Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Badania właściwości trójfazowego przekształtnika sieciowego PWM z diodami zwrotnymi z węglika krzemu

Nowak M., Barlik R., Rąbkowski J., Grzejszczak P.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2009

|

R. 85, nr 12

199-203

PL

Wprowadzane są na rynek przyrządy półprzewodnikowe - łączniki mocy wykonane z węglika krzemu. Niezależnie od właściwości termicznych predestynujących je do zastosowań wysokotemperaturowych, bada się celowość ich zastosowania w obszarach typowych dla przyrządów krzemowych. Diody Schottky’ego z węglika krzemu zastosowane jako diody zwrotne w przekształtnikach PWM z uwagi na właściwości zapewniają zmniejszenie strat łączeniowych. Celem pracy jest przestawienie wyników obliczeń i pomiarów laboratoryjnych obrazujących na przykładzie 5 kVA modelu jakie wymierne korzyści wynikają dzięki zastosowaniu diod z węglika krzemu. Możliwe jest w takim przypadku zwiększenie częstotliwości łączeń i uzyskanie związanych z tym korzystniejszych parametrów konstrukcyjnych układu.

EN

New semiconductor devices – power switches made from silicon carbide - have been available in the market for some years. Independently from specific thermal features which predestine these for high temperature applications, the possible replacing of common silicon devices with this new silicon-carbide switches is being investigated. The implementation of SiC - Schottky reverse conducting diodes instead of PiN diodes in one- and three-phase PWM converters, thanks to theirs switching properties, should result in the reduction of power losses. The objective of the paper is to present calculations of results as well as laboratory measurements of three-phase 5 kVA PWM converter power losses for two cases: converter with superfast PiN diodes and converter with SB - SiC diodes. Possible benefits ensure by lower switching losses thanks to SiC SB diodes application are pointed.

2

Przetwornica przepustowa AC/DC 200 W z diodami Schottky'ego SiC

Gryglewski D., Wojtasiak W. W., Hrehoruk B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 11

151-154

PL

W artykule opisano konstrukcję wysokosprawnej przetwornicy AC/DC o mocy 200 W i napięciu wyjściowym 50 V z diodami Schottky'ego z węglika krzemu. Układ zaprojektowano w celu zweryfikowania danych zawartych w materiałach reklamowych firmy CREE dotyczących zmniejszenia strat podczas przełączania dzięki zastosowaniu diod SiC. Zaprezentowano wyniki pomiarów sprawności przetwornicy AC/DC z diodami SiC firmy CREE, jak również z popularnymi szybkimi diodami PN.

EN

The high efficiency AC/DC 200 W converter with Schottky SiC diodes (CREE) with 50 V output voltage has been designed. The converter has been made to examine the CREE's advertisement thesis about improving losses in switching SiC diodes. The measured efficiency of the AC/DC converter with SiC CREE diodes and common use fast switching Si PN diodes was presented.

3

Metodyka badań porównawczych krzemowych i węglikowo-krzemowych łączników mocy

Nowak M., Barlik R., Rąbkowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 7-8

25-30

PL

Przedstawiono metodykę oraz przykładowe wyniki pomiarów podstawowych parametrów półprzewodnikowych przyrządów - łączników mocy z uwzględnieniem rzeczywistej temperatury struktury. Celem tych pomiarów jest porównanie wskaźników energetycznych charakteryzujących łączniki zbudowane z zastosowaniem tylko przyrządów krzemowych oraz łączniki zbudowane z zastosowaniem przyrządów krzemowych i węglikowo-krzemowych. Wskazano korzyści wynikające z zastąpienia diody krzemowej typu PiN współpracującej z tranzystorem IGBT przez diodę węglikowo krzemową typu Schottky. Zmniejszenie strat w tego rodzaju komponowanych łącznikach wynika głównie z braku ładunku przejściowego w diodach SiC typu Schottky.

EN

The methodology and example results of laboratory investigation of representative samples of semiconductor silicon and silicon-carbide power devices are presented. Very important part of this investigations was exact determination of junction temperature. The main goal of this laboratory test was comparison of energy loss ratings of semiconductor power switches built as traditional composition of silicon PiN diode and IGBT or silicon-carbide Schottky diode with the same IGBT. The advantage of mixed silicon - silicon-carbide par are indicated which results from negligible reverse recovery charge of Schottky diodes.