Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Obrazowanie obszarów implantowanych w materiałach półprzewodnikowych z wykorzystaniem nieniszczącej techniki radiometrii w podczerwieni

Chrobak Ł., Maliński M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 8

92--94

PL

W artykule przedstawione zostały zagadnienia dotyczące możliwości wykorzystania nieniszczącej techniki radiometrii w podczerwieni PTR (PhotoThermal Radiometry) do wizualizacji obszarów implantowanych w krzemie. Przedstawiony został szczegółowy opis zrealizowanego stanowiska eksperymentalnego. Zaprezentowano przykładowe wyniki badań, w formie mapy, rozkładu oraz przekroju amplitudy i fazy sygnału PTR, uzyskanych dla zbadanej implantowanej próbki krzemowej.

EN

This paper presents issues connected with possibilities of the usage of the nondestructive infrared photothermal radiometry technique PTR (PhotoThermal Radiometry) for visualization of the implanted areas in silicon. Detailed description of the realized experimental set-up has been presented. Example results in the form of the maps and profiles of the amplitude and phase of the PTR signal obtained for the investigated sample have been presented.

2

Experimental investigations of the dependence of the lifetime of the optically generated minority carriers in n-type silicon on the intensity of its illumination

Bychto L., Maliński M.

Przegląd Elektrotechniczny

|

2017

|

R. 93, nr 8

35--38

EN

This paper presents experimental and theoretical dependences of the lifetime of minority carriers in n-type silicon on the intensity of its illumination. The experimental characteristics have been interpreted theoretically in the frame of Shockley Read Hall (SRH) statistics. The lifetimes of minority carriers for a low intensity of illumination were measured with the Surface Photovoltage (SPV) method while for the high intensity a Modulated Free Carrier Absorption (MFCA) method was applied. The obtained results clearly show that the experimentally obtained lifetimes of carriers can be compared only for the same conditions of illumination of the sample.

PL

Praca przedstawia doświadczalne i teoretyczne zależności czasu życia nośników mniejszościowych w krzemie typu n od natężenia światła. Charakterystyki doświadczalne zostały zinterpretowane teoretycznie w modelu Shockley Read Hall (SRH). Czasy życia nośników dla małych natężeń światła oświetlajacch próbkębyły mierzone metodą SPV podczas gdy dla dużych natężeń światła wykorzystano metodę Modulacji Absorpcji Światła na Swobodnych Nośnikach (MFCA). Uzyskane rezutaty jasno pokazują, że czasy życia uzyskane eksperymentalnie mogą być porównywane tylko dla tych samych warunków oświetlanie próbek.

3

Zastosowanie zjawiska modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych do nieniszczących badań materiałów półprzewodnikowych

Chrobak Ł., Maliński M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2012

|

Vol. 53, nr 12

110-113

PL

W pracy przedstawiono rozważania teoretyczne i wyniki eksperymentalne badań parametrów rekombinacyjnych materiałów krzemowych z wykorzystaniem techniki MFCA. Wykorzystana technika badawcza bazuje na zjawisku modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych.

EN

This paper presents theoretical and experimental results of investigations of the recombination parameters of the silicon materials with the MFCA method. The applied technique is based on the phenomenon of the modulated free carriers absorption.

4

Charakteryzacja materiałów i struktur ogniw słonecznych techniką podczerwieni

Piotrowski T., Malyutenko V. K., Lipiński M., Pochrybniak C.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 5

77-82

PL

Przedstawiono rezultaty badań ogniw słonecznych oraz krzemowych mono i multikrystalicznych płytek krzemowych wykorzystujących techniki detekcji promieniowania podczerwonego w zakresie długości fal 3-6 i 8-12 µm. Termowizyjna technika była zastosowana do wizualizacji charakterystycznych parametrów określających jakość materiałów i gotowych przyrządów. Przestrzenne rozkłady efektywnego czasu życia nośników ładunku otrzymane metodą termowizyjną konfrontowano z rezultatami uzyskanymi metodą pomiaru zaniku fotoprzewodnictwa z detekcją mikrofalową. Pokazano możliwości wykorzystania termowizyjnej techniki do ujawniania miejsc upływności złączy i rozkładu rezystancji szeregowej w ogniwach słonecznych.

EN

Solar cells and silicon mono and multicrystalline wafers were examined by technique of infrared radiation detection in the wavelength ranges of 3-6 and 6-12 µm. The thermovision technique was applied for visualisation of specific parameters that determine the quality of materials and final devices. Spatial distributions of effective carrier lifetime determined by thermovision method were correlated with results of photoconductivity decay measurements with microwave detection. Applicability of thermovision technique for delineation of junction leakage spots and distribution of series resistance in solar cells was shown.