Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Planarne polowe źródło elektronów

Grzebyk T., Górecka-Drzazga A.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 6

108-110

PL

W pracy przedstawiono konstrukcję i technologię planarnego, polowego źródła elektronów. Planarny emiter polowy został fotolitograficznie uformowany z cienkiej warstwy złota naniesionej na utlenione podłoże krzemowe. Pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych wykazały, że źródło elektronów w konfiguracji diodowej charakteryzuje się niskim napięciem progowym emisji i dużym prądem. Uzyskane wyniki pozwolą w przyszłości na zastosowanie opracowanego źródła elektronów w miniaturowych urządzeniach próżniowych typu MEMS.

EN

In the paper a construction and technology of the lateral, field-emission electron source are presented. Lateral nanoemitter is made from a thin gold layer, which has been deposited onto oxidized silicon wafer and photolitographically patterned. The obtained diode type structures were tested in oil-free vacuum chamber under the pressure of 2·10 ⁻³ Pa. Measurements of the current-voltage curves showed that the source has a Iow threshold voltage of field-emission (about 15 V) and high emission current (about 1 mAfor 100 V). In future, the presented results allow integration of the lateral field-emission source with miniature MEMS type vacuum devices.

2

Pomiary charakterystyki prądowo-napięciowej nanodrutów

Wawrzyniak M.

Pomiary Automatyka Kontrola

|

2007

|

R. 53, nr 9 bis

89--92

PL

W artykule opisano sposób pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych nanodrutów z QPC (ang. Quantum Point Contact). Do pomiarów wykorzystano system pomiarowy umożliwiający formowanie nanodrutów z QPC pomiędzy powierzchnią próbki metalu i wierzchołkiem metalowego ostrza oraz pomiar sygnałów analogowych, na podstawie których wyznaczana jest charakterystyka prądowo-napięciowa. W artykule przedstawiono schemat blokowy systemu pomiarowego i opisano sposób jego działania. Zaproponowano metodę wyznaczania charakterystyki prądowo-napięciowej dla zadanej wartości przewodności nanodrutu. System pomiarowy jest sterowany z komputera osobistego za pomocą interfejsu GPIB. Umożliwia to automatyzacje procesu formowania nanodrutów, pomiaru i rejestracji sygnałów napięciowych. Ponadto w artykule przedstawiono przykładowe wyniki pomiarów charakterystyk prądowo-napięciowych nanodrutów.

EN

We present a method of current-voltage measurements of nanowires with quantum point contact (QPC). The used experimental setup allows fabrication of nanowires with QPC between the surface of a metal sample and a metal tip, and measurements of analog signals that provide the basis for tracing the current-voltage curve. The experimental setup is shown in a block diagram, and its operation discussed. In the proposed method current-voltage measurements are preformed at a fixed value of nanowire conductance. The setup is controlled from a PC through the GPIB interface, which allows automation of nanowire fabrication, voltage signal measurements and data storage. Sample measurement results are presented as well.

3

Probe capacitance-dependent systematic error in I-V measurements of nanowires: analysis and correction

Wawrzyniak M.

Metrology and Measurement Systems

|

2007

|

Vol. 14, nr 3

391-408

EN

We propose a method of eliminating the systematic error due to the capacitance of digital oscilloscope probes in the experimental setup used for tracing current-voltage (I-V) curves of nanowires with quantum point contact (QPC). Used in I-V measurements, a digital storage oscilloscope (DSO) allows a reduction of measurement time to microseconds. Such short measurement time, however, involves a sensible effect of transition states occurring in an experimental setup representing an RC circuit. We analyze the effect of probe capacitance on the signal reading and on the resulting I-V curves, and derive theoretical formulae for the probe capacitance-dependent systematic error on the basis of a model proposed for the discussed measurement method. The systematic error is evidenced by nonlinearity of the obtained current-voltage curve, its shift with respect to the origin of the coordinate system, and an extension of the measurement range. We propose a correction method based on the derived theoretical relations that allow to calculate the corrections to be applied. The presented results of I-V measurements of nanowires with QPC confirm the correctness of our model and the efiectiveness of the method proposed.