Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Dobór tranzystorów falownika 300VDC/100kHz do pracy w podwójnym mostku aktywnym

Nowak M., Grzejszczak P., Zdanowski M., Barlik R.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2011

|

R. 87, nr 11

60-63

PL

W referacie przedstawiono studium doboru tranzystorów do mostka wysokonapięciowego 300V na przykładzie prototypowego przekształtnika stosowanego do sprzęgania źródeł napięcia – podwójnego mostka aktywnego o wysokiej częstotliwości pracy 100 kHz. Jako kryterium oceny przyjęto minimalne straty energii występujące w łącznikach. Dla grupy wstępnie wyselekcjonowanych handlowych tranzystorów typu MOSFET oraz superszybkich IGBT wyznaczono i porównano straty energii w charakterystycznych warunkach pracy. Przy szacowaniu strat przewodzenia posłużono sie symulacjami na podstawie parametrów katalogowych natomiast przy wyznaczenia strat łączeniowych przeprowadzono badania laboratoryjne.

EN

In this paper a study of the transistors selection suitable for a high voltage 300V bridge, being part of a laboratory prototype of a bidirectional dc/dc interface (DAB) working with the frequency of 100 kHz, is presented. The basis for this selection is the minimum energy lost in the inverter switches. For the group of fast switching IGBTs and different types of high voltage MOSFETs (as CoolMOS, MDmeshMOS and others) available in the market energy losses were estimated. In the case of conducting losses, the simulation model based on a data sheet parameter was used and the switching losses were measured in a laboratory.

2

Influence of series resistance on thermally induced limitations of SiC Schottky diodes

Janke W., Hapka A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 2

163-165

EN

The calculations and measurement results of static DC characteristics of SiC Schottky barrier diodes, including self-heating effect are presented in this paper. In particular, the influence of the value of parasitic series resistance of a diode on the shape of its non-isothermal I-V curves is analyzed. The electro-thermal interactions in a diode working in high-current region may lead to the thermal runaway, therefore the serious limitations of operation conditions exist. The analysis presented by other authors [1-3] show, that the maximum junction temperature (corresponding to the onset of runaway) may be, in some conditions, as low as 110°C, substantially below the generally expected temperature limit of SiC devices. According to the analysis and measurements presented in this paper, the SiC device is able to operate with much higher junction temperature than that predicted in [1-3]. On the other hand, as it is shown, the higher values of series resistance may strongly restrict the values of the diode current ratings, therefore the decrease of series resistance in the manufacturing process is of vital importance.

PL

W artykule zaprezentowano obliczenia oraz pomiary statycznych charakterystyk DC diod Schottky'ego z węglika krzemu, z uwzględnieniem efektu samonagrzewania. Szczególną uwagę poświęcono wpływowi szeregowej rezystancji strat na kształt nieizotermicznych charakterystyk prądowo-napięciowych. Wzajemne oddziaływania elektro-termiczne w diodach pracujących z relatywnie dużymi prądami mogą doprowadzić do efektu określanego jako thermal runaway - czyli niekontrolowanego wzrostu napięcia na pasożytniczej rezystancji elementu. Z tego powodu istnieją poważne ograniczenia wartości zależnych od temperatury parametrów określających warunki pracy elementów (dopuszczalna temperatura pracy, maksymalny prąd przewodzenia). Znajduje się doniesienia [1—3], z których wynika, że maksymalna temperatura pracy elementów z węglika krzemu to 110°C, a przekroczenie tej temperatury może prowadzić do zniszczenia elementu. Wartość 110°C jest stanowczo za niska w odniesieniu do ogólnie oczekiwanych temperatur pracy elementów z węglika krzemu. Wyniki prezentowane w niniejszym opracowaniu wskazują na możliwości bezpiecznej pracy w zakresie temperatur znacznie szerszym niż zakres przewidywany w [1-3]. Z drugiej strony, pokazano że duże wartości szeregowej rezystancji strat mogą poważnie ograniczać zakres prądów dopuszczalnych dla elementów TL węglika krzemu. W związku z tym, dążenie do zmniejszenia udziału rezystancji pasożytniczej w tych elementach jest bardzo istotne.

3

Terahertz detectors and focal plane arrays

Rogalski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 4

93-108

EN

Terahertz (THz) detectors play increasing role in different areas of human activities (e.g., security, biological, drugs and explosions detection, imaging, astronomy applications, etc.). In the paper, issues associated with the development and exploitation of THz radiation detectors is discussed. The basic physical phenomena and the recent progress in both direct and heterodyne detectors are described. More details concerning Schottky barrier diodes, pair braking detectors, hot electron mixers and field-effect transistor detectors, where links between THz devices and modern technologies such as micromachiningare underlined. Also the operational conditions of THz detectors and their upper performance limits are reviewed.

PL

Znaczenie detektorów terahertzowych wzrasta w różnych obszarach aktywności człowieka (dla przykładu: w ochronie obiektów i ludzi; w detekcji środków biologicznych, narkotyków, odczynników trujących, środków wybuchowych zobrazowaniu, w zastosowaniach astronomicznych, etc.). W pracy przedstawiono sposób działania i postęp technologiczny w rozwoju różnych typów detektorów terahertzowych zarówno w detekcji bezpośredniej jak i heterodynowej. Więcej uwagi poświęcono detektorom z barierami Schottky'ego, detektorom nadprzewodzącym i detektorom wykorzystującym tranzystory polowe, których rozwój uwarunkowany jest postępem w technologii mikromechaniki półprzewodnikowej.

4

Przejściowa impedancja termiczna diod Schottky’ego z węglika krzemu w szerokim zakresie temperatur

Janke W., Hapka A., Oleksy M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2009

|

R. 85, nr 11

203-205

PL

W pracy omówiono badania przejściowej impedancji termicznej diod Schottky’ego z węglika krzemu, w szerokim zakresie temperatur otoczenia. Scharakteryzowano parametry elektryczne węglika krzemu oraz wpływ temperatury na parametry decydujące o przebiegu przejściowej impedancji termicznej. Omówiono sposób pomiaru, oraz wyniki badań impedancji termicznej kilku typów diod Schottky’ego w zakresie temperatur otoczenia od 25°C do 300°C.

EN

In the paper, the investigations of SiC Schottky diodes thermal characteristics in the wide range of ambient temperature are presented. The electrical parameters of silicon carbide are described and the temperature dependence of the thermal parameters of this material is outlined. The transient thermal impedance measurement results, obtained for several types of SiC Schottky diodes for the ambient temperature range of 250C to 3000C are shown and discussed.

5

Ocena parametrów statycznych diod Schottky'ego z SiC

Szewczyk A., Konczakowska A., Stawarz-Graczyk B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 6

13-15

PL

Przedstawiono wyniki pomiarów parametrów statycznych 3 prób diod Schottkyego produkcji CREE i 2 prób diod Schottkyego produkcji INFINEON. Stwierdzono, że charakterystyki przy polaryzacji diod w kierunku przewodzenia są w zasadzie identyczne, natomiast przy polaryzacji w kierunku zaporowym wykazują istotne różnice, szczególnie w zakresie napięć w kierunku zaporowym powyżej 600 V.

EN

The static parameters measurements results of 3 sam pies of CREE SiC Schottky diodes and 2 sam pies of INFINEON SiC Schottky diodes are presented. Measured forward characteristics for each sample showexcellent reproducibility, whereas the reverse characteristics significantly differ for devices from each sampies, especially for reverse voltage higher than 600 V.

6

Koncepcja metody charakteryzacji diod Schottky'ego na zakres fal milimetrowych

Chramiec J.

Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni

|

2008

|

nr 59

14-25

PL

Dzięki daleko posuniętej miniaturyzacji monolityczne mikrofalowe diody Schottky'ego z wyprowadzeniami belkowymi wykazują szczególnie małe wartości pasożytniczych elementów reaktancyjnych. W artykule przedstawiono propozycję procedury pomiarowo-obliczeniowej, mającej na celu identyfikację układu zastępczego takich diod przeznaczonych do pracy w zakresie fal milimetrowych. Oryginalnym elementem tej propozycji jest układ pomiarowy, umożliwiający wykonywanie pomiarów rezonansowych, impedancyjnych oraz transmisyjnych. Dzięki temu możliwa jest ekstrakcja wartości poszczególnych elementów układu zastępczego diody ze szczególnym uwzględnieniem pasożytniczych pojemności i indukcyjności. Podano zależności służące do opracowania wyników pomiarów rezonansowych. Dokonano również obliczeniowej weryfikacji poszczególnych pomiarów, potwierdzając poprawność koncepcji oraz użyteczność symulacji pomiarów przy planowaniu eksperymentów i opracowaniu ich wyników.

EN

An experimental and computational procedure of mm-wave beam-lead Schottky barrier diodes characterisation has been proposed. It has been based on a novel design of the diode mounting circuit which enables resonance, reflection and transmission measurements on the device in question. Computational verification of particular experiments has been also done with results supporting the validity of the proposed approach.

7

Wpływ procesów przygotowania podłoża 4H-SiC na właściwości diod Schottky'ego

Kwietniewski N., Sochacki M., Szmidt J., Guziewicz M., Kamińska E., Piotrowska A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 9

57-62

PL

W ramach prowadzonych badań wykonane zostały diody Schottky'ego Ir/4H-SiC, IrO2/4H-SiC, Ni/4H-SiC. W artykule opisany został wpływ różnych procesów przygotowania powierzchni podłoża z węglika krzemu (4H-SiC) na parametry elektryczne uzyskanych diod. Sprawdzono skuteczność stosowanej powszechnie w technologii krzemowej procedury RCA, wpływ kąpieli w buforowym roztworze kwasu fluorowodorowego (HF buff ), użyteczność roztworów czyszczących na bazie kwasu siarkowego (H2SO4) oraz wpływ reaktywnego trawienia jonowego (RIE) powierzchni węglika krzemu. Zmierzone charakterystyki prądowo-napięciowe (I-V) diod Schottky'ego przeanalizowane zostały pod kątem korelacji obliczonych parametrów elektrycznych z efektami zaproponowanych metod przygotowania powierzchni. Trawienie RIE obniża w każdym przypadku efektywną wartość bariery Schottky'ego. Istnieje możliwość jednoczesnego obniżenia prądu zaporowego po zastosowaniu odpowiednich parametrów procesu trawienia. Omawiany efekt jest korzystny dla ograniczenia statycznych strat mocy zarówno przy polaryzacji diody w kierunku przewodzenia jak i w kierunku zaporowym. Wykazano, że zastosowanie trawienia RIE może wpływać korzystnie na obniżenie rezystancji charakterystycznej diody przy polaryzacji w kierunku przewodzenia.

EN

Ir/4H-SiC, IrO2/4H-SiC and Ni/4H-SiC Schottky diodes are reported in terms of different methods of surface pretreatment before contact deposition. RCA method, buffered HF bath, H2SO4 solution and reactive ion etching (RIE) were tested in different configurations. The electrical parameters extracted from I-V characteristics of Schottky diodes were correlated with the results of proposed surface cleaning methods. Very promising results were obtained for samples which had been etched in argon, taking into account the total static power losses, because the modified surface preparation leads to a decrease in the forward voltage drop and reverse leakage current simultaneously. The decrease of Schottky diode specific resistance is able to achieve using reactive ion etching.

8

Modelling of Schottky contacts for admittance and impurity profiling measurements

Sikorski S., Jung W.

Electron Technology : Internet Journal

|

2007

|

Vol. 39, nr 5

1-5

EN

The paper presents a theory of a metal-semiconductor contact biased by dc voltage with superimposed small ac signal. Theoretical considerations based on general transport equations enabled to derive equations useful for admittance and impurity profiling measurements of materials properties.

9

Pierwsze polskie przyrządy półprzewodnikowe : z perspektywy 50 lat

Klamka J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 6

40-46

PL

Przedstawiono historię rozwoju pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych opracowanych przez autora i jego zespół. Dotyczy to głównie diod prostowniczych, diod Zenera, fotodiod oraz różnych przyrządów mikrofalowych (waraktorów, diod lawinowych, diod PIN, diod Gunna, diod Schottky'ego, tranzystorów i podzespołów), wytwarzanych głównie w Pionie Mikrofal Instytutu Technologii Elektronowej.

EN

In the paper, a history of the first semiconductor devices that were designed in Poland by the author and his co-workers, is described. It includes rectifier diodes, Zener diodes, photodiodes and microwave devices (varactors, avalanche diodes, PIN diodes, Gunn diodes, Schottky diodes, transistors and subsystems) - all developed at the Institute of Electron Technology, mainly in the Microwave Division of that Institute.

10

Opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET oraz diod Schottky'ego na bazie heterostruktur AIII-N/SiC, przeznaczonych do pracy w zakresie b.w.cz.

Tłaczała M., Paszkiewicz R., Paszkiewicz B., Boratyński B.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2006

|

Vol. 47, nr 9

16-20

PL

Przedstawiono ofertę grupy badawczej Wydziału Elektroniki Mikrosystemów I Fotoniki Politechniki Wrocławskiej, kierowanej przez Marka Tłaczałę, na opracowanie technologii i konstrukcji tranzystorów HFET i diod Schottky'ego na bazie heterostruktur AIII-N/SiC, przeznacz-nych do pracy w zakresie b.w.cz. Omówiono główne założenia i cele projektu. Przedstawiono oczekiwane rezultaty jego realizacji. Pokazano uwarunkowania technologiczne (urządzenia i laboratoria) oraz oprogramowanie i techniki charakteryzacji umożliwiające podjęcie realizacji projektu.

EN

This paper presents the offer formulated by research group of the Faculty of Microsystem Electronics and Photonic of Wroclaw University of Technology, headed by Marek Tłaczala, for the design of technology and fabrication process of AIII-N/SiC heterostructures HFET transistors and Schottky diodes for microwave application. The main assumption and goals of the project are given. The anticipated results are discussed. The main technological facilities (systems and clean rooms) as well as the software and measurements techniques intended for the realization of the project are presented.

11

Konstrukcje diod Schottky'ego z węglika krzemu

Zarębski J., Dąbrowski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2004

|

Vol. 45, nr 6

17-21

PL

W pracy dokonano przeglądu, wytworzonych w skali laboratoryjnej, nowoczesnych struktur diod Schottky'ego z węglika krzemu. Pokazano różnorodność rozwiązań konstrukcyjnych i technologicznych, umożliwiających uzyskanie wysokich wartości napięć przebicia. Przedstawiono krótką charakterystykę każdej ze struktur, podając uzyskane wartości parametrów funkcjonalnych oraz charakterystyki prądowo-napieciowe.

EN

In this paper the review of the modern structures of the SiC Schottky diodes is presented. The diversity of constructions and technologies, which make it possible to obtain hign breakdown voltages of these devices, has been shown. Each described structure is shortly characterized by its parameter values and the d.c.characterictics.

12

40 lat mikrofalowej elektroniki półprzewodnikowej w Polsce

Klamka J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2000

|

Vol. 41, nr 8/9

11-21

PL

W pracy przedstawiono historię i zarys rozwoju półprzewodnikowej elektroniki mikrofalowej w Polsce. Znajdują się tu informacje o waraktorach, diodach lawinowych, diodach Gunna, diodach PIN, diodach ładunkowych i ograniczających, diodach Schottky'ego, a także podzespołach mikrofalowych wytwarzanych w Pionie Mikrofal a ostatnio w Zakładzie Elektroniki Mikrofalowej w Instytucie Technologii Elektronowej w Warszawie.

EN

In this paper the history and development of the microwave electronics in Poland is presented. On can find the information about varactors, avalanche diodes, Gunn Diodes. PIN diodes, step - recovery diodes, limiter diodes, Schottky diodes, transistors and microwave subsystems producer in Microwave Division of Institute of Electron Technology in Warsaw.