Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: crystalline silicon solar cell

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Investigations of electrical and optical properties of functional TCO thin films

Domaradzki J., Kaczmarek D., Drabczyk K., Panek P.

Materials Science Poland

2015

Vol. 33, No. 2

363--368

Transparent conducting oxide (TCO) films of indium-tin-oxide were evaporated on the surface of silicon wafers after phosphorous diffusion and on the reference glass substrates. The influence of deposition process parameters (electron beam current, oxygen flow and the substrate temperature) on optical and electrical properties of evaporated thin films were investigated by means of resistivity measurements and optical spectrophotometry. The performance of prepared thin films was judged by calculated figure of merit and the best result was obtained for the sample deposited on the substrate heated to the 100 degrees C and then removed from the deposition chamber and annealed in an air for 5 minutes at 400 degrees C. Refractive index and extinction coefficient were evaluated based on measured transmission spectra and used for designing of antireflection coating for solar cell. The obtained results showed that prepared TCO thin films are promising as a part of counter electrode in crystalline silicon solar cell construction.

The influence of surface texture and temperature deposition of TiO2 layer on crystalline silicon solar cells parameters

Panek P., Drabczyk K., Czternastek H., Kusior E., Zięba P., Bełtowska-Lehman E.

Archives of Metallurgy and Materials

2008

Vol. 53, iss. 1

103-106

In the present work, the investigation of the titanium dioxide (TiO2) thin layer as an antireflection coating for silicon solar cells are presented. The TiO 2 layers were obtained by the chemical vapour deposition method using tetracthylorthotitanat (C2H5 O)Ti at temperatures of the silicon wafers in the range from 150°C to 400°C. It has been established that all of the obtained TiO 2 layers contain anatase phase embedded in the amorphous background. A progress of the crystallization process with the increasing temperature of the substrate during the deposition has been observed. The change in opto-electronic parameters of silicon solar cells as a function of the deposition temperature of the antireflection coating has been discussed, taking into account the evolution of the crystallographic structure.

Praca przedstawia wyniki badań poświęconych zastosowaniu cienkich warstw TiO2 jako powłok antyrefleksyjnych dla krzemowych ogniw słonecznych. Warstwy TiO2 wytwarzano metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD) ze irOdla ortotytanianutetraetylu (C 2H5 O)Ti w zakresie temperatur płytek krzemowych od 150°C do 400°C. Stwierdzono, że wszystkie otrzymane warstwy TiO2 charakteryzowały się amorficzną strukturą z wbudowaną fazą anatazu. Zaobserwowano zwiększenie udziału fazy krystalicznej ze wzrostem temperatury krzemowego podłoża. Określono i przedyskutowano zmiany wartości parametrów opto-elektronicznych krzemowych ogniw słonecznych w funkcji temperatury osadzania warstw antyrefleksyjnych Ti02.