Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 8

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  defekty punktowe
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
EN
The article presents the results of the study on impact of the distribution, number and type of conglomeration of point defects on the parameters of the acoustic wave passing through the phononic crystal. For the simulation, the method of finite differences in time domain (FDTD) was used. In the paper several types of point defects distribution topology both inside and on the surface of the two-dimensional phononic crystal was examined. In order to suppress waves reflected from the edge of medium PML (Perfectly Matched Layers) algorithm was applied. In the simulation a lossless medium was considered. The study revealed that a small amount of point defects inside the body of phononic crystal has weak effect on the acoustic wave remission, while relatively small number of defects placed on the crystal's surface significantly affected the characteristics of the acoustic wave.
PL
W artykule przedstawiono wyniki badań wpływu rozmieszczenia, liczby oraz typu konglomeracji defektów punktowych na parametry fali akustycznej przechodzącej przez kryształ fononiczny. Do przeprowadzenia symulacji wykorzystano metodę różnic skończonych w domenie czasu (FDTD). W pracy zbadano kilkanaście rodzajów topologii rozmieszczenia defektów punktowych zarówno wewnątrz, jak i na powierzchni dwuwymiarowego kryształu fononicznego. W celu wytłumienia fal odbitych od krawędzi ośrodka zastosowano algorytm PML (Perfectly Matched Layers). W symulacji rozważano ośrodek bezstratny. Badania ujawniły, że niewielka liczba defektów punktowych znajdujących się wewnątrz kryształu fononicznego ma mały wpływ na reemisję fali akustycznej, natomiast relatywnie mała liczba defektów umieszczonych na powierzchni kryształu wpływa istotnie na parametry przechodzącej fali akustycznej.
EN
The conducted studies regarded the analysis of change of structure of point defects occurring during initial stage of recovery of FCC (Al, Cu) and HCP (Ti, Mg and Zn) metals at temperature close to Th =0.5Tm. The changes in resistivity of the deformed and later recovered samples were measured. The recovery time was 1, 2, 3, 4 or 5 min. The observed changes were correlated with reorganization of arrangement of lattice defects during annealing.
PL
Przeprowadzone badania dotyczyły analizy zmian struktury defektów sieciowych, zachodzących w początkowym okresie zdrowienia metali RSC (Al, Cu) oraz HZ (Ti, Mg oraz Zn) w temperaturze zblizonej do T=0.5 Tm. Badano zmiany oporu właściwego odkształconych próbek poddanych zdrowieniu przy czasach 1, 2, 3, 4 lub 5 min. Obserwowane zmiany skorelowano z reorganizacja struktury defektów sieciowych podczas wyżarzania. Uzyskane wyniki pokazały, że w przypadku metali o sieci RSC spadek oporności właściwej w funkcji czasu zdrowienia maleje monotonicznie, co świadczy o postępującej anihilacji defektów strukturalnych. Dla sieci HZ stwierdzono, że zmiany te mają charakter oscylacyjny z minimum występującym po czasie około 1-2 min. Świadczy to o rekonfiguracji defektów sieciowych i tworzeniu się w początkowym stadium zdrowienia złożonych, niestabilnych termodynamicznie struktur (układy wakancji, petle, zarodki dyslokacji), które powodują chwilowy efekt oczyszczenia struktury i w konsekwencji spadek oporu właściwego poniżej poziomu właściwego dla struktury całkowicie poddanej zdrowieniu, charakteryzującej się równowagową koncentracją wakancji.
EN
The influence of isothermal annealing on the magnetisation process in strong magnetic fields of the amorphous Fe61Co10Y8Ni1B20 alloy ribbons was investigated. Samples in the form of ribbons were produced by rapid quenching of liquid alloy on a rotating copper wheel. In order to study the relaxation process, the investigated Fe61Co10Y8Ni1B20 samples were subjected to annealing below the crystallisation temperature at 700 K for 1 h and then at 770 K for 3.5 h. The structure of the samples was examined by X-ray diffraction measurements (XRD). It was found, that all of measured samples in the as-cast state and after thermal treatment, were amorphous. On the basis of virgin magnetisation curve analysis, the type, size and density of structural defects occurring in the investigated samples were determined. It was found that after the first stage of annealing, decay of linear defects (pseudo-dislocation dipoles) into smaller, more thermodynamically stable, point defects occurs. The presence of point like defects was also confirmed after the second stage of annealing.
PL
W pracy badano wpływ izotermicznego wygrzewania na proces magnesowania w silnych polach magnetycznych amorficznego stopu Fe61Co10Y8Ni1B20 w postaci taśmy. Materiał do badań wytworzono metodą szybkiego chłodzenia ciekłego stopu na miedzianym wirującym bębnie. Próbki stopu Fe61Co10Y8Ni1B20 poddano dwukrotnemu wygrzewaniu: 1) w temperaturze 700 K przez 1 godzinę. 2) w temperaturze 770 K przez 3,5 godziny. Strukturę taśm w stanie po zestaleniu i po obróbce termicznej badano za pomocą dyfraktometru rentgenowskiego. Wyniki analizy rentgenowskiej wykazały, że badane taśmy były w pełni amorficzne. Pomiar krzywych M-H wykonano za pomocą magnetometru wibracyjnego. Na podstawie analizy krzywych pierwotnego namagnesowania określono rodzaj, wielkość i gęstość defektów strukturalnych występujących w badanej taśmie. Na ich podstawie stwierdzono, że po pierwszym etapie wygrzewania nastąpił rozpad defektów liniowych (pseudodyslokacyjnych dipoli) na mniejsze bardziej stabilne termodynamicznie defekty punktowe, których obecność stwierdzono również po drugim etapie wygrzewania.
PL
W pracy przedstawiono teoretyczne podstawy oraz weryfikację eksperymentalną nowatorskiej metody określania stężenia i ruchliwości dominujących defektów punktowych w tlenkach i siarczkach metali przejściowych. Istota proponowanej metody sprowadza się do badania struktury defektów i własności transportowych tlenków i siarczków metali na drodze pośredniej, tj. badając wpływ różnowartościowych domieszek na kinetykę powstawania tych związków. Wykazano, że analiza wyników utleniania odpowiednio dobranych stopów dwuskładnikowych pozwala na wyznaczenie entalpii i entropii powstawania i migracji defektów. W oparciu o te dane istnieje możliwość obliczenia stężenie defektów oraz ich ruchliwość w czystych, tzn. niedomieszkowanych materiałach tlenkowych, co przedstawiono na przykładzie niestechiometrycznego tlenku niklu, Ni1-yO.
EN
The theoretical basis and experimental verification of novel method, enabling the calculation of point defect concentration and their mobility in transition metal oxides and sulphides have been presented. The idea of proposed method consists in determination of the defect structure and transport properties of metal oxides and sulphides in indirect way, i.e. in studying the influence of aliovalent metallic additions on the oxidation kinetics of a given metal. It has been shown that from the results of oxidation kinetics of binary alloys, the enthalpy and entropy of defect formation and their migration can be calculated. These data, in turn, can be used for the calculation of defect concentration and defect mobility in pure, undoped oxides. Such a possibility has been illustrated on the example of nonstoichiometric nickel oxide, Ni1-yO.
PL
W celu identyfikacji konfiguracji atomowej radiacyjnych centrów defektowych próbki warstw epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowano elektronami o energii 1,5 MeV. Energię aktywacji termicznej oraz pozorny przekrój czynny na wychwyt nośników ładunku centrów defektowych wyznaczano za pomocą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej DLTS. Określono wpływ temperatury warstwy epitaksjalnej podczas napromieniowania dawką 1 x 1017 cm-2 na koncentrację powstałych pułapek. Na tej podstawie zaproponowano modele opisujące ich konfigurację atomową.
EN
In order to identify the atomic configuration of radiation defect centers the samples of 4H-SiC epitaxial layers were irradiated with 1.5 MeV electrons. The thermal activation energy and the apparent capture cross-section of the charge carriers of the defect centers were determined using deep level transient spectroscopy (DLTS). The influence of the temperature of the epitaxial layer during its irradiation with the electron dose of 1 x 1017 cm-2 on the concentration of generated traps was determined. On this basis, the models of their atomic configuration were proposed.
PL
Druty z technicznie czystego aluminium otrzymane "na zimno" w procesie wyciskania KOBO, podczas rozciągania charakteryzują się trzema rodzajami zachowań: 1 - szybką lokalizacją odkształcenia pogłębiającą się do postaci szyjki, 2 - odkształceniem typu Ludersa, 3 - monotonicznym przebiegiem. Odpowiadają one początkowi, środkowi i końcowi wyrobu. Pytania o powody wystąpienia oraz mechanizm ujawnionego zjawiska Ludersa, stały się inspiracją niniejszego artykułu.
EN
Wires made of technically pure aluminum obtained on the way of extrusion in "cold" conditions with KOBO method are characterized during tensile test by three types of behaviour: 1 - fast deformation localization getting more and more advanced towards a form of bottleneck, 2 - Luders type deformation, 3 - monotonic run. They correspond to the beginning, middle and the end of the product. The questions about the reasons why it is observed and what is the mechanism of revealed Luders phenomenon were the inspiration for making present study.
PL
Metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS) została zastosowana do badania właściwości centrów defektowych w domieszkowanych azotem objętościowych kryształach 6-H SiC, otrzymanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Określono wpływ koncentracji donorów spowodowanych obecnością atomów azotu na koncentrację i parametry głębokich centrów defektowych. Badania uzupełniające, przeprowadzone metodą elektronowego rezonansu spinowego (ESR), potwierdziły różną koncentrację atomów azotu w kryształach 6H-SiC otrzymanych przy różnym cząstkowym ciśnieniu azotu w komorze krystalizacji.
EN
In this paper we report new experimental results, obtained by deep-level transient spectroscopy (DLTS) on electronic properties of defect centres in nitrogen-doped 6H-SiC bulk crystals grown by the physical vapour transport (PVT) technique. In particular, the effect of the net donor concentration on the concentrations of deep-level defects is investigated. Complementary studies were performed by electron spin resonance (ESR) measurements.
EN
The paper is concerned with the problem of electric fatigue in functional materials such as piezoelectric sensors and actuators. The fatigue degrades electromechanical properties with an increasing number of working cycles during which ionic and electronic charge carriers interact with each other within the bulk and on the interfaces of a material. This, in turn, influences local electric and mechanical fields coupled via the piezoelectric effect. It is assumed in the paper that the electric charges (vacancies) can be modelled as point defects, which tend to agglomerate and finally form clusters, especially in the vicinity of electrodes. As a result, the piled up defects affect the distribution of polarisation. To solve the problem quan\-ti\-tatively, the analysed system is discretised with a grid of square cells and then transformed by FFT. Several numerical examples are formulated. Migration of a single defect, attraction of two and clustering of more point defects are thoroughly discussed and illustrated in the paper.
PL
Praca dotyczy zagadnienia zmęczenia elektrycznego materiałów funkcjonalnych, takich jak piezoelektryki używane do wyrobu czujników i elementów wykonawczych. Zmęczenie elektryczne powoduje degradację właściwości elektromechanicznych z rosnącą liczbą przebytych cykli roboczych, w czasie których jonowe ładunki elektryczne lub elektrony oddziaływują ze sobą wewnątrz i na skraju danego materiału. To z kolei wpływa na lokalne pola elektryczne i mechaniczne sprzężone ze sobą efektem piezoelektrycznym. Założono w pracy, że ładunki elektryczne (dziury) będą zamodelowane defektami punktowymi, które mają skłonność do gromadzenia się i tworzenia skupisk, zwłaszcza w pobliżu elektrod. W rezultacie, nagromadzone defekty zmieniają rozkład polaryzacji układu. Do ilościowego rozwiązania zagadnienia zastosowano dyskretyzację badanego układusiecią kwadratowych komórek i następnie przeprowadzono szybką transformatę Fouriera. Obliczenia wykonano na kilku przykładach. Szczegółowo przedyskutowano problem migracji pojedynczego oraz wzajemnego przyciągania dwóch defektów, by wreszcie zilustrować proces tworzenia skupisk przez całe gromady defektów punktowych.
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.