Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: dielektryki high-k

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS structures

Taube A., Guziewicz M., Kosiel K., Gołaszewska-Malec K., Król K., Kruszka R., Kamińska E., Piotrowska A.

Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences

2016

Vol. 64, nr 3

537--551

The paper presents the results of characterization of MOS structures with aluminum oxide layer deposited by ALD method on silicon carbide substrates. The effect of the application of thin SiO2 buffer layer on the electrical properties of the MOS structures with Al2O3 layer has been examined. Critical electric field values at the level of 7.5–8 MV/cm were obtained. The use of 5 nm thick SiO2 buffer layer caused a decrease in the leakage current of the gate by more than two decade of magnitude. Evaluated density of trap states near the conduction band of silicon carbide in Al2O3/4H-SiC MOS is about of 1×1013 eV−1cm−2. In contrast, the density of the trap states in the Al2O3/SiO2/4H-SiC structure is lower about of one decade of magnitude i.e. 1×1012 eV−1cm−2. A remarkable change in the MOS structure is also a decrease of density of electron traps located deeply in the 4H-SiC conduction band below detection limit due to using of the SiO2 buffer layer.

Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC

Król K., Sochacki M., Waśkiewicz M., Szmidt J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2015

Vol. 56, nr 11

56-58

W artykule przedstawiono wyniki analizy właściwości warstw dielektrycznych ZrO2/SiO2 stosowanych jako dielektryki bramkowe w tranzystorach MOSFET SiC. Do analizy wykorzystano pomiar prądów stymulowanych termicznie (TSC, ang. Thermally-Stimulated Current). Szczególny nacisk położono na badanie płytko położonych w przerwie energetycznej SiC stanów pułapkowych, ponieważ mają one decydujące znaczenie dla parametrów elektrycznych przyrządów typu MOSFET wykonanych na węgliku krzemu.

In this article we present the results of 4H-SiC/SiO2/ZrO2 MOS gate dielectric stack measurements obtained using thermally stimulated current spectroscopy (TSC). This method was chosen because the main problem in modern SIC MOSFET technology are still traps localized close to conduction band edge. Therefore this article focuses on shallow trap states.