Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: detekcja promieniowania X

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Problemy korekcji w hybrydowych pikselowych detektorach promieniowania X

Drozd A., Maj P.

Przegląd Elektrotechniczny

2014

R. 90, nr 5

86--89

Promieniowanie X jest szeroko stosowane w medycynie w klasycznej rentgenografii, rentgenowskiej tomografii komputerowej, czy w badaniach materiałowych. Do badań diagnostycznych coraz częściej wykorzystuje się detektory promieniowania X pracujące w trybie pojedynczego zliczania fotonów, które pozwalają na rejestrację i przetwarzanie każdego wpadającego do piksela impulsu z osobna, a przez to zwiększenie kontrastu obrazowania. Artykuł prezentuje przegląd problemów niejednorodności w obrazowaniu przy użyciu takich pikselowych detektorów promieniowania X, a także metody ich korekcji.

X-ray imaging is widely used in medicine in classic radiography, X-ray computed tomography and structural characterization of materials. X-ray detectors working in single photon counting mode, which register and process each photon separately, become more and more popular due to the possibility of imaging contrast enhancement. This paper presents problems of nonuniformity in imaging using this type of pixel X-ray detectors and methods of its correction.

Projekt układu elektroniki odczytu front-end do pomiaru czasu i energii dla półprzewodnikowych detektorów paskowych

Kłeczek R.

Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska

2013

nr 4

18--21

W niniejszym artykule został przedstawiony opis elektroniki front-end do pomiaru czasu interakcji i energii fotonu dedykowanej do odczytu dwustronnych detektorów paskowych, zaimplementowanej w technologii submikronowej UMC 180 nm CMOS. Jednoczesny i dokładny pomiar czasu interakcji oraz energii zdeponowanej w detektorze wymaga zastosowania w torze odczytowym dwóch różnych, równoległych ścieżek przetwarzania sygnału: „szybkiej” i „wolnej”. Parametry zaprojektowanego układu: niskim poziom rozpraszanej mocy P=3,2 mW, niski poziom szumów własnych ENC=586 e- rms (dla „wolnej” ścieżki i Cdet=30 pF), a powierzchnia krzemu zajmowana przez pojedynczy kanał wynosi 50 μm × 1100 μm.

This work presents the design of the readout front-end electronics for time and energy measurements dedicated for double-sided strip detectors implemented in submicron technology UMC 180 nm CMOS. The simultaneous and accurate measurements of time and energy deposited in the detector by a photon requires the use of two different parallel processing paths in the single channel: fast and slow. The designed front-end electronics is characterized by low power dissipation level P=3.2 mW, low noise performance ENC=586 e- rms (for “slow” path and at Cdet=30 pF). The single channel occupies silicon chip area of 50 μm × 1100 μm.