Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Teoretyczna analiza adsorpcji tlenu na powierzchni ziaren SnO₂ o powierzchni płaskiej

Izydorczyk W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2009

|

Vol. 50, nr 10

45-48

PL

W pracy przedstawiono wyniki teoretycznej analizy wpływu adsorpcji tlenu na przewodnictwo nanowarstw SnO₂. W wyniku analitycznego rozwiązania jednowymiarowego równania Poissona-Boltzmanna dla próbki o skończonych wymiarach i płaskiej geometrii ziarna, otrzymano potencjał powierzchniowy dla całkowicie zubożonych warstw o grubości w zakresie 30..,500 nm. Na tej podstawie obliczono zależność energetycznej bariery potencjału od grubości warstwy. Zbadano wpływ ruchliwości oraz stopnia jonizacji donorów na stopień pokrycia powierzchni różnymi jonami tlenu. Obliczono profile głębokościowe koncentracji nośników, rozkład ruchliwych donorów oraz zbadano wpływ temperatury oraz ciśnienia cząstkowego tlenu na konduktancję nanowarstw SnO₂.

EN

In this work, the results of theoretical analysis of the influence of surface oxidation on the conductance of SnO₂ nanofilms were presented. From the one-dimensional analytical solution of the Poisson-Boltzmann equation in the case of finite grains with slab geometry, the in-depth profiles of the potential V(r) were obtained for full depleted layers. On this basis, the surface energy barrier dependence on grain size (30...500 nm) was obtained. The effect of the donor mobility (oxygen vacancies in the bulk) and degree of donor ionization on coverages by oxygen ions was discussed. The in-depth profiles of carrier concentrations and distribution of donors were obtained. Furthermore, the influence of temperature and partial oxygen pressure on the SnO₂ nano-film per-square conductance was studied.

2

Bulk silicon detectors of ionizing radiation : the role of the depletion layer

Marczewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2008

|

Vol. 49, nr 3

115-123

EN

The paper concerns fully depleted silicon detectors of ionizing radiation. Such detectors play an important role in high-energy physics and recently in medical or even space applications. They are very sensitive to low energy photons and charged particles. The detectors are fast and offer good energy resolution and, if designed as positive-sensitive devices, they may reach space resolution of a few micrometers. Moreover, silicon is a suitable material to integrate detectors with silicon read-out circuitry. The detectors profit from the fact that the reverse current of a silicon p-n junction is proportional to incident radiation. The paper deals mostly with modern detectors like active pixel sensors with interleaved pixels, monolithic SOI pixel detectors and untypical strip sensors. Some information concerning other designs are provided as well as remarks on electrical characterization techniques and the destructive role of radiation on sensors.

PL

Praca dotyczy całkowicie zubożonych krzemowych detektorów promieniowania jonizującego. Detektory takie odgrywają istotną rolę w fizyce wysokich energii oraz ostatnio w wielu zastosowaniach medycznych a nawet kosmicznych. Są one bardzo czułe na oddziaływanie z niskoenergetycznymi fotonami oraz cząstkami jonizującymi. Charakteryzują się wysoką rozdzielczością energetyczną i dużą szybkością. Jako detektory pozycyjne krzemowe detektory w pełni zubożone osiągają dokładność sięgającą kilku mikrometrów zaś użycie jako materiału krzemu ułatwia ich integrację z zazwyczaj krzemową elektroniką odczytową. W pracy bardziej obszernie potraktowano nowe konstrukcje detektorów pozycyjnych a zwłaszcza detektory pikselowe o pikselach pomijanych przy odczycie, monolityczne detektory realizowane w technologii SOI oraz nietypowe detektory paskowe. Artykuł zawiera krótką analizę zjawisk zachodzących w warstwie zubożonej a także kompendium wiedzy o różnorodnych konstrukcjach detektorów.

3

Computer analysis of oxygen adsorption at SnO2 thin films

Izydorczyk W., Adamowicz B.

Optica Applicata

|

2007

|

Vol. 37, nr 4

377-385

EN

An influence of oxidation of SnO2 thin films on depletion layer electronic parameters and film conductance has been studied by means of computer simulations. The surface potential value and in-depth potential profiles in the depletion region have been obtained by solving the Poisson--Boltzmann equation in the case of grains with slab geometry and different doping. The SnO2 grain thickness was in the range from 20 to 500 nm. The surface coverage by oxygen ions (O2-, O-) as well as film conductance per square and its sensitivity versus temperature (from 300 to 900 K) have been rigorously calculated. The effect of donor (oxygen vacancies) mobility and degree of donor ionisation has been taken into account.