Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2 2006

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: detektory ultrafioletu

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Detektory ultrafioletu z azotku galu

Dobrzański L., Góra K., Jagoda A., Przyborowska K., Kozłowski A., Stańczyk B., Strupiński W., Lenkiewicz D., Wnuk M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 3

8-11

W wyniku realizacji programu wieloletniego „Rozwój Niebieskiej Optoelektroniki" opracowano szereg detektorów z barierą Schottky'ego oraz typu p-i-n w oparciu o heterostrukturę GaN/AIGaN. Widmowe charakterystyki czułości opracowanych przyrządów pokrywają odcinkami cały zakres ultrafioletu. W wypadku detektorów z barierą Schottky'ego osiągnięto parametry porównywalne do najlepszych dostępnych na rynku światowym, natomiast diody p-i-n o unikalnych parametrach nie mają równorzędnych odpowiedników.

We have completed the R & D program "Development of the Blue Optoelectronics". We have developed a series of the Schottky and p-i-n detectors on a basis of the GaN/AIGaN heterostructure. The characteristics of spectral detectivity of our devices cover the whole UV range. The Schottky barrier detectors exhibit the best parameters met on a world market. Properties of the p-i-n devices are unique. Devices of the similar quality are not available so far from the other sources.

Detektor ultrafioletu z węglika krzemu

Dobrzański J., Grasza K.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2006

Vol. 47, nr 9

20-5

Opisano konstrukcję i technologię pierwszych polskich detektorów ultrafioletu wykonanych na monokrystalicznym węgliku krzemu. Kryształy SiC wyhodowano we własnym laboratorium metodą sublimacyjną. Detektory są diodami Schottky'ego z półprzeźroczystą metalizacją bariery. Diody wykazują bardzo dobre charakterystyki I(V) oraz czułość prądową w zakresie od 0,06 A/W do 0,08 A/W.

We report on development of the SiC UV detector made on a single crystal without epitaxial layers. SiC Crystal was grown in our lab using PVT (Physical Vapor Transport) method. Next we deposit ohmic metal on a whole wafer and annealed it. Schotttky semitransparent metallization was deposited on an opposite side of wafer. Diodes exhibit good I(V) characteristics and a peak responsivity from 0.06 to 0.08 A/W.