Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 2001

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: continuous layers

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Preparation of highly transparent and uniform in thickness CVD layers of Si3N4 on dielectric substrates.

Kwatera A., Sawka A.

Inżynieria Materiałowa

2001

R. XXII, nr 4

521-523

Highly transparent and uniform in thickness Si3N4 layers were synthesized on the inner surfaces of the quartz glass tubes by the CVD method using SiH4 (3% by volume) with N2 and pure ammonia (NH3) gas mixtures. Argon (Ar) was used as a carrier gas. These layers were deposited in the temperature range of 850-1000 degrees centigrade. The value of Grx/square Rex criterion was below 0,15. Experiments in CsClvap at 1100 degrees centigrade for 2 h showed that continuous Si3N4 layers protect quartz glass substrate against caesium diffusion into its surface.

Mało zróżnicowane w grubości oraz charakteryzujące się wysoką przeświecalnością warstwy Si3N4 syntezowano na szkle kwarcowym metodą CVD. Jako reagenty stosowano SiH4 z N2 oraz czysty NH3, zaś jako gazu nośnego użyto argonu (Ar). Warstwy te osadzano w temperaturach 850-1000 stopni Celsjusza. Wartość rozwiniętego kryterium Grx/Rex do kwadratu wynosiła mniej niż 0,15. Otrzymane warstwy testowano w parach CsCl2 w temperaturze 1100 stopni Celsjusza przez 2 h. Test ten wykazał, że ciągłe warstwy Si3N4 chronią powierzchnię szkła kwarcowego przez dyfuzję do niej cezu.