Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: device turn-off models

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Soft-switching turn-off behaviour models

Dawidziuk Jakub

Archives of Electrical Engineering

2003

Vol. 52, nr 2

167--183

During the development of new Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs), considerable effort has been spent to evaluate and enhance the dynamic performance of IGBTs under zero voltage soft-swichning conditions which are encountered in several resonant converter configurations. Five different device turn-off behaviour models of varying sophistication are analysed in this paper for predicting switch turn-off losses during zero voltage soft-switching operation. These models arc useful for the analysis, simulation and design of soft-switching or resonant circuits. They also provide analytical tools for selecting optimal switches or customising power devices for a specific application.

W artykule dokonano analizy pięciu, zaproponowanych przez autora, prostych i łatwo modyfikowanych modeli miękkiego wyłączania tranzystorów, których parametry są określane na podstawie danych katalogowych producenta oraz wyznaczono, na podstawie tych modeli, straty energii wyłączania w tranzystorach. W układach o komutacji twardej z obciążeniem indukcyjnym w czasie wyłączania na tranzystorze występuje pełne napięcie zasilające. W czasie komutacji miękkiej, wyłączanie prądu kolektora odbywa się przy niewielkim napięciu na tranzystorze. Prowadzi to do niewyczuwalnych intuicyjnie wniosków, a mianowicie takich, że ubywanie energii może zachodzić wtedy, gdy wzrasta amplituda wyłączanego prądu. Wykazano, że podczas miękkiej pracy łączeniowej przyrządy półprzewodnikowe z największymi powierzchniami amper-sekunda wyłączanego prądu nie muszą generować największych strat. Zależności określające straty energii w procesie wyłączania tranzystorów mocy mogą być wykorzystane do analizy, symulacji i projektowania obwodów rezonasowych przekształtników.