Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky'ego 4H-SiC

Zaremba G., Jung W., Kamińska E., Borysiewicz M., Korwin-Mikke K., Adamus Z.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2011

|

Vol. 52, nr 9

106-109

PL

W pracy przedyskutowano wpływ defektów o głębokich poziomach na wysokość bariery w diodzie Schottky'ego 4H-SIC. Defekty scharakteryzowano przy pomocy niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS) w rożnych modach. Wyniki pomiarów DLTS zestawiono ze zmierzonymi charakterystykami prądowo-napięciowymi (I-V) oraz rezultatami numerycznej symulacji wpływu koncentracji dominującego defektu na wysokość bariery Schottky'ego. Na potrzeby symulacji wykorzystano zależności na wysokość bariery Schottky'ego z modelu Cowley-Sze. Na podstawie wyników pomiarów oraz symulacji stwierdzono, ze koncentracja dominującego defektu jest zbyt mała aby miała ona znaczący wpływ na wysokości bariery, a różnice w koncentracji tego defektu w poszczególnych strukturach nie tłumaczą, rozrzutu charakterystyk I-V.

EN

This work presents discussion about influence of deep level defects on barrier height of 4H-SiC Schottky diode. Defects were characterized by mean of deep level transient spectroscopy (DLTS) in different modes. Results of DLTS measurements were confronted with measured current-voltage (I-V) characteristics and results of numerical simulation of influence of deep level concentration on Schottky barrier height. Equation for barrier height, from Cowley-Sze model was used as a base for calculation. It seems from results of measurements and simulation that concentration of dominant defect is too small to have significant influence on barrier height. Additionally, differences in concentration of dominant defect in different structures. do not explain spread in measured I-V characteristics.

2

Modification of energy bandgap in lattice mismatched InGaAs/GaAs heterostructures

Gelczuk Ł., Dąbrowska-Szata

Optica Applicata

|

2009

|

Vol. 39, nr 4

845-852

EN

This paper addresses some physical aspects and presents experimental results concerning to phenomena which evoke modification of band structure in lattice mismatched InGaAs/GaAs heterostructures, namely the introduction of extra deep-lying energy levels in the bandgap. The deep level transient spectroscopy reveals commonly observed deep level defects in GaAs-based structures associated with native point defects as well as misfit dislocations related to strain relaxation processes.

3

Badanie głębokich poziomów domieszkowych w strukturach AIIIBV metodą niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów (DLTS)

Gelczuk Ł., Dąbrowska-Szata M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2003

|

Vol. 44, nr 10

3-8

PL

W pracy omówiono właściwości elektronowe i podstawowe parametry głębokich poziomów defektowych. Przedstawiono główne założenia metody lock-in DLTS i jej zastosowania do wyznaczania charakterystycznych parametrów głębokich poziomów. Omówiono podstawowe podzespoły stanowiska pomiarowego. Przedstawiono wyniki pomiarów sygnału DLTS w funkcji temperatury w strukturach n-GaAs z warstwą epitaksjalną. Wyznaczono energie aktywacji i przekroje czynne na wychwyt nośników. Zidentyfikowano wykryte poziomy pułapkowe.

EN

In this paper, the electron-properties and fundamental parameters of deep level defects have been discussed. The main assumptions of loc-k-in DLTS technipue and its application to determination of characteristic parameters of deep levels have been described. The basics components of the DLTS set up have been discussed. The results of temperature scan mode for DLTS signal measurements in n type GaAs structures with an epitaxial layer have been presented. The activation energies and the capture cross sections have been also determined. Ali the detected deep level traps have been identified.