Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2014

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: computer program PC-1D

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Wpływ tylnej warstwy typu p+ na parametry ogniwa słonecznego na bazie krzemu typu p na podstawie obliczeń wykonanych programem komputerowym PC-1D

Panek P., Drabczyk K., Socha R. P., Zięba P.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2014

Vol. 55, nr 8

67-69

W pracy przedstawiono wyniki obliczeń dokonanych programem komputerowym PC-1D, dotyczące wpływu dodatkowej warstwy p+ na parametry ogniwa słonecznego na bazie krzemu krystalicznego typu p. Do obliczeń użyto parametrów o typowych wartościach charakteryzujących wytwarzane przemysłowo ogniwa słoneczne. Jak wynika z uzyskanych zależności, zlokalizowana na tylnej stronie ogniwa dodatkowa warstwa typu p+ wpływa przede wszystkim na wzrost jego wartości napięcia obwodu otwartego, co ma szczególne znaczenie dla ogniw o grubości poniżej 250 μm. Dla ogniwa na bazie krzemu typu p o rezystywności 1 Ωcm domieszka tylnego obszaru bazy powinna wynosić 1x1019atom/cm3. Alternatywą dla tej dodatkowej warstwy p+ jest warstwa pasywująca na tylnej stronie ogniwa, redukująca prędkość rekombinacji powierzchniowej poniżej 500 cm/s.

This paper reports the results of computer simulations with the use of PC-1D program that concern an influence of the additional p+ layer on the parameters of a solar cell based on the Si p-type. We intend to base our calculation on the use of parameters relevant for industrial solar cells. According to the obtained results, an additional layer of p+ type, located on the rear side of the cell, specifically effects an increase of the open circuit voltage, which is particularly important for the cells with a thickness lower than 250 microns. In the cell fabricated on the p-type silicon with the resistivity of 1 Ωcm, admixture of the rear area of the base should be on the level of 1x1019 cm -3. An alternative to this additional p+ layer is a rear side passivation coating that reduces surface recombination velocity to less than 500 cm/s.