Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: detektory promieniowania

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

J-PET: nowy Pozytonowy Emisyjny Tomograf zbudowany z plastikowych detektorów

Moskal P., Kubica-Misztal A.

Inżynier i Fizyk Medyczny

2015

Vol. 4, nr 4

195--198

Jagielloński Pozytonowy Tomograf Emisyjny powstał w oparciu o plastikowe detektory promieniowania na Uniwersytecie Jagiellońskim. Nowatorskie rozwiązanie pozwala na zwiększenie komory diagnostycznej przy jednoczesnym znaczącym obniżeniu kosztów tomografu w stosunku do obecnie produkowanych tomografów PET opartych na nieorganicznych detektorach kryształowych.

Badania detektorów promieniowania optycznego w szerokim zakresie temperatury

Ćwirko J., Ćwirko R.

Przegląd Elektrotechniczny

2009

R. 85, nr 11

83-86

Praca jest poświecona badaniom detektorów promieniowania optycznego. Detektory IR, VIS i UV są szeroko stosowane w badaniach naukowych, w różnych dziedzinach przemysłu oraz w zastosowaniach militarnych. Detektory promieniowania optycznego optyczne możemy podzielić na detektory termiczne i fotonowe. W pracy przedstawiono system pomiarowy do charakteryzacji elektrycznej i optycznej detektorów półprzewodnikowych w szerokim zakresie temperatury. W artykule przedstawiono również przykładowe wyniki pomiarów.

The work is aimed on measurements of optical radiation detectors. IR, VIS and UV detectors are used in scientific research, industrial, and military applications. UV detectors are classified as either photon or thermal detectors, depending on the mechanism of detection. In this paper is presented measurement system for electric and optical characterization semiconductor photodetectors in wide range temperature. In this paper are presented selected measurement results, too.

SOI monolithic active pixel detector technology for improvement of I-V characteristics and reliability

Niemiec H., Kucewicz W., Sapor M., Grabiec P., Kucharski K., Marczewski J., Tomaszewski D., Armstrong B. M., Bain M., Gamble F. R.

Electronics and Telecommunications Quarterly

2008

Vol. 54, No 4

507-512

Monolithic active pixel detectors in SOI (Silicon On Insulator) technology are novel sensors of ionizing radiation, which exploit SOI substrates for the integration of readout electronics and a pixel detector. Breakdown voltage and leakage current of pixel diodes are very important parameters of the devices. This paper addresses recent development in the field of the technology of the SOI detectors, which lead to improvement of reliability and current-voltage characteristics of the sensors.