Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: czułość detektora

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Ocena możliwości zastosowania wybranych technik przetwarzania sygnałów do badań parametrów detektorów promieniowania optycznego

Panek M., Chojnowski S., Mikołajczyk J., Wojtas J.

Przegląd Elektrotechniczny

2017

R. 93, nr 10

87--90

W układach detekcji promieniowania optycznego jednym z ważniejszych parametrów zarazem sporadycznie podawanym przez producentów jest zakres liniowej pracy detektora. W pracy przeprowadzono analizę możliwości zastosowania w tych badaniach wybranych technik przetwarzania i analizy sygnału. Przedstawiono wyniki symulacji komputerowych oraz omówiono koncepcję oraz wstępne testy stanowiska laboratoryjnego do pomiaru nieliniowości odpowiedzi detektorów promieniowania optycznego.

In optical detection systems, one of the most important features and rarely given by the manufacturers is detector non-linearity. The paper presents analysis of some signal processing and signal analysis to determine this parameter. The results of computer simulations and preliminary operation of non-linearity test lab-setup are also discussed.

Nierównowagowe, chłodzone termoelektrycznie fotodiody z InAs₁₋xSbx

Jóźwikowski K., Larkowski W., Jóźwikowska A.

Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej

2000

Vol. 49, nr 2

41-52

W pracy obliczono numerycznie parametry użytkowe fotodiod z InAs₁₋xSbx, w których wykorzystano zjawiska nierównowagowe zachodzące w otoczeniu skokowych złącz p-n i l-h. Pokazano, że stosując heterostrukturę można zwiększyć czułość napięciową fotodiody na skutek zwiększenia rezystancji dynamicznej. Z obliczeń wynika, że stosunkowo niewielka polaryzacja fotodiod w kierunku zaporowym powoduje znaczący wzrost ich rezystancji dynamicznej i w mniejszym stopniu zwiększenie wydajności kwantowej. Obliczenia przeprowadzono dla fotodiod na zakres widmowy 3 ÷ 5,5 μm pracujących w temperaturze 230 K.

In InAs₁₋xSbx photodiode parameters have been numerically determined. Nonequilibrium effects occurring in the vicinity of p-n and l-h abrupt junctions were included. It was found that using a heterostructure the voltage responsivity of the photodiode can be enhanced. The dynamical resistance increase was responsible for that. From the calculations it follows that the respective small polarization of the photodiode in the reverse direction causes a significant increase in the dynamical resistance but there was found the increase in the quantum yield to be smaller. The calculation was carried out for photodiodes designed for 3 to 5.5 μm spectral range at temperature 230 K.