W pracy przedstawiono wyniki numerycznej trójwymiarowej analizy termicznej w stanie ustalonym macierzy laserów VCSEL (laserów emitujących z powierzchni z pionową wnęką rezonansową) emitujących falę 850 nm, wykorzystując metodę elementów skończonych. Zbadano wpływ na wzrost temperatury w matrycy rozmiaru apertury tlenkowej obszaru czynnego pojedynczych emiterów matrycy, rozmiaru matrycy, rozmiaru podłoża, odległości między emiterami, ilości ciepła wydzielonego w każdym emiterze oraz jakości połączenia termicznego między matrycą a chłodnicą.
EN
A thermal 3D steady-state analysis of 850 nm vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) arrays based on the finite element method (FEM) is presented in this paper. Several oxide aperture diameters active region of single emitter, array sizes and substrate sizes, several values of the distance between adjacent emitters, various heat source densities, and the impact of the quality of thermal connections between the semiconductor structure and the heat sink are considered.
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
W pracy przedstawiono wyniki numerycznej analizy termicznej matryc laserów GaAs VCSEL emitujących falę 850 nm. Obliczenia wykonano dla pojedynczego lasera oraz dwóch typów matryc: nieskończonej i półnieskończonej. Uwzględniono różne wielkości apertur elektrycznych, różne odległości między emiterami oraz różną gęstość źródeł ciepła. Trójwymiarowe modele rozpływu ciepła pozwoliły określić rozkłady temperatury, dolną i górną granicę rezystancji termicznej analizowanych urządzeń oraz wzajemne oddziaływanie cieplne między emiterami matryc laserowych.
EN
In this paper the results of thermal numerical analysis of 850 nm GaAs VCSEL arrays are presented. A single VCSEL emitter and two types of VCSEL arrays: infinite and semi-infinite, were modelled. Several oxide aperture diameters, several values of the distance between emitters and various heat source densities were considered. The models for 3-D heat spreading allowed us to determine the heat flow distribution and to obtain the upper and lower bounds for both thermal resistance of single emitters and thermal crosstalk in arrays.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.