Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2001

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: defekty Si:O

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Obróbka wiązką jonów, trawienie chemiczne i pomiar fotoluminescencji w ujawnianiu defektów w Si:O wygrzanym w warunkach wysokich ciśnień hydrostatycznych

Łasisz S., Łukaszewicz M., Misiuk A., Bryja L.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2001

Vol. 42, nr 7

14-15

Defekty ujawniano na powierzchni mechanicznego szlifu skośnego w próbkach monokrystalicznego krzemu implantowanych jonami O+, a następnie poddanych obróbce termicznej w temperaturze 1130°C w warunkach podwyższonego ciśnienia hydrostatycznego argonu (do 15 kbar). Po selektywnym trawieniu w roztworze Yanga próbki Si:O poddano trawieniu wiązką jonów argonu. Porównano zdjęcia mikroskopowe defektów ujawnionych chemicznie widocznych przed i po trawieniu wiązką jonów. Jako dodatkowy wskaźnik występowania defektów w warstwach implantowanych potraktowano widma fotoluminescencyjne.

Structural deffects were developed on the surface of slant microsection for the specimens of monocrystaline silicon implanted with O+ ions and annealed at the temperature 1130°C under hydrostatic argon pressure up to 15 kbar. After selective chemical etching in Yang solution the speciments were etched with argon ion beam. The influence of ion etching on the relief after selection chemical etching were studed in SEM. Photoluminescence characteristic were treated as suplementary information about the quality of crystallographic structure. The results are presented in table form and illustrated with pictures.