Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: częstotliwość mikrofalowa

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Systemy mikroelektromechaniczne - MEMS w bezprzewodowych systemach komunikacyjnych

Dobrowolski J.

Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne

2002

nr 3

152-161

Przedstawiono aktualny stan techniki MEMS w zastosowaniu do realizacji scalonych systemów nadawczych i odbiorczych na zakres częstotliwości radiowych i mikrofalowych. Omówiono budowę i właściwości takich elementów MEMS, jak: kondensatory o zmiennej pojemności, spiralne cewki planarne o dużej dobroci, specjalne linie transmisyjne o małych stratach i małej dyspersji częstotliwościowej, przełączniki sygnałów w. cz. oraz mikrorezonatory i filtry. Przedyskutowano nowe architektury scalonych półprzewodnikowych systemów nadawczo-odbiorczych wykorzystywanych w komunikacji bezprzewodowej.

The paper provides a present day state of the art. of MEMS techniques applied in transceiver systems realized as semiconductor integrated circuits for wireless RF and microwave communication. Among the specific MEMS devices described are variable capacitors, high Q spiral planar inductors, micromachined transmission lines with low losses and low dispersion, low-loss micromachined rf switches, microscale vibrating electromechanical resonators and band-pass filters. There are discussed also new architectures of integrated receivers and transmitters utilized in wireless communication systems.

Amorphous a-C:N:H layers formation by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition.

Dul K., Łagosz I., Jonas S., Ptak W.

Inżynieria Materiałowa

2001

R. XXII, nr 4

296-298

Amorphous a-C:N:H layers were deposited at room temperature on (100) silicon, quartz glass, steel substrates by RFCVD (radio frequency chemical vapour deposition) and MWCVD (microwave chemical vapour deposition). A gas mixture of methane, nitrogen and argon is used as the reactive gas. The films have been characterised by XPS, FTIR.

Amorficzne warstwy a:C:N:H na (100) krzemie, kwarcowym szkle i stali otrzymano w pokojowej temperaturze metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganej plazmą o częstotliwości radiowej oraz mikrofalowej. Jako reagenty stosowano mieszaninę metanu, azotu i argonu. Skład chemiczny i strukturę warstw badano rentgenowską spektoskopią fotoelektronów (XPS) i fourierowską spektroskopią w podczerwieni (FTIR).