cząstek metodą PIV

Janiczek R., Pisarek J., Wojciechowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 1

16-23

PL

W artykule zawarto przegląd metod optycznych stosowanych w pomiarach i analizie prędkości płynu. Przedstawiono podstawy metody PIV i zarys historyczny rozwoju tej techniki. W części poświęconej osiągnięciom własnym przedstawiono techniki wykorzystujące niekonwencjonalną modulację impulsu laserowego oraz zastosowanie wieloekspozycyjnych technik PIV w analizie hydromechaniki aerozoli i układów typu ziarna-gaz (faza stała-gaz).

EN

The article contained review of optic methods used in liquid velocity measure and analysis. Basics of PIV method and brief history of this technique were shown. In the part containing own results, techniques using unconventional laser beam modulation and multiexpositional PIV method usage in aerosol and hydromechanics analysis were presented.

9

Atomic layer epitaxy of ZnO for applications in molecular beam epitaxy growth of GaN and InGaN

Godlewski M., Szczerbakow A., Ivanov V. Y., Barski A., Goldys E. M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2000

|

Vol. 41, nr 11

49-52

EN

We report the successful atomic layer epitaxy growth of thin ZnO films and their use as aubstrates for GaN and InGaN epitaxy. The properties of ZnO epilayers, obtained by four different procedures, are analysed, as well, as of GaN and InGaN films grown on ZnO-coated Si and GaAs by MBE.

PL

Struktury kwantowe na bazie GaN sa obecnie stosowane do produkcji wydajnych diod elektroluminescencyjnych (LED) na kolor fioletowy-do-bursztynowego oraz diod laserowych na kolor niebieski. Ma to miejsce pomimo że gęstości dyslokacji w materiałach użytych do produkcji diod sa nadal bardzo wysokie. Te wysokie gęstości dyslokacji, niekorzystne z punktu widzenia mozliwych zastosowań GaN zarówno w optoelektronice, jak i w elektronice, wynikają z braku podłóż o stałych sieciowych dopasowanych do GaN. Większość z obecnie produkowanych diod LED i laserowych konstruowana jest na GaN wzrastanym na silnie niedopasowanym sieciowo szafirze. Lite kryształy GaN dostępne są jedynie w niewielkich ilościach i technologia ich otrzymania jest bardzo skomplikowana. W pierwszej części pracy dyskutowany jest wpływ dyslokacji na procesy rekombinacji promienistej w GaN oraz w strukturach kwantowych na bazie tego materiału. Wykazana jest kluczowa rola procesorów lokalizacji nośników. Silna lokalizacja nośników powoduje, że istnieje ograniczona szansa dotarcia do dyslokacji i rekombinacji niepromienistej. Wykazana jest także bezpośrednia relacja pomiędzy mikrostrukturą warstw GaN i wydajnością oraz jednorodnością procesów emisji światła. W drugiej części pracy omawiamy możliwości użycia płytek krzemu i arsenku galu pokrytych cienkimi warstwami ZnO jako altrnatywnych podłóż do wzrostu warstw GaN. Dyskutujemy najpierw metody otrzymania warstw ZnO z wykorzystaniem nowej metody epitaksjalnej - epitaksji warstw atomowych w fazie gazowej. Następnie dyskutowane są własności warstw GaN i ich stopów otrzymanych metodą MBE na polikrystalicznych podłożach ZnO. Przedstawione są wyniki prac doświadczalnych wykazujących dobre własności spektralne tak przygotowanych warstw GaN.

10

Potential application of the AlGaAs/GaAs heterostructure photodiodes for laser-plasma diagnostics

Ryć L., Riesz F.

Nukleonika

|

1999

|

Vol. 44, nr 4

647-655

EN

The AlGaAs/GaAs heterostructure PIN photodiodes, grown by molecular beam epitaxy, are evaluated for the measurement of laser pulses and X-ray diagnostics of laser-induced plasmas. Excitation by the 820 nm laser pulses yields rise time of the detector less than 200 ps. The device is sensitive to 1.06 µm pulses from the Nd:YAG laser. Also α-particle spectra are measured and interpreted. The detector is able to operate at zero bias. Theoretical response to X-rays is calculated.

PL

W pracy oceniono możliwość zastosowania fotodiodowej, epitaksialnej struktury p-i-n AIGaAs/GaAs do pomiaru impulsów laserowych i impulsów promieniowania X z plazmy laserowej. Przeprowadzone zostały testy struktur próbnych za pomocą impulsów światła z diody laserowej (820 nm), z lasera Nd:YAG (1,06 µm) oraz z użyciem źródła cząstek α (241Am). Stwierdzono, że detektory mogą pracować z zerowym napięciem polaryzacji. Czas narastania impulsów wyjściowych wynosił mniej niż 200 ps. Dla pełnej oceny możliwości detekcyjnych wykonano obliczenia wydajności detektorów na promieniowanie X dla różnych wariantów struktury powierzchniowej.