PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 12

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  dioda
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available Modelling of a micro-channel heat sink for cooling of high-power laser diode arrays
Furmański P., Thualfaqir K., Łapka P.
Archives of Thermodynamics
|
2018
|
Vol. 39, no 3
15--27
EN
Micro-channel heat sinks are used in a wide variety of applications, including microelectronic devices, computers and high-energy-laser mirrors. Due to the high power density that is encountered in these devices (the density of delivered electrical power up to a few kW/cm2 ) they require efficient cooling as their temperatures must generally not exceed 100 °C. In the paper a new design for micro-channel heat sink (MCHS) to be used for cooling laser diode arrays (LDA) is considered. It is made from copper and consisting of 37 micro-channels with length of 9.78 mm, width of 190 µm and depth of 180 µm with the deionized water as a cooling medium. Mathematical and numerical models of the proposed design of the heat sink were developed. A series of thermofluid numerical simulations were performed for various volumetric flow rates of the cooling medium, its inlet temperature and different thermal power released in the laser diode. The results show that the LDA temperature could be decreased from 14 to 17% in comparison with earlier proposed design of the heat sink with the further drop in temperature obtained by applying indium instead of gallium arsenide as the soldering material between the LDA and MCHS interface. Moreover, it was found that the maximum temperature, and therefore the thermal resistance of the considered heat sink, could be decreased by increasing the coolant flow rate.
2
Content available remote Zaburzenia generowane w przetwornicy impulsowej o wysokiej częstotliwości przełączania zawierającej diodę z węglika krzemu
Starzak Ł., Grabowski K., Poźniak T.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 2
48-50
PL
Artykuł przedstawia wyniki badań zaburzeń przewodzonych powstających w impulsowej przetwornicy podwyższającej napięcie, w której użyta została unipolarna dioda mocy z węglika krzemu. Przeanalizowano wpływ częstotliwości i szybkości przełączania układu na widmo zaburzeń elektromagnetycznych, a także na sprawność energetyczną. Wyniki porównano z uzyskanymi w tym samym układzie po zastosowaniu bipolarnej diody krzemowej (PIN).
EN
The paper presents investigation results of conducted disturbances arising in a switched mode boost power converter in which a unipolar diode made of silicon carbide has been used. The effect of circuit switching frequency and speed on electromagnetic disturbance spectrum as well as on efficiency has been analysed. Results have been compared to ones obtained in the same circuit after applying a bipolar silicon diode (PIN).
3
Content available remote Cooling system of HP LED with a Peltier module – laboratory equipment
Skrzypczak P., Domke K.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 10
245-246
EN
The paper will describe the structure of laboratory equipment used to specify temperatures of all parts of the cooling system. This system with a Peltier module is designed for keeping the minimum temperature of HP LED. Directions of heat flow in ideal and real systems with their electrical and heat equivalents will be presented. It will make temperature measurements of ambience and sink, warm and cold sides of the Peltier module and solder of the HP LED. Because of the large time-constant, measurements will be automated with the help of programmable power supply, digital multimeters and temperature recorder. Calculations with measurement results will allow verification of the applied model.
PL
Przedstawiono układ chłodzenie diod elektroluminiscencyjnych oparty na module Peltiera. Prezentowane stanowisko pomiarowe pozwala na dokonywanie pomiarów fotometrycznych przy ustalanej temperaturze złącza p-n diody. W układzie mierzy się temperaturę obudowy diody, obu stron modułu Peltiera, radiatora, otoczenia. Układ pozwala na automatyzację kolejnych nastaw prądów przewodzenia diody i rejestrację przebiegów temperatury oraz innych wielkości pomiarowych.
4
Content available Stałoprądowe sterowanie grupowe diodami LED
Grodzki L.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2010
|
Z. 244
171-180
PL
W niektórych zastosowaniach diod LED wymagane jest jednakowe sterowanie całych grup diod. Użycie wielu, nawet identycznych obwodów sterujących podnosi koszt urządzenia, zwiększa jego wymiary i obniża niezawodność. Dlatego na uwagę zasługują rozwiązania umożliwiające jednoczesne sterowanie pracą wielu elementów LED. Artykuł prezentuje przykłady, seryjnie produkowanych układów scalonych mających właśnie takie możliwości. W pracy zamieszczono wyniki przeprowadzonych badań wybranych parametrów prezentowanych układów. Opisano również ich dodatkowe funkcje, realizowalne w połączeniu z nadrzędnym mikrokontrolerem. Artykuł zawiera również propozycje aplikacji prezentowanych rozwiązań między innymi w technice motoryzacyjnej, w tym budowy inteligentnych komponentów samochodowej instalacji oświetleniowej.
EN
Some LED applications need parallel driving of the groups of diodes. Using many, even identical driving circuits increases cost, overall dimensions and decreases operational reliability. Therefore the integrated circuits, which allow control the work of many LED diodes should be taken into account. The article presents few selected chips designed to constant-current LED driving. The paper contains the description of main properties of those integrated circuits and some results of realised research works on their application features. Because presented devices have SPI-slave interface, they can be controlled by supervising microcontroller. The paper also contains the proposal of automotive application, as the component of modern vehicle electrical system.
5
Content available Iprovements OLED operation due to using additional layers
Hotra Z., Volynyuk D., Voznyak L., Kostiv N.
Prace Instytutu Elektrotechniki
|
2010
|
Z. 247
19-24
EN
In this work we proposed OLED structure with NiPc as hole transport layer. Current-voltage and luminance characteristic of ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al and ITO/Alg3/PEGTE/Al structures were also investigated. It was shown that using NiPc as hole transport layer reduced operating voltage and improved OLED performance.
PL
W pracy została zaproponowana struktura OLED z warstwą NiPc jako warstwą transportową. Zbadano jej charakterystyki prądowo-napięciową oraz luminancyjną na podłożu ITO/NiPc/Alg3/PEGTE/Al i ITO/Alg3/PEGTE/Al. Wykazano, że używając związku NiPc jako warstwy transportowej zmniejsza się napięcie pracy OLED jednocześnie poprawiając jego wydajność.
6
Content available remote Microelement content in pasture sward undersown with perennial ryegrass irradiated with diode and laser. Part 2
Grygierzec B.
Ecological Chemistry and Engineering. A
|
2008
|
Vol. 15, nr 4-5
337-342
EN
The research was conducted in 2003-2005 in two agricultural farms in Skrzeszowice near Krakow (220 m a.s.1.) and in Trzebunia near Pcim (450 m a.s.l.). The experiments were set up on permanent grasslands managed by undersowing with perennial ryegrass. The experiment was used as a hayfield and grazed by dairy cattle five times during the vegetation period. The following variants were used in the experiment: control, P20K66, N120P20K66 without irradiation and with irradiation by diode and laser. The work aimed at determining the effect of diode and laser pre-sowing irradiation of seeding material for the undersowing grass species on microelement concentrations in the obtained pasture sward. Pre-sowing laser stimulation of perennial ryegrass seeds positively affected copper, zinc, boron and iron concentrations in plant dry weight in both regions of research. The sward undersown with seeding material without irradiation contained the lowest amounts of copper in the mountain region (II), iron and generally zinc in the lowland region (I). On the other band the sward undersown with diode irradiated seeding material revealed the lowest concentrations of copper in region I and baron in both region I and II.
PL
Badania przeprowadzono w latach 2003-2005 na terenie dwóch gospodarstw indywidualnych w Skrzeszowicach koło Krakowa (220 m n.p.m.) oraz w Trzebuni koło Pcimia (450 m n.p.m.). Doświadczenia założono na trwałych użytkach zielonych zagospodarowanych metodą podsiewu życicą trwałą Doświadczenie użytkowano pastwiskowo, stosując w sezonie wegetacyjnym S-krotny wypas bydłem mlecznym. W doświadczeniu zastosowano następujące warianty: kontrolę, P JC66' N12)' 2OK66 bez naświetlania i z naświetlaniem diodą oraz laserem. Celem pracy było określenie wpływu naświetlania materiału siewnego diodą i laserem podsiewanego gatunku trawy na zawartość mikroelementów w uzyskanej runi pastwiskowej. Przedsiewna stymulacja laserowa nasion życicy trwałej wpływała dodatnio na zawartość miedzi, cynku, boru oraz żelaza w suchej masie roślin, w obu rejonach badań. Ruń podsiewana materiałem siewnym bez naświetlania zawierała najmniejszą ilość miedzi w rejonie górskim (II), żelaza oraz na ogół cynku w rejonach nizinnym (I) i górskim (II). Z kolei ruń podsiewana materiałem siewnym naświetlanym diodą cechowała się najmniejszą ilością miedzi w rejonie I oraz boru w rejonach I i II.
7
Content available remote Macroelement content in pasture sward undersown with perennial ryegrass irradiated with diode and laser. Part l
Grygierzec B.
Ecological Chemistry and Engineering. A
|
2008
|
Vol. 15, nr 1-2
65-70
EN
Studies were conducted in 2003-2005 in the area of two agricultural farms: in Skrzeszowice near Krakow (220 m a.s.1.) and in Trzebunia near Pcim (450 m a.s.1.).The experiments were set up on permanent grasslands managed by undersowing with perennial ryegrass. The experiment was used for hay production and grazed five times by dairy cattle during the vegetation period. It comprised the following variants: control, P20K66, N120P20K66 with and without irradiation of diode and laser. The experiment aimed to determine the effect of diode and laser irradiation of perennial ryegrass sowing material on the content of nutrients in the sward of lowland and mountain pasture under the influence of variable nitrogen fertilization. Meadow sward of all experimental variants situated in the lowland (I) generally contained higher concentrations of nitrogen, calcium and magnesium than the sward of the pasture situated in the mountains (II). A reverse content was observed for phosphorus and sodium in the sward of most treatments but only in the plants undersown with the irradiated material. The lowest amounts of the analyzed constituents were determined in the control sward and the highest in plants from N120P20K66 treatments.
PL
Badania przeprowadzono w latach 2003-2005 na terenie dwóch gospodarstw indywidualnych w Skrzeszowicach koło Krakowa (220 m n.p.m.) oraz w Trzebuni koło Pcimia (450 m n.p.m.). Doświadczenia założono na trwałych użytkach zielonych zagospodarowanych metodą podsiewu życicą trwałą. Doświadczenie użytkowano pastwiskowo, stosując w sezonie wegetacyjnym 5-krotny wypas bydłem mlecznym. W doświadczeniu zastosowano następujące warianty: kontrolę, P20K66, N120P20K66 bez naświetlania i z naświetlaniem diodą oraz laserem. Celem pracy było określenie wpływu naświetlania materiału siewnego życicy trwałej diodą i laserem na zawartość podstawowych składników pokarmowych w runi pastwiska niżowego i górskiego pod wpływem zmiennego nawożenia azotem. Runi pastwiskowa wszystkich wariantów doświadczenia usytuowanego na niżu (I) zawierała na ogół większą ilość azotu, wapnia i magnezu niż w runi doświadczenia usytuowanego w górach (II). Zależność odwrotną zaobserwowano w przypadku fosforu i sodu w runi większości obiektów, ale tylko w roślinności podsiewanej materiałem naświetlanym. Najmniejsze ilości analizowanych składników oznaczono w runi kontrolnej, a największe w roślinności obiektów N120P20K66.
8
Oszczędne źródła światła
Godlewski J.
Czysta Energia
|
2007
|
Nr 10
12-13
9
Content available remote Stan i trendy rozwoju półprzewodnikowych łączników mocy i budowanych z ich zastosowaniem przekształtników energoelektronicznych
Nowak M.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2005
|
R. 81, nr 7-8
12-23
PL
We wstępie artykułu, w powiązaniu z rysem pięćdziesięcioletniego rozwoju nowoczesnej energoelektroniki, przedstawiono główne czynniki kształtujące obecne trendy rozwojowe w tej dziedzinie. Następnie podano krótki przegląd najważniejszych i podlegających pracom badawczo-rozwojowym półprzewodnikowych przyrządów mocy uwzględniając podział wywodzący się z wartości napięcia roboczego. Zasadniczą część pracy poświęcono przeglądowi subiektywnie wybranych topologii, które zdaniem autora odpowiadają intensywnie rozwijającym się obszarom zastosowania energoelektroniki.
EN
At the beginning the paper presents a short historical sketch of half century long development of modern power electronics and points some important factors which influence present day trends in research and application of the discipline. Then a short review of most important and continuously developed semiconductor power devices is given based on general classification derived from working voltage is given. The main part of paper presents a subjectively selected converter topologies, which accordingly to authors opinion corresponds to dynamic grow of power electronics application areas.
10
Wyznaczanie udarowego prądu przeciążenia diod i tyrystorów
Babiuch M., Cieśliński E., Świątek H., Zymmer K.
Nowa Elektrotechnika
|
2005
|
nr 12 (16)
8--10
11
Content available Ograniczenie prądu zwarciowego przez szeregowe dławiki z układem diodowym
Baszyński M.
Elektrotechnika i Elektronika
|
2005
|
T. 24, z. 2
119-124
PL
W artykule omówiono dwa sposoby ograniczenia prądu zwarcia: pierwszy, klasyczny, realizowany przez zwiększenie impedancji obwodu (włączenie w szereg z odbiornikiem dławika) oraz drugi, wykorzystujący prosty układ energoelektroniczny. Ponadto w artykule opisano negatywne oddziaływanie obu metod na system energetyczny.
EN
This paper presents two methods of limitation of values of short currents. The first method is achieved by increasing inductance, caused by serial connection of the additional reactor to load. This method is not recommended because of drop of other loads voltage. The second method uses a simple power electronics circuit composed of two diodes and two reactors. A comparison of efficiency and a negative influence of both methods on supply network is discussed.
12
Projektowanie potrajaczy częstotliwości skompensowanych temperaturowo z wykorzystaniem diod Schottky'ego
Szczepaniak Z. R., Sawicka-Szczepaniak K.
Prace Przemysłowego Instytutu Telekomunikacji
|
2004
|
Vol. 54, z. 133
1-8
PL
Przedstawiono analizę matematyczną procesu powielania częstotliwości przy użyciu obwodów z diodami Schottky'ego. Przeanalizowano wpływ temperatury na charakterystykę prądowo-napięciową diody oraz efektywność procesu potrajania częstotliwości. Przedstawiono strukturę potrajacza wykorzystującą efekt kompensacji zmian poziomu mocy wyjściowej w funkcji zmian temperatury. Zaprezentowano projekt potrajacza oraz wyniki symulacji i pomiarów potwierdzające poprawność analizy.
EN
The mathematical analysis of frequency multiplying process with the use of the circuit with Schottky diodes was presented. The influence of the temperature on the diode IV characteristic and frequency tripling efficiency was analysed. A tripler circuit structure with compensation of the output power changes due to the temperature was presented. To confirm the analysis, the design, simulations, and measurement of the compensated tripler were done and shown.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.