Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: detektor mozaikowy

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Krummenacher feedback analysis for higt count-rate semiconductor pixel detector readout

Szczygieł R.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2010

Vol. 51, nr 11

12-15

The Krummenacher feedback circuit [1] is a well know and often used in charge sensitive amplifiers (CSA) connected to DC-coupled semicondutor detectors. The circuit provides in a very simple structure dual functionality: continuous reset and detector leakage current compensation. In spite of the simplicity the characterization of the circuit for high speed applications is not very straightforward. This article presents an analysis of the feedback circuit based on 90 nm CMOS and technology and targeted at high-count-rate semiconductor hybrid pixel detector applications in submicron or 3D technologies.

Obwód sprzężenia zwrotnego Krummenachera [1] jest często używany we wzmacniaczach ładunkowych podłączonych do detektorów półprzewodnikowych ze sprzężeniem DC. Układ ten w bardzo prostej strukturze zapewnia podwójną funkcjonalność: ciągłe kasowanie wzmacniacza ładunkowego i kompensacji prądu upływu detektora. Pomimo prostej budowy analiza tego układu pod kątem szybkości działania jest dosyć złożona. Przedstawiony artykuł prezentuje analizę niniejszego obwodu w oparciu o parametry technologii 90 nm CMOS ukierunkowaną na aplikacje do odczytu półprzewodnikowych detektorów hybrydowych realizowanych w technologiach submikronowych lub 3D.

SOI monolithic active pixel detector technology for improvement of I-V characteristics and reliability

Niemiec H., Kucewicz W., Sapor M., Grabiec P., Kucharski K., Marczewski J., Tomaszewski D., Armstrong B. M., Bain M., Gamble F. R.

Electronics and Telecommunications Quarterly

2008

Vol. 54, No 4

507-512

Monolithic active pixel detectors in SOI (Silicon On Insulator) technology are novel sensors of ionizing radiation, which exploit SOI substrates for the integration of readout electronics and a pixel detector. Breakdown voltage and leakage current of pixel diodes are very important parameters of the devices. This paper addresses recent development in the field of the technology of the SOI detectors, which lead to improvement of reliability and current-voltage characteristics of the sensors.

Mozaikowy detektor monolityczny z aktywnymi komórkami w technologii SOI

Domański K., Grabiec P., Grodner M., Jaroszewicz B., Jasielski J., Jastrząb M., Klatka T., Kozieł M., Kucewicz W., Kucharski K., Kuta S., Marczewski J., Niemiec H., Sapor M., Tomaszewski D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2004

Vol. 45, nr 10

39-41

Praca przedstawia nowe rozwiązanie mozaikowego detektora krzemowego z aktywnymi komórkami, wykonanego na płytkach podłożowych SOI (Silicon On Insulator) [1], wytworzonych metodą wafer-bonding. Prezentowana praca jest częścią projektu SUCIMA (Silicon Ultra Fast Camera for Gamma and Beta Sources in Medical Applications), realizawanego w ramach 5. Programu Ramowego Komisji Europejskiej.

A novel solution of an active pixel detector, which exploits wafer-bonded Silicon On Insulator (SOI) substrates for integration of the readout electronics with the pixel detector is presented in this paper. The main concepts of the proposed monolithic sensor and the preliminary tests results with ionising radiation sources are addresses. Presented work is a part of the project, called SUCIMA (Silicon Ultra Fast Camera for Gamma and Beta Sources in Medical Applications), founded by European Commission within 5-th Framework Program.