PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 10

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  diode
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Understanding HVDC/FACTS controller’s sustainable development & comparative analyses of GTO, GCT, IGBT, MTO, ETO, MCT and MOSFET operations
Alshammari Badr Mesned, Masood Tariq, Chughtai Muhammad Tajammal, Karim Samer
Przegląd Elektrotechniczny
|
2020
|
R. 96, nr 3
111--113
EN
This article presents a comparative study through analyses regarding a number of power electronics devices. Power Electronic devices have innovative contribution to control the electrical power operations with a degree of precision. The GTO normally are not equipped with amplifying gates. The Asymmetric GTOs are inherently equipped with fast recovery diodes across each GTO, for reverse operations based on the that reverse voltage capability is not required for GTOs operations. This also provide techno economic benefits high voltage, voltage drop and current ratings capability. It can sustain against, short and long-time overcurrent.
PL
W artykule przedstawiono analize porównawczą różnych elementów elektronicznych stosowanych w energoelektronice. Analizowano także wpływ właściwości tych elementów na prtacę urządzeń energetyki, takich jak np. sterowniki wysokonapięciowe FACTS.
2
Content available Comparison between thermal simulation results generated by PLECS software and laboratory measurements
Mysiński Wojciech, Sysło Bartłomiej
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2019
|
No. 99
29--40
EN
This article deals with the subject of simulation of power losses and thermal processes occurring in semiconductors, as illustrated by an example of a DC/DC buck converter. The simulations were performed in PLECS software. The results obtained from the program were compared with measurement results of a laboratory converter model. The physical model is based on the same components as assumed in the simulation. Similarly, the parameters of the transistor control signal were the same. During operation of the converter, the temperature changes were analyzed using a K-type thermocouple. Based on the obtained results of the temperature measurement in the steady state of the converter operation, the correctness of the simulation carried out in the PLECS program was verified and confirmed.
3
Content available Resonant tunnelling diode with magnetised electrodes
Szczepański Tomasz, Kudła Sylwia
Physics for Economy
|
2019
|
Vol. 3, No. 1
41-51
EN
We analyse some basic properties of charge and spin transport in a semiconductor structure with an insulating barrier. In this system two semiconducting layers are separated by the insulator, creating a structure which is called a tunnel junction. The particles may pass through this junction according to the quantum tunnelling effect. By using two tunnel junctions with energy barriers made of insulating material, one can construct a quantum potential well . Inside the well the energy levels are quantised, which means that only discrete or quasi-discrete values of energy are allowed. Moreover, the probability of charge tunnelling through the system, which contains the potential well, depends on whether the energy of the incoming particles is in coincidence with the so-called resonant energy level. Such systems form the base of structures called resonant tunnelling diodes.
PL
Przedstawiono podstawowe własności transportu ładunku i spinu poprzez wielowarstwowe struktury półprzewodnikowe, zawierające warstwy izolatorów. Układ półprzewodników przedzielonych warstwą izolatora stanowi rodzaj złącza tunelowego, poprzez które cząstki przedostają się wykorzystując zjawisko tunelowania kwantowego. Za pomocą dwóch złącz tunelowych zawierających bariery energetyczne w postaci materiału izolatora, konstruujemy kwantową studnię potencjału. W jej obszarze poziomy energetyczne ulegają skwantowaniu, przyjmując wyłącznie wartości dyskretne lub quasi-dyskretne. Ponadto prawdopodobieństwo tunelowania ładunków przez układ zawierający studnię potencjału zależy od tego czy energia padających cząstek znajduje się w koincydencji z dozwolonym w jamie tzw. rezonansowym poziomem energetycznym. Tego typu systemy stanowią podstawę funkcjonowania tzw. rezonansowych diod tunelowych. Przeanalizowano zależności od różnych parametrów układu, takich jak energia poziomu rezonansowego, szerokość barier potencjału, oraz wpływ pola magnetycznego na elektryczne oraz spinowe własności transportowanych cząstek. Badania te mają kluczowe znaczenie w projektowaniu urządzeń na potrzeby spintroniki. Wykorzystują one polaryzację spinową prądu, akumulację spinu w studniach potencjału, manipulowanie spinem w układach elektronicznych przy wykorzystaniu pola magnetycznego oraz indukowanie magnetyzacji w obszarze studni kwantowej zawierającej rozszczepione spinowo poziomy rezonansowe.
4
Content available remote Zaburzenia generowane w przetwornicy impulsowej o wysokiej częstotliwości przełączania zawierającej diodę z węglika krzemu
Starzak Ł., Grabowski K., Poźniak T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 2
48-50
PL
Artykuł przedstawia wyniki badań zaburzeń przewodzonych powstających w impulsowej przetwornicy podwyższającej napięcie, w której użyta została unipolarna dioda mocy z węglika krzemu. Przeanalizowano wpływ częstotliwości i szybkości przełączania układu na widmo zaburzeń elektromagnetycznych, a także na sprawność energetyczną. Wyniki porównano z uzyskanymi w tym samym układzie po zastosowaniu bipolarnej diody krzemowej (PIN).
EN
The paper presents investigation results of conducted disturbances arising in a switched mode boost power converter in which a unipolar diode made of silicon carbide has been used. The effect of circuit switching frequency and speed on electromagnetic disturbance spectrum as well as on efficiency has been analysed. Results have been compared to ones obtained in the same circuit after applying a bipolar silicon diode (PIN).
5
Content available remote Wpływ zakłóceń elektromagnetycznych na pracę sterownika wtrysku paliwa w silnikach spalinowych o zapłonie iskrowym
Podleśny M., Walusiak S., Pietrzyk W.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2008
|
R. 84, nr 3
231-233
PL
W artykule opisano zagadnienie kompatybilności elektromagnetycznej EMC pod kątem pracy układów mikroprocesorowych stosowanych w motoryzacji. Największą uwagę poświęcono sterownikowi silnika samochodu, ponieważ oprócz tego, że znajduje się on w komorze silnika, każdy nowoczesny sterownik steruje również zapłonem, co wzmaga wpływ zakłóceń elektromagnetycznych na jego pracę. Ponadto przedstawiono przykłady zachowań urządzeń po przekroczeniu maksymalnej odporności na zakłócenia oraz metody zmniejszenia i eliminacji zakłóceń oddziaływujących na urządzenia mikroprocesorowe. W pracy zaprezentowano również sprawdzone doświadczalne metody eliminacji zakłóceń elektromagnetycznych uniemożliwiających pracę sterowników wtrysku paliwa.
EN
Several methods of the protection of microprocessor - based system against electromagnetic interference have been proved in course of operation and presented in this study. The electromagnetic interference resulting from capacitate coupling is usually the most difficult problem occurring in practice. The methods used for the electromagnetic interference influence elimination described herein have been verified by means of real controllers where the problems associated with the electromagnetic interference in course of gas fuel injection have been recorded.
6
Content available remote Microelement content in pasture sward undersown with perennial ryegrass irradiated with diode and laser. Part 2
Grygierzec B.
Ecological Chemistry and Engineering. A
|
2008
|
Vol. 15, nr 4-5
337-342
EN
The research was conducted in 2003-2005 in two agricultural farms in Skrzeszowice near Krakow (220 m a.s.1.) and in Trzebunia near Pcim (450 m a.s.l.). The experiments were set up on permanent grasslands managed by undersowing with perennial ryegrass. The experiment was used as a hayfield and grazed by dairy cattle five times during the vegetation period. The following variants were used in the experiment: control, P20K66, N120P20K66 without irradiation and with irradiation by diode and laser. The work aimed at determining the effect of diode and laser pre-sowing irradiation of seeding material for the undersowing grass species on microelement concentrations in the obtained pasture sward. Pre-sowing laser stimulation of perennial ryegrass seeds positively affected copper, zinc, boron and iron concentrations in plant dry weight in both regions of research. The sward undersown with seeding material without irradiation contained the lowest amounts of copper in the mountain region (II), iron and generally zinc in the lowland region (I). On the other band the sward undersown with diode irradiated seeding material revealed the lowest concentrations of copper in region I and baron in both region I and II.
PL
Badania przeprowadzono w latach 2003-2005 na terenie dwóch gospodarstw indywidualnych w Skrzeszowicach koło Krakowa (220 m n.p.m.) oraz w Trzebuni koło Pcimia (450 m n.p.m.). Doświadczenia założono na trwałych użytkach zielonych zagospodarowanych metodą podsiewu życicą trwałą Doświadczenie użytkowano pastwiskowo, stosując w sezonie wegetacyjnym S-krotny wypas bydłem mlecznym. W doświadczeniu zastosowano następujące warianty: kontrolę, P JC66' N12)' 2OK66 bez naświetlania i z naświetlaniem diodą oraz laserem. Celem pracy było określenie wpływu naświetlania materiału siewnego diodą i laserem podsiewanego gatunku trawy na zawartość mikroelementów w uzyskanej runi pastwiskowej. Przedsiewna stymulacja laserowa nasion życicy trwałej wpływała dodatnio na zawartość miedzi, cynku, boru oraz żelaza w suchej masie roślin, w obu rejonach badań. Ruń podsiewana materiałem siewnym bez naświetlania zawierała najmniejszą ilość miedzi w rejonie górskim (II), żelaza oraz na ogół cynku w rejonach nizinnym (I) i górskim (II). Z kolei ruń podsiewana materiałem siewnym naświetlanym diodą cechowała się najmniejszą ilością miedzi w rejonie I oraz boru w rejonach I i II.
7
Content available remote Macroelement content in pasture sward undersown with perennial ryegrass irradiated with diode and laser. Part l
Grygierzec B.
Ecological Chemistry and Engineering. A
|
2008
|
Vol. 15, nr 1-2
65-70
EN
Studies were conducted in 2003-2005 in the area of two agricultural farms: in Skrzeszowice near Krakow (220 m a.s.1.) and in Trzebunia near Pcim (450 m a.s.1.).The experiments were set up on permanent grasslands managed by undersowing with perennial ryegrass. The experiment was used for hay production and grazed five times by dairy cattle during the vegetation period. It comprised the following variants: control, P20K66, N120P20K66 with and without irradiation of diode and laser. The experiment aimed to determine the effect of diode and laser irradiation of perennial ryegrass sowing material on the content of nutrients in the sward of lowland and mountain pasture under the influence of variable nitrogen fertilization. Meadow sward of all experimental variants situated in the lowland (I) generally contained higher concentrations of nitrogen, calcium and magnesium than the sward of the pasture situated in the mountains (II). A reverse content was observed for phosphorus and sodium in the sward of most treatments but only in the plants undersown with the irradiated material. The lowest amounts of the analyzed constituents were determined in the control sward and the highest in plants from N120P20K66 treatments.
PL
Badania przeprowadzono w latach 2003-2005 na terenie dwóch gospodarstw indywidualnych w Skrzeszowicach koło Krakowa (220 m n.p.m.) oraz w Trzebuni koło Pcimia (450 m n.p.m.). Doświadczenia założono na trwałych użytkach zielonych zagospodarowanych metodą podsiewu życicą trwałą. Doświadczenie użytkowano pastwiskowo, stosując w sezonie wegetacyjnym 5-krotny wypas bydłem mlecznym. W doświadczeniu zastosowano następujące warianty: kontrolę, P20K66, N120P20K66 bez naświetlania i z naświetlaniem diodą oraz laserem. Celem pracy było określenie wpływu naświetlania materiału siewnego życicy trwałej diodą i laserem na zawartość podstawowych składników pokarmowych w runi pastwiska niżowego i górskiego pod wpływem zmiennego nawożenia azotem. Runi pastwiskowa wszystkich wariantów doświadczenia usytuowanego na niżu (I) zawierała na ogół większą ilość azotu, wapnia i magnezu niż w runi doświadczenia usytuowanego w górach (II). Zależność odwrotną zaobserwowano w przypadku fosforu i sodu w runi większości obiektów, ale tylko w roślinności podsiewanej materiałem naświetlanym. Najmniejsze ilości analizowanych składników oznaczono w runi kontrolnej, a największe w roślinności obiektów N120P20K66.
8
Wyznaczanie udarowego prądu przeciążenia diod i tyrystorów
Babiuch M., Cieśliński E., Świątek H., Zymmer K.
Nowa Elektrotechnika
|
2005
|
nr 12 (16)
8--10
9
Content available Ograniczenie prądu zwarciowego przez szeregowe dławiki z układem diodowym
Baszyński M.
Elektrotechnika i Elektronika
|
2005
|
T. 24, z. 2
119-124
PL
W artykule omówiono dwa sposoby ograniczenia prądu zwarcia: pierwszy, klasyczny, realizowany przez zwiększenie impedancji obwodu (włączenie w szereg z odbiornikiem dławika) oraz drugi, wykorzystujący prosty układ energoelektroniczny. Ponadto w artykule opisano negatywne oddziaływanie obu metod na system energetyczny.
EN
This paper presents two methods of limitation of values of short currents. The first method is achieved by increasing inductance, caused by serial connection of the additional reactor to load. This method is not recommended because of drop of other loads voltage. The second method uses a simple power electronics circuit composed of two diodes and two reactors. A comparison of efficiency and a negative influence of both methods on supply network is discussed.
10
Projektowanie potrajaczy częstotliwości skompensowanych temperaturowo z wykorzystaniem diod Schottky'ego
Szczepaniak Z. R., Sawicka-Szczepaniak K.
Prace Przemysłowego Instytutu Telekomunikacji
|
2004
|
Vol. 54, z. 133
1-8
PL
Przedstawiono analizę matematyczną procesu powielania częstotliwości przy użyciu obwodów z diodami Schottky'ego. Przeanalizowano wpływ temperatury na charakterystykę prądowo-napięciową diody oraz efektywność procesu potrajania częstotliwości. Przedstawiono strukturę potrajacza wykorzystującą efekt kompensacji zmian poziomu mocy wyjściowej w funkcji zmian temperatury. Zaprezentowano projekt potrajacza oraz wyniki symulacji i pomiarów potwierdzające poprawność analizy.
EN
The mathematical analysis of frequency multiplying process with the use of the circuit with Schottky diodes was presented. The influence of the temperature on the diode IV characteristic and frequency tripling efficiency was analysed. A tripler circuit structure with compensation of the output power changes due to the temperature was presented. To confirm the analysis, the design, simulations, and measurement of the compensated tripler were done and shown.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.