Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 7

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  detektory fotonowe
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
PL
W pracy przeanalizowano podstawowe problemy wąskoprzerwowych detektorów podczerwieni w warunkach pracy nierównowagowej. Interesującym sposobem podwyższenia parametrów detekcyjnych, jest tłumienie generacji termicznej, poprzez głębokie zubożenie półprzewodnika w nośniki ładunków. Stałe zubożenie półprzewodnika można uzyskać wykorzystując zjawiska ekskluzji, ekstrakcji i magnetoekskluzji (magnetokoncentracji). Zaprezentowano teoretyczne i uzyskane eksperymentalnie parametry detekcyjne detektora podczerwieni wykorzystującego zjawisko magnetoekskluzji w temperaturze pokojowej. Połączenie różnych metod mogłoby umożliwić pracę detektorów fotonowych w temperaturze pokojowej, których wykrywalność byłaby ograniczona szumem fotonowym tła (detektory typu BLIP).
EN
In the paper the basic problems of the narrow-gap infrared detectors were analyzed under unbalanced work conditions. There was shown that substantial manner improving of detecting parameters is limitations of thermal generation by mean the deep decreasing of current carriers. This can be done applying of exclusion, extraction or magneto-exclusion. Paper presents in this perspective the critical investigation of theoretical and experimental detecting parameters for the infrared detector which operate under magneto-exclusion at 300 K. Conclusion of carried out investigations is that applying at the same time exclusion and extraction in such infrared detectors allow to improve their parameters at 300 K, as then the detector photon noise can be substantially limited e.g. detectors BLIP type.
2
Content available Detektory fotonowe w warunkach pracy równowagowej
PL
W artykule sformułowano problem propagacji pola elektrycznego i magnetycznego w wielowarstwowej strukturze. Ustalono warunki brzegowe dla typowego modelu detektora podczerwieni. Określono równania rozkładu gęstości i koncentracji nośników nadmiarowych prądu w elemencie fotoczułym. Zilustrowano widmową czułość i wykrywalność znormalizowaną nowej klasy fotonowych detektorów podczerwieni. Oceniono graniczne parametry detektorów średniej i dalekiej podczerwieni w warunkach pracy równowagowej.
EN
In the paper the electromagnetic field propagation in the semiconductor multi-layer structures was formulated. Using these results for typical model of infrared detectors the limit conditions was determined. This was made by obtaining for photosensitive materials the equation describing the electrical current dependent from the density and concentration of redundant semiconductor carriers. Using this, for a new normalized class the spectrum sensitivity and detectivity of photon infrared detectors can be designed. Both these parameters are addressed for evaluation the detectors operating under balance conditions in the middle and far infrared ranges.
3
Content available remote (Hg,Zn)Te Photon Detectors of Thermal Radiation
PL
Określono rozkład fali elektromagnetycznej w typowej strukturze detekcyjnej detektora fotonowego. Podano wzory na: współczynnik zewnętrznej wydajności kwantowej oraz rozkład intensywności promieniowania w elemencie fotoczułym. Obliczono maksymalne do uzyskania parametry detekcyjne fotorezystorów z (Hg,Zn)Te. Zilustrowano współczynnik zewnętrznej wydajności kwantowej oraz intensywność promieniowania w elemencie fotoczułym umieszczonym w optymalnej optycznej wnęce rezonansowej. Obliczono graniczne znormalizowane wykrywalności termiczne niechłodzonych (T=300K) detektorów fotonowych z (Hg,Zn)Te.
EN
Distribution of electromagnetic wave has been determined in a typical detection structure of a photon detector. Formulas have been given for: external quantum efficiency and distribution of radiation intensity in a photosensitive element. Maximal detection parameters of (Hg,Zn)Te photoresistors have been calculated. External quantum efficiency and radiation intensity in a photosensitive element located in the optimal optical resonance cavity have been illustrated. Ultimate normalized thermal detectivity of the uncooled (T=300K) (Hg,Zn)Te photon detectors has been calculated.
PL
W niniejszej pracy dokonano specyfikacji i analizy trybów monitorowania radiometrycznego systemów fotowoltaicznych. Przeprowadzono teoretyczne wprowadzenie do teorii detektorów termicznych i fotonowych. Zaprezentowano bilanse promieniowania krótkofalowego, długofalowego oraz bilansowego. Opisano profesjonalne komercyjne radiometry do specjalistycznych pomiarów meteorologicznych. Stwierdzono, że dla uzyskania szczegółowych danych meteorologicznych powinien zostać zastosowany monitoring naukowy. Zaprezentowano wyniki badań własnych w układzie monitorowania globalnego. Stwierdzono, że monitoring globalny jest wystarczającym narzędziem do predestynacji użytecznych zasobów energetycznych.
EN
In the following paper general review of professional radiometers was presented. In introduction different modes of radiometric measuring stations for photovoltaic purposes was pointed out. Background information about thermal and photonic detectors were presented. Short-wave, long-wave and radiation balances was quoted. Professional meteorological radiometers was presented and briefly described. It was stated that for complex radiation data gathering, professional monitoring should be applied. The results of original global monitoring were presented. It was concluded that, there is no necessity to put in a professional monitoring system for daily monitoring of photovoltaic devices.
PL
W pracy przedstawiono postęp w rozwoju detektorów promieniowania optycznego w ciągu ostatniego ćwierćwiecza. Omówiono podstawy działania dwu grup detektorów (termicznych i fotonowych) stosowanych w szerokim zakresie widma optycznego. Przedyskutowano nowe tendencje rozwojowe w technologii i konstrukcji detektorów promieniowania X, promieniowania g[gamma] promieniowania ultrafioletowego i podczerwonego. Przedstawiono przykłady najbardziej spektakularnych osiągnięć w tym zakresie, dotyczące detektorów z CdZnTe, detektorów ultrafioletowych z AIGaN, matryc CCD i CMOS zakresu widzialnego, detektorów heterozłączowych z HgCdTe, fotorezystorów ze studni kwantowych układu AIGaAs/GaAs i bolometrów krzemowych.
EN
The paper presents progress in optical detector technologies during the past 25 years. Classification of two types of detectors (photon detectors and thermal detectors) is done on the basis of their principle of operation. The overview of optical material systems and detectors is presented. Also recent progress in different technologies is described. Discussion is focused mainly on current and the most rapidly developing focal plane arrays using: CdZnTe detectors, AIGaN photodiodes, visible CCD and CMOS imaging systems, HgCdTe heterostructure photodiodes, quantum well AIGaAs/GaAs photoresistors, and thermal detectors.
PL
W artykule przedstawiono podstawowe trendy rozwoju detektorów podczerwieni, w tym detektory termiczne - mikrobolometry i piro-elektryki, oraz detektory fotonowe ze studniami kwantowymi. Omówiono budową i działanie detektora uśredniającego SPRITE o dużej wartości wykrywalności pasmowej.
EN
This paper presents. In this paper the comparison of uncooled thermal and deeply cooled QWIP (Quantum Well Infrared Photodetector) detectors are briefly presented. Different types of QWIP detectors have been mentioned. The limits of detectivity both for thermal and photon detectors are discussed. Today, the significant progress in infrared technology is observed. It is due to increasing interest of infrared sensitive equipment, especially in the domain of uncooled devices, which are much chipper with satisfactory parameters. Such detectors are widely used for e.g.: thermal inspection, observation, and maintenance. On the other hand very precise quantum detectors are still under development. The most efficient quantum detection based on MCT (HgCdTe) now has a competitor which uses traditional wide band gap semiconductor (AlxGal-xAs/GaAs), where the carrier excitation takes place in quantum well. Both resposivity and detectivity of quantum infrared detectors is a Junction of wavelength, while it does not depend on spectral range for thermal ones.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.