Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 1998

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: dioda z bramką

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wyznaczanie generacyjnego czasu życia nośników mniejszościowych struktur SOI z elektrycznych charakterystyk diody z bramką

Gibki J., Jakubowski A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1998

Vol. 39, nr 6

14-18

Przedstawiono rezultaty badań diod z bramką zrealizowanych w technologii SOI. Analiza kształtu charakterystyk prądowo-napięciowych tych diod pozwala na wyznaczenie parametrów procesów generacyjno-rekombinacyjnych w strukturach, takich jak generacyjny czas życia oraz prędkości generacji powierzchniowej na dolnej i górnej granicy Si-SiO2. Opracowana metoda wydaje się być bardzo dokładnym i efektywnym narzędziem charakteryzacji technologii.

In this paper a study of gate-controlled diodes fabricated in SOI technology has been presented. I-U and C-V measurements of gatecon-trolled diodes allowed the generation-recombination parameters to be determined, such as carrier lifetime and the generation velocity for both the front and back Si-SiO2 interfaces. The developed method seems to be an accurate and effective tool for technology characterisation.