Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Determination of Cu(In,Ga)(S,Se)2–solar cell parameters from quantum efficiency spectra

Tivanov M., Moskalev A., Patryn A.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2015

|

R. 91, nr 9

188-190

EN

A method for calculation of the Cu(In,Ga)(S,Se)2-layer parameters (space-charge region width, diffusion length, built-in potential and concentration of non-compensated acceptors) in solar cell is proposed. The method is based on analysis of the quantum efficiency spectra within the framework of a solar-cell unidimensional model.

PL

Zaproponowano metodę wyznaczania parametrów Cu(In,Ga)(S,Se)2 ogniw słonecznych (szerokość obszaru ładunku przestrzennego, długość drogi dyfuzji nośników, wbudowane pole elektryczne, koncentracja nieskompensowanych domieszek akceptorowych). Metoda bazuje się na analizie widma wydajności kwantowej ogniwa w ramkach modelu jednowymiarowego.

2

Determination of space charge region width and diffusion length in Cu(In,Ga)(S,Se)2 absorber from solar cell spectral characteristics

Tivanov M., Patryn A.

Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej

|

2014

|

Nr 6

69--76

EN

In this work we present simple non-destructive method for extracting of Cu(In,Ga)(S,Se)2-based solar cell parameters (space-charge region width and diffusion length of minority charge carriers in Cu(In,Ga)(S,Se)2 absorber) from the analysis of solar cell spectral characteristics. This method is based on one-dimensional model of a solar cell when the change of in-depth distribution of the photogenerated carriers and, hence, the change of its photoresponse with the variation of excitation wave-length in solar cell is taking into account. The following assumptions are accepted: the reflection of charge carriers from back contact and the «drawing» fields in the quasi-neutral area of the absorber layers are negligible; window and buffer layers are transparent in the analyzed of spectrum range; the injection level of minority charge carriers is low; the recombination losses at the metallurgical p-n-junction interface of the studied photosensitive structure are dependent linearly on the photocurrent density.

PL

W pracy przedstawiono prostą metodę nieniszczącego wyznaczenia parametrów (szerokość obszaru ładunku przestrzennego i długość drogi dyfuzji mniejszościowych nośników ładunku w absorberze) dla ogniw słonecznych na bazie Cu(In,Ga)(S, Se)2 z analizy charakterystyk widmowych ogniw słonecznych. Metoda opiera się na jednowymiarowym modelu ogniwa słonecznego, kiedy zmiana rozkładu generowanych optycznie nośników jest prostopadła do powierzchni i zmiana fotoodpowiedzi ze zmianą długości fali światła wzbudzającego jest brana pod uwagę. Przyjęto poniższe założenia: odbicie nośników ładunku od tylnego kontaktu oraz zmiana pola profilu w okolicy quasi-neutralne warstw absorbera są nieistotne; warstwy czołowa i buforowa są przezroczyste w analizowanym zakresie widmowym; poziom generacji mniejszościowych nośników ładunku jest niski; straty rekombinacyjne w bazowym n-p złączu badanej struktury są uzależnione światłoczułych liniowo od gęstości fotoprądu.

3

Heat path characterization of high-k HfO2-Ta2O5 capacitor in Verilog-A

Masana F. N.

International Journal of Microelectronics and Computer Science

|

2011

|

Vol. 2, nr 3

100-104

EN

Thermal impedance measurement of semiconductor devices is one of the standard and well established methods of characterization. From such measurements can be obtained not only behavioral information in the form of graphs or models for thermal simulation, but also structural information about the thermal path involved, from source to sink, that can be very useful in device assembly process characterization and control. Structural information, however, usually requires many processing steps of measured data with its associated calculation burden and numerical errors. This work proposes a method to extract structural information from measured data in a straightforward way, with very few and elementary calculations, thus providing a useful analysis tool.

4

Some remarks on positron/positronium diffusion models

Świątkowski W.

Nukleonika

|

2003

|

Vol. 48, nr 3

141-144

EN

Positrons thermalized near the sample boundary (as well as Ps atoms formed in the sample) can reach the boundary as a result of diffusive movement. Observations of such effects as positron reemission or positron surface trapping as well as positronium emission allow one to calculate respective diffusion lengths. From the presented analysis it follows that some models used in such calculations give quite wrong results.