PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  dioda półprzewodnikowa
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Szacowanie wartości temperatury złącza półprzewodnikowego na podstawie wartości temperatury wyprowadzenia diody
Dziarski K.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2018
|
No. 95
243--254
PL
W niniejszym artykule przedstawiono związek pomiędzy wartością temperatury wyprowadzenia i wartością temperatury złącza diody półprzewodnikowej w obudowie do montażu powierzchniowego. Przedstawiono parametry wybranych diod półprzewodnikowych. Omówiono metodykę przeprowadzonych badań i skonstruowany układ pomiarowy. Zaprezentowano sposób szacowania temperatury złącza diody półprzewodnikowej na podstawie charakterystyki wiążącej wartość spadku napięcia UF i wartość temperatury. Przedstawiono dobór wartości współczynnika emisyjności wyprowadzenia ε pozwalający uzyskać wystarczająco dokładną wartość temperatury wyprowadzenia, na podstawie której możliwe jest oszacowanie wartości temperatury złącza. Dodatkowo przedstawiono zastosowaną kamerę termowizyjną.
EN
Junction temperature is one of the most important parameters of semiconductor diode. Diode operation depends on junction temperature. Correct measurement is difficult because of a small size of the object. The measurements are especially complex for SMD (Surface Mount Device) diodes, which have a size of a few millimeters. Contact measurement method with temperature sensor is unreliable. Alternative way is the noncontact thermovision measurement, which can give an information about the temperature of the diode pins. In practice the information about diode junction is more significant. This article describe relation between a result of diode pins thermovision measurement and temperature of junction. The diodes with two semiconductors junctions in the same case was used. Junctions of the diodes was connected in various kind (common anode and common cathode). It was found relation, which allow estimate of junction temperature value based on pin temperature.
2
Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. I)
Klamka J.
Przegląd Techniczny : Gazeta Inżynierska
|
2017
|
nr 18
18--20
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1964-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semi-conductor devices in the period of 1964-2000. They are germanous and siliceous rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic weaponry mainly for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, Schottky diodes, transistors).
3
Historia rozwoju przyrządów półprzewodnikowych w Polsce stosowanych w praktyce (cz. II)
Klamka J.
Przegląd Techniczny : Gazeta Inżynierska
|
2017
|
nr 19-20
19--22
PL
W artykule przedstawiono historię kolejnych opracowań i wprowadzenia do zastosowań praktycznych pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych w latach 1954-2000. Są to germanowe i krzemowe diody prostownicze, fotodiody, diody Zenera i przyrządy mikrofalowe dla uzbrojenia radioelektronicznego, głównie dla radiolokacji (waraktory, diody ładunkowe, diody Schottky’ego, diody i generatory Gunna, diody PIN, tranzystory).
EN
Article describes history of successive studies and introduction to practical applications of first Polish semiconductor devices in the period of 1954-2000. They are german and silicon rectifying diodes, photodiodes, Zener diodes and microwave devices for radioelectronic military egwiment mailny for radiolocation (varactors, charge storage diodes, Schottky diodes, Gunna diodes and generators, PIN diodes, transistors).
4
Content available Termowizyjny pomiar temperatury złącza diody półprzewodnikowej
Dziarski K., Wiczyński G.
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
|
2017
|
No. 92
295--305
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań pomiarów temperatury złączą diody półprzewodnikowej zabudowanej w obudowie do montażu powierzchniowego (SOT–23), przy pomocy metody bezkontaktowej. Przedstawiono układ pomiarowy i otrzymane wyniki pomiarów oraz szczegółowe parametry diody użytej do badania. Omówiono zależność wiążącą temperaturę obudowy diody z temperaturą złącza, warunki panujące w trakcie wykonywania eksperymentu, oraz wnioski wynikające z otrzymanych wyników.
EN
Junction temperature is one of the most important parameters of semiconductor diode. Diode operation depends on this temperature, however its correct measurement is difficult because of small size of the object. Measurements are especially complex for SMT (Surface Mount Technology) diodes of size 1 to 3 mm. Application of a contact temperature sensor is inefficient. Thus, an alternative way is the noncontact thermovision measurement which can give information on temperature of the diode case. However, in practice information about diode semiconductor junction is more significant. Experimental studies of the relation between a result of diode case thermovision measurement and temperature of junction inside the case have been undertaken. BAT54C diode with two junctions in the same case for SMT was used. One junction was temperature sensor while another one operated as heater. It was found that the temperature difference was not higher than 9°C what allows us to conclude that thermovision measurement of diode junction temperature may be useful in diagnostic testing of electronic circuits.
5
Content available Practical realization of ideal diode full-wave rectifiers
Chytil J.
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
|
2014
|
nr 4
81--84
EN
This paper discuses practical realization of full-wave rectifiers made of electronic diodes for high current bipolar electronic loads. The presented solution minimizes the voltage drop and nonlinearity of loads in the region of low voltages. Compared to standard or Schottky diodes, electronic (also referred to as ideal) diodes exhibit very low voltage drop and power dissipation. In the full-wave rectifier, MOSFETs with very low RDSon (low units of milliohms) are used. Ideal rectifiers have been traditionally used as structural elements in switched power supplies; they are often applied in low dissipation power switches and started to be utilized as full-wave rectifiers.
PL
Artykuł omawia praktyczną realizację prostownika dwupołówkowego wykonanego z użyciem diod prostowniczych dla obciążeń wysokoprądowych. Zaproponowane rozwiązanie minimalizuje spadek napięcia i nieliniowość obciążenia w zakresie małych napięć. W porównaniu do standardowej diody Schottkiego, diody „elektroniczne” (nazywane również idealnymi) wykazują bardzo mały spadek napięcia i straty mocy. W prostowniku dwupołówkowym użyto tranzystory MOSFET o bardzo niskiej RDSon (rzędu miliomów). Idealne prostowniki są tradycyjnie używane jako elementy konstrukcyjne w zasilaczach impulsowych; są one często stosowane w niskostratnych przełącznikach mocy i zaczynają być stosowane jako prostowniki dwupołówkowe.
6
Modeling and optimization of thermo-mechanical behavior of power semiconductor diodes
Fedasyuk D., Makar V.
Mikroelektronika i Informatyka : prace naukowe
|
2004
|
Z. nr 4
49-54
EN
Thermal stresses in microelectronics are produced by the mismatch between the thermo-mechanical properties of different components in devices. This paper presents a numerical model which allows to predict and optimize a thermo-mechanical behavior of power semiconductor devices at the earlier phase of the product development processes. It is very important to provide reliability, to reduce a number of expensive physical experiments and to obtain optimal design. As the demonstrator, an soldered power semiconductor diode has been considered to show the robustness and capability of the proposed approach for transient temperature and thermal stresses characterization.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.