Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: deep traps

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Some novel features of post-500°C heating blue stimulated OSL emission of fired natural quartz

Koul D. K., Soni A., Datta D.

Geochronometria

2017

Vol. 44, no. 1

287--298

In this study, some novel features of the post 500°C blue stimulated optically stimulated luminescence (OSL) of fired geological quartz are reported. Different observations (i) pulse annealing and (ii) impact of bleaching on high temperature TL glow peak suggested 510°C (heating rate of 2°C/s) TL peak trap to be responsible for the observed emission. The dosimetric properties of this emission were seen to make its applicability for dose assessment till kGy range. The signal was seen to be easily bleachable, reaching background value within 100 s with blue light at 125°C. The signal qualified all the tests (i) reproducibility, (ii) negligible recuperation and (iii) accuracy of dose recovery needed for reliable assessment of the radiation dose with modified Single aliquot regenerative (SAR) protocol. Considering the bleachability and high dynamic dose range of this signal, it has the potential to stretch the upper dose limit of dating by one order of magnitude than possible with conventional OSL, corresponding to 325°C TL trap. So, combining all the results, the signal reported here could be very useful for dosimetric applications involving measurement of high radiation dose, like dating.

Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

Materiały Elektroniczne

2013

T. 41, nr 1

3--9

W celu identyfikacji konfiguracji atomowej radiacyjnych centrów defektowych próbki warstw epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowano elektronami o energii 1,5 MeV. Energię aktywacji termicznej oraz pozorny przekrój czynny na wychwyt nośników ładunku centrów defektowych wyznaczano za pomocą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej DLTS. Określono wpływ temperatury warstwy epitaksjalnej podczas napromieniowania dawką 1 x 1017 cm-2 na koncentrację powstałych pułapek. Na tej podstawie zaproponowano modele opisujące ich konfigurację atomową.

In order to identify the atomic configuration of radiation defect centers the samples of 4H-SiC epitaxial layers were irradiated with 1.5 MeV electrons. The thermal activation energy and the apparent capture cross-section of the charge carriers of the defect centers were determined using deep level transient spectroscopy (DLTS). The influence of the temperature of the epitaxial layer during its irradiation with the electron dose of 1 x 1017 cm-2 on the concentration of generated traps was determined. On this basis, the models of their atomic configuration were proposed.