W artykule sformułowano problem propagacji pola elektrycznego i magnetycznego w wielowarstwowej strukturze. Ustalono warunki brzegowe dla typowego modelu detektora podczerwieni. Określono równania rozkładu gęstości i koncentracji nośników nadmiarowych prądu w elemencie fotoczułym. Zilustrowano widmową czułość i wykrywalność znormalizowaną nowej klasy fotonowych detektorów podczerwieni. Oceniono graniczne parametry detektorów średniej i dalekiej podczerwieni w warunkach pracy równowagowej.
EN
In the paper the electromagnetic field propagation in the semiconductor multi-layer structures was formulated. Using these results for typical model of infrared detectors the limit conditions was determined. This was made by obtaining for photosensitive materials the equation describing the electrical current dependent from the density and concentration of redundant semiconductor carriers. Using this, for a new normalized class the spectrum sensitivity and detectivity of photon infrared detectors can be designed. Both these parameters are addressed for evaluation the detectors operating under balance conditions in the middle and far infrared ranges.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.