Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: deep-level defects

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Characterization of deep-level defects in GaNAs/GaAs heterostructures grown by APMOVPE

Gelczuk Ł., Dąbrowska-Szata M., Ściana B., Pucicki D., Radziewicz D., Kopalko K., Tłaczała M.

Materials Science Poland

2016

Vol. 34, No. 4

726--734

Conventional deep level transient spectroscopy (DLTS) and high-resolution Laplace DLTS techniques were used to study electrical properties of deep-level defects in dilute GaNAs epitaxial layers grown by atmospheric-pressure metalorganic vapourphase epitaxy (APMOVPE) on the GaAs substrate. Three samples with nitrogen concentrations of 1.2 %, 1.6 % and 2.7 % were investigated. In DLTS and LDLTS spectra of the samples, four predominant electron traps were observed. On the basis of the obtained electrical parameters and previously published results, one of the traps was associated with N-related complex defects, while the other traps with common GaAs-like native defects and impurities, called EL6, EL3 and EL2.

Spektroskopia pojemnościowa głębokich poziomów defektowych (DLTS) w diodach Schottkyego z węglika krzemu (4H-SiC) implantowanych jonami

Gielczuk Ł., Dąbrowska-Szata M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 2

12-15

W pracy przedstawiono wyniki badań elektrycznie aktywnych głębokich poziomów defektów wykrytych w diodach Schottky'ego na bazie 4H-SiC typu n, implantowanych jonami Al*, za pomocą metody niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS). W badanych strukturach wykryto obecność pięciu głębokich pułapek elektronowych i wyznaczono ich charakterystyczne parametry elektryczne, takie jak: energia termicznej aktywacji, przekrój czynny na wychwyt nośników i koncentracja. Nie zaobserwowano natomiast żadnych pułapek dziurawych, związanych z implantacją jonami i wygrzewaniem poimplantacyjnym. Dominujący pik sygnału DLTS przypisano obecności głębokiego centrum Z1/Z2, podstawowego rodzimego defektu występującego w strukturze SiC, ograniczającego potencjalne zastosowanie tego materiału w przyrządach dużej mocy.

In the paper, DLTS study of electrically active deep-level defects revealed in the n-type and ion implanted 4H-SiC Schottky diodes was presented. In the investigated structures, five majority deep-level electron traps were revealed and their fundamental parameters, such as thermal activation energy, capture cross section and trap concentration were determined. Any minority hole traps were not observed, as it was expected after ion implantation and post-implantation annealing processes. The dominant broad peak E4/E5 was attributed to the Z1/Z2 deep-level defect, i.e. primary intrinsic defect in SiC structures, which is known to limit considerably common applications of these structures in high-power devices.