PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Powiadomienia systemowe
  • Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  diodes
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Praktyczne aspekty wytrzymałości zwarciowej urządzeń z półprzewodnikami mocy
Przybysz J., Owsiński M., Piątek Z.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2015
|
Z. 270
47--61
PL
W ramach prowadzonych w Instytucie Energetyki w Warszawie badań urządzeń elektroenergetycznych wykonywane są między innymi próby sprawdzania ich wytrzymałości zwarciowej. W niniejszym artykule zebrano doświadczenia uzyskane podczas badań dla elementów półprzewodnikowych dużej mocy. Przedstawiono zachowanie się obiektów wyposażonych w elementy półprzewodnikowe, między innymi podczas łączenia prądów zwarciowych w stanie pracy znamionowej i awaryjnej. Pokazano zalety stosowania takich rozwiązań oraz omówiono zasadność wykonywania badań pozwalających uzyskać charakterystyki dynamiczne wykorzystywanych elementów półprzewodnikowych. Zwrócono również uwagę na zalety wykorzystania na etapie konstruktorskim zależności przejściowej impedancji termicznej struktur półprzewodników.
EN
Short-circuit withstand of electric power system equipment is a part of the tests carried out by Institute of Power Engineering in Warsaw. In this article we have gathered our experience gained during the research of the power semiconductor devices. It shows the behavior of devices equipped with semiconductor components during short-circuit currents flow in case of nominal and emergency operation. The advantages of such solutions and method of obtaining the dynamic characteristics of semiconductor devices were shown as well. Attention was also drawn to the advantages of the use of transient thermal impedance based on semiconductor structures during the designing stage.
2
Content available remote Dozymetria małych pól fotonowych – suplement
Dąbrowski R.
Inżynier i Fizyk Medyczny
|
2015
|
Vol. 4, nr 5
279-281
PL
W artykule omówiono nowe fakty w dziedzinie pomiarów dozymetrycznych małych pól. Szczególny nacisk położono na problem perturbacji sygnału w przypadku detektorów półprzewodnikowych. Sformułowano też sugestie dotyczące optymalnej, w chwili obecnej, metody pomiaru wydajności małych pól fotonowych.
EN
The present work provides information on signal perturbation in the case of silicon diodes. Some suggestions are given concerning the optimal methods of output factor measurements for small photon beams.
3
Content available remote The influence of temperature on optical and electrical parameters of medium and high power LEDs
Swietoniowski P., Binkowski T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 11
200--203
EN
The article presents the issues connected with the problem of high temperatures influence on LED diodes. It presents the results of the research showing the impact of the temperature on the electrical and optical parameters of diodes. The thesis also includes the information concerning the selection of the heat dissipating systems in order to maintain proper operation temperature and avoid the consequences connected with LED diodes overheating.
PL
W artykule przedstawione zostały zagadnienia związane z problemem działania wysokich temperatur na diody LED. Zaprezentowano wyniki badań ukazujące wpływ temperatury na parametry diod. Praca zawiera również informację na temat doboru układów rozpraszających ciepło w celu zachowania odpowiedniej temperatury pracy diod.
4
Content available Źródło światła z matrycą diod superelektroluminescencyjnych (SLED) dla celów pomiarowych
Odon A., Krawiecki Z.
Pomiary Automatyka Kontrola
|
2007
|
R. 53, nr 9 bis
332--335
PL
Zaprezentowano opis konstrukcji i zasady działania stabilizowanego źródła światła z matrycą zawierającą dziesięć szeregowo połączonych diod superluminescencyjnych (SLED) przeznaczonego dla celów pomiarowych. Dzięki zastosowaniu stabilizacji temperaturowej diod i układu regulacji z ujemnym, optycznym sprzężeniem zwrotnym uzyskano efekt stabilizacji mocy promieniowania i charakterystyki spektralnej diod superelektroluminescencyjnych.
EN
In this paper the construction and principle of operation of a stabilized source of the light with an array made by 10 connected in series superluminescent diodes are described. By using the thermal stabilisation of the diodes and an optical feedback loop the output power level of SLEDs as well radiation spectral characteristics of SLEDs can be stabilized.
5
Content available Diody świecące jako źródła światła
Pawlak A.
Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
|
2007
|
nr 12
24-27
PL
W artykule przedstawiono przykładowe zastosowania diod świecących małej mocy, ich historię rozwoju oraz ogólną zasadę działania, a także omówiono sposoby wytwarzania światła białego w tych diodach.
EN
This paper presents the evolution of lighting emission diodes (LED) and general rules of their operation. There is also a description of how white light is created in those LEDs.
6
Półrzewodnikowe przyrządy z rezonansem tunelowym do generalizacji fal milimetrowych i submilimetrowych
Klamka J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2000
|
Vol. 41, nr 3
3-12
PL
W pracy omówiono fizyczne właściwości i zasadę działania diod z rezonasem tunelowym oraz ich właściwości elektryczne. Przedstawiono przykłady konstrukcji i technologii diod RTD wytwarzanych w oparciu o różne półprzewodnikowe struktury heterozłączowe.
EN
In this article the physical properties and principle of operation of the resonant-tunneling diodes are presented. In the last part of this article the examples of the construction and technology of RTD diodes are shown. In these diodes the different types of tunneling heterojunction are used.
7
Diamentowe przyrządy półprzewodnikowe
Polowczyk M., Klugmann E.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
1999
|
Vol. 40, nr 10
3-8
PL
Przedstawiono możliwości oraz próby wykorzystania diamentu półprzewodnikowego do budowy elementów elektronicznych: rezystorów, termistorów, fotorezystorów, piezorezystorów, hallotronów, diod pn, diod Schottky'ego, diody IMPATT, tranzystorów npn i tranzystorów polowych MESFET oraz MISFET. Rozważania uwzględniające właściwości elektryczne i cieplne diamentu wskazują m.in. na to, że przyrządy diamentowe mogą być wykorzystywane przy ponad 30-krotnie większej częstotliwości i przy ponad 8200 razy większej mocy od przyrządów krzemowych. Ponadto, ze względu na dużą odporność termiczną diamentu, w wielu opracowaniach naukowych przewiduje się możliwość zastosowania przyrządów diamentowych w wysokich temperaturach, rzędu 600°C.
EN
Many efforts to apply the semiconducting diamond for construction of electronic elements: resistors, termistors, photoresistors, piezoresistors, hallotrons, pn diodes, Schottky diodes, IMPATT diodes, npn transistor, MESFETs and MISFETs are reviewed. Considering the possibilities of acceptor and donor doping, electrical resistivity and thermal conductivity of diamond as well as high electric-field breakdown points, that diamond devices could be used at about 30-times higher frequency and morę then 8200-times power then silicon devices. Exept that, due to high heat resistant of diamond, it is concluded that diamond devices can be used in environment at high temperature, rangę of 600°C.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.