Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: difference frequency generation

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Dwufalowy półprzewodnikowy laser dyskowy do generacji promieniowania z zakresu średniej podczerwieni

Sokół A. K., Sarzała R. P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2016

Vol. 57, nr 9

39--42

W pracy dokonano numerycznej analizy możliwości zaprojektowania nowego źródła promieniowania laserowego o długości fali z zakresu średniej podczerwieni (3–5 µm). Idea polega na wykorzystaniu optycznie pompowanego półprzewodnikowego lasera dyskowego emitującego promieniowanie o dwóch długościach fali i techniki generacji częstotliwości różnicowej. Przyrząd ten ma w zamierzeniu stanowić alternatywę dla obecnych bezpośrednich i pośrednich źródeł promieniowania laserowego ze wspomnianego zakresu spektralnego, które ze względu na swoje ograniczenia często nie spełniają oczekiwań komercyjnego odbiorcy.

The paper presents a numerical analysis of designing a new source of laser radiation from the mid-infrared spectral range (3–5 µm). The idea is to use an optically–pumped semiconductor disk laser emitting at two different wavelengths and the difference frequency generation technique. The device is intended to be an alternative for present direct and indirect sources of laser radiation from the considered spectral range which often do not meet customer expectations.

New mid-infrared optical sources based on isotropic semiconductors (zinc selenide and gallium arsenide) using total internal reflection quasi-phase-matching

Haidar R., Kupecek P., Rosencher E., Triboulet R., Lemasson P.

Opto-Electronics Review

2003

Vol. 11, No. 2

155-160

The French aerospace agency is involved in the realization of compact solid-state coherent sources, such as optical parametric oscillators (OPO), using new materials, such as highly non-linearly efficient semiconductors (ZnSe, GaAs or InP). However, since these materials are optically isotropic, they require new phase-matching techniques. We report the quasi - phase matched difference frequency generation in isotropic semiconductors using total internal reflection. We made use of large Fresnel birefringence at reflection between the signal and idler wave outputs of an OPO. Large tunability (between 8 and 13 um) is demonstrated. Agreement between theoretical expectation and experimental results is excellent.