PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  defekty radiacyjne
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Content available remote Research on Jump Mechanism of Electric Charge Transfer Probability in Gallium Arsenide Irradiated with H+ Ions
Węgierek P., Billewicz P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2012
|
R. 88, nr 11b
364-365
EN
In the article the results of research on gallium arsenide irradiated with H+ ions have been presented as well as occurred correlations between probability of electron’s jump and sample annealing temperature have been discussed. Obtained results have confirmed that value of probability is strictly connected with the type of radiation defects formed as a consequence of irradiating tested sample with H+ ions.
PL
W artykule przedstawiono rezultaty badań arsenku galu naświetlonego jonami H+ oraz omówiono występujące w nim zależności prawdopodobieństwa wystąpienia przeskoku elektronu od temperatury wygrzewania próbki. Otrzymane wyniki potwierdzają, że wartość prawdopodobieństwa przeskoków jest ściśle związana z typem defektów radiacyjnych, powstałych w wyniku naświetlania materiału badawczego jonami H+.
2
Charakterystyki czasowe skokowej wymiany ładunków w arsenku galu napromieniowanym jonami H⁺
Węgierek P., Billewicz P.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2011
|
Vol. 52, nr 11
67-69
PL
W pracy ustalono, że w GaAs podlegającym polienergetycznej implantacji jonów H⁺ przy temperaturach wygrzewania Ta ≥ 523K w obszarach niskich i wysokich częstotliwości konduktywność σ = const., a w obszarze przejściowym aσ ∼ fa. Z danych doświadczalnych ustalono, że na wykresach Arrheniusa dla czasów przeskoków elektronów T występują dwa obszary - przy niskich temperaturach z energią aktywacji ΔΕT₁ ≈ (0,016 š 0,002) eV i przy wyższych z ΔΕT₂ ≈ (0,10 š 0,02) eV. Obszary te są związane z dwoma typami defektów wytworzonych podczas napromieniowania jonami.
EN
The article presents briefly results of the research conducted on gallium arsenide samples. It has been established that in GaAs exposed on polyenergy implantationof H&# 8314; ions and annealed in temperatures Ta ≥ 523K electric conductivity fulfils an equation σ = const. for both low and high frequencies bands. Additionally in medium frequencies band a proportion σ∼fa is fulfilled. On the basis of experimental data it has been concluded that on the Arrhenius plots drew for the time of the electrons jumps two different areas could be observed. The first one is typical for low temperature values described by activation energy ΔΕT₁ ≈ (0,016 š 0,002) eV The second is specific for higher temperatures where activation energy ΔΕT₂≈ (0,10 š 0.02) eV. Those areas are connected with two different types of radiation defects created during ion exposure of sample material.
3
Content available remote Badania temperaturowe energii aktywacji defektów radiacyjnych w silnie zdefektowanym krzemie
Węgierek P., Zhukowski P., Billewicz P.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2010
|
R. 86, nr 7
293-295
PL
W artykule zaprezentowano rezultaty badań silnie zdefektowanego krzemu i omówiono występujące w nim mechanizmy zmiennoprądowego przewodnictwa. Uzyskane rezultaty potwierdzają występowanie dwóch mechanizmów przewodzenia w silnie zdefektowanych półprzewodnikach, tj. pasmowego, charakterystycznego dla małych częstotliwości i skokowego, odpowiadającego wyższym częstotliwościom.
EN
The article presents results of testing electrical properties of ion-implanted silicon and discusses mechanisms of alternating-current electrical conduction that occurs in it. The obtained results have confirmed the occurrence of two conduction mechanisms in strongly defected semiconductors i.e. the band one that is characteristic for low frequency values and the jump one that corresponds to higher frequencies.
4
Content available Własności linii w w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami
Surma B., Wnuk A.
Materiały Elektroniczne
|
2010
|
T. 38, nr 3-4
3-9
PL
W pracy zbadano własności luminescencyjne linii W w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami dawką 1 × 1015 - 3 × 1016n/cm². Średnia energia termicznej dysocjacji defektu odpowiedzialnego za emisję linii W została określona jako E = 52 ± 5 meV. Emisja przy energii 1.018 eV została zinterpretowana jako rekombinacja elektronu i dziury na defekcie, wówczas gdy jedna z cząstek jest związana z defektem energią ˜ 100 meV, a druga z energią ˜ 52 meV. Ten model zgadza się z proponowanym teoretycznym modelem defektu utworzonego przez trzy międzywęzłowe atomy Si, (I3) zakładającym, że defekt I3 jest defektem donorowo-podobnym o poziomie (0/+) leżącym w odległości 0.1 eV od pasma walencyjnego. Określona z wykresu Arrhenius'a energia procesu gaszenia linii W wynosiła 0.3 eV. Po raz pierwszy zaobserwowano w MCz-Si po wygrzaniu w 550 K emisję przy 1.108 eV związaną z obecnością defektu V6. Emisja ta znika po wygrzaniu w temperaturze, w której atomy tlenu stają się mobilne. Sugeruje się, że brak linii przy 1.108 eV w Cz-Si jest wynikiem oddziaływania/pasywacji kompleksu V6 atomami tlenu.
EN
The photoluminescence (PL) technique was applied to study the W line (1.018 eV) features of both MCz-Si and FZ-Si samples irradiated with a neutron dose ranging from 1 × 1O15 to 3 × 1016 n/cm². The average thermal energy of the dissocation, responsible for the emission of the W line was found to be E = (52+/-5) meV. Therefore, we interpret the emission at 1.018 eV as the recombination of an electron and a hole at the defect site when one of the particles is strongly bound to the defect with the energy near to 100 meV. This value coincides with the possible donor-like level (0/+) close to the valence band edge at Ev+0.1 eV, theoretically predicted for the I3 complex. The quenching energy for the W line estimated from Arrhenius plot proved to be 0.3 eV. The line at 1.108 eV related to the V6 complex was observed in MCz for the first time after annealing at 550 K. It disappeared after annealing at a higher temperature when oxygen atoms became mobile. We suggest the lack of this line in Cz-Si is related to the interaction/passivation of the V6 complex with oxygen atoms.
5
Zmiennoprądowe przewodnictwo elektryczne krzemu implantowanego jonami
Węgierek P., Kowalski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 9
100-102
PL
W artykule omówiono mechanizm przewodnictwa elektrycznego krzemu silnie zdefektowanego w wyniku implantacji w temperaturze pokojowej, jonów neonu o energii E = 600 keV i dawce D = 1,2 x10¹5⁵ cm⁻². Badania przeprowadzono na próbkach wygrzewanych izochronicznie w zakresie temperatur 323...873K przy częstotliwościach z przedziału 50 Hz...5 MHz. Analiza wyników badań wykazała, że całkowita konduktywność jest superpozycją dwóch składowych: pasmowej, która dominuje przy niskich częstotliwościach, i skokowej, charakterystycznej dla dużych wartości częstotliwości. Zmiany przewodności są bezpośrednio związane z koncentracją poszczególnych defektów i zależą od temperatur ich wygrzewania.
EN
The article discusses mechanisms of alternating current based electrical conductivity of silicon strongly defected by the implantation of neon ions of the E = 600 keV energy and a dose of D = 1,2 x 10¹⁵ cm⁻², performed at the room temperature. Testing has been performed on samples that have been isochronously annealed within the temperature range from 323 to 873K and at frequencies ranging from 50 Hz to 5 MHz. An analysis of the testing results has shown that total conductivity is a superposition of two components: the band one that dominates at law frequencies and the jump one that is characteristic for high frequency values. Changes of conductivity are related to concentrations of individual defects and depend on temperatures of their annealing.
6
Mechanizm przewodnictwa elektrycznego w arsenku galu implantowanym jonami
Węgierek P., Kowalski M.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2009
|
Vol. 50, nr 9
42-44
PL
W artykule przedstawiono rezultaty badań właściwości elektrycznych arsenku galu zdefektowanego polienergetyczną implantacją jonów H⁺. Dokonano analizy mechanizmu przewodzenia prądu elektryczego wykorzystując zależności częstotliwościowe i temperaturowe przewodności elektrycznej. Na jej podstawie wykazano, że całkowita konduktywność jest superpozycją dwóch składowych: pasmowej, która dominuje przy niskich częstotliwościach, i skokowej, charakterystycznej dla dużych wartości częstotliwości.
EN
The article presents results of testing electric properties of gallium arsenide defected with poly-energy implantation of H⁺ ions. An analysis of electric current conduction mechanism has been performed based on frequency and temperature dependences of electrical conductivity. It has been shown that total conductivity is a superposition of two components: the band one that dominates at low frequencies and the jump one that is characteristic for high frequency values.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.