Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Kompozyty

1 2001

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: degradacja cząstek SiC

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Degradacja cząstek SiC w kompozycie na osnowie stopu AlMg5

Zyska A., Braszczyński J., Konopka Z.

Kompozyty

2001

R. 1, nr 1

114-117

Przedstawiono termodynamiczną i eksperymentalną analizę reakcji tworzenia węglika Al4C3 w kompozycie o osnowie AlMg5 z wprowadzonymi mechanicznie cząstkami SiC. Stwierdzono, że reakcja powstawania Al4C3 przebiega przez stadia pośrednie, w których uczestniczą złożone niestabilne związki Al-C-Si oraz Al-C-Si-Mg. Istniejące na cząstkach SiC warstewki SiO2 spowodowały także wydzielanie na granicach osnowa/cząstka związków MgO i Mg2Si. Powtórne przetopienie kompozytu spowodowało degradację cząstek SiC i wytworzenie stabilnego węglika glinu o charakterystycznej „ząbkowanej" morfologii.

There have been both thermodynamic and experimental analyses of a reaction resulting in Al4C3 creation within a composite of AlMg5 matrix containing mechanically introduced SiC particles. It has been revealed (Table I) that this is a three-stage reaction proceeding on the AlMg/SiC interface. First, SiC is dissolved and intermediate compounds of Al-C-Si type are created in situ. This is followed by Al4C3 nucleation on the SiC/Al-C-Si interface. Then the growth of Al4C3 nuclei occurs along with the decaying of Al-C-Si precipitates. The thickness of observed Al4C3 and Al-C-Si (or AI-C-Si-Mg) precipitates has varied in the range 0.5 to 2.5 um, what proves that the process is non-homogeneous and indicates the preferred regions of reaction proceeding. The occurrence of SiO2 layers on the particle surfaces has also caused precipitating of MgO and Mg2Si compounds on the matrix/particle boundaries (Fig. 2). Remelting of the composite has resulted in degradation of SiC particles and formation of a stable aluminium carbide of characteristic jagged morphology (Fig. 3).