Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Przegląd Elektrotechniczny

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: device characterization

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Automatic detection of colour charts in images

Kordecki A., Palus H.

Przegląd Elektrotechniczny

2014

R. 90, nr 9

197-202

This paper presents an algorithm of automatic colour chart detection and colour patch value extraction.The algorithm can detect different types of colour charts in various images. The efficiency of algorithm is measured by successful detection of the X-Rite ColorChecker and compared with the performance of the X-Rite ColorChecker Camera Calibration software. The experimental study shows that proposed algorithm successfully found the colour chart in 77.3% of tested images while the X-Rite software in 53.8% of tested images. The experiments specify optimal image acquisition conditions for successful colour chart detection.

W artykule przedstawiono algorytm automatycznej detekcji wzornika barw i ekstrakcji wartości barw jego pól. Algorytm umożliwia wykrycie różnych typów wzorników barw w różnych obrazach. Efektywność poprawnej detekcji badano wykorzystując wzornik ColorChecker firmy X-Rite i porównywano z efektywnością detekcji programu X-Rite ColorChecker Camera Calibration. Badania doświadczalne wykazały, że zaproponowany algorytm poprawnie wykrywał wzornik barw w 77,3% badanych przypadków, podczas gdy oprogramowanie firmy X-Rite w 53,8% badanych obrazów. Eksperymenty pozwoliły określić optymalne warunki akwizycji obrazu dla pomyślnej detekcji wzornika barw.

Charakteryzacja termoczułych parametrów wybranych krzemowych i węglikowo-krzemowych przyrządów mocy

Nowak M., Rąbkowski J., Barlik R.

Przegląd Elektrotechniczny

2008

R. 84, nr 7

12-16

W artykule przedstawiono wyniki badań reprezentatywnych próbek kilku typów łączników mocy z krzemu i węglika krzemu jak dioda PiN, dioda Shottky’ego, IGBT oraz JFET Stosując komorę termiczną z możliwie dokładnym pomiarem temperatury wyznaczono charakterystyki podające zmienność wybranych parametrów w przedziale 25 - 150 oC . Pomiary prowadzono z zastosowaniem krótkich, kilkumikrosekundowych impulsów tak by nie zakłócić warunków termicznych.

In the paper, results of laboratory investigation of representative samples of semiconductor silicon and silicon-carbide power devices, such as PiN diode, Shottky diode, IGBT and JFET, are presented. With use of a thermal chamber the characteristics of temperature sensitive parameters for selected types of devices were determined by measurements in range 25 – 150 grad C using short pulses, which are not able to disturb thermal conditions.