Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Archives of Metallurgy and Materials

1 2015

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: composite layers Al2O3-C/Al2O3

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Model Research On Deposition Of Pure Aluminium Oxide Layers By MOCVD Method

Sawka A., Kwatera A.

Archives of Metallurgy and Materials

2015

Vol. 60, iss. 2A

1121--1124

The purpose of this research is to develop an optimal method for synthesizing of nanocrystalline Al2O3 monolayers at high growth rates on cemented carbides coated with an intermediate layer of pre- Al2O3-C (composite layers Al2O3-C/ Al2O3). The use of quartz glass substrate allows for obtaining information about the quality of the layers such the thickness and density, because of its high transparency. The Al2O3 layers that do not containing carbon were synthesized on quartz glass by MOCVD using aluminum acetylacetonate and air as the reactants at temperatures of 700-1000°C. Argon was also a carrier gas. The resulting layers were transparent, as homogeneous nucleation did not occur during the synthesis process. The layers synthesized at lower temperatures were subjected to a crystallization process at temperatures above 900°C. The crystallization process was studied as a function of time and temperature. The obtained layers were characterized by their nanocrystalline microstructure.

Celem badań jest opracowanie metody otrzymywania nanokrystalicznych monowarstw Al2O3 z dużą szybkością wzrostu na węglikach spiekanych pokrywanych warstwą pośrednią Al2O3-C (warstwy kompozytowe Al2O3-C/ Al2O3). Użycie podłoży ze szkła kwarcowego z uwagi na jego przezroczystość pozwoli uzyskać informacje dotyczące jakości otrzymanych warstw, np.: ich grubości, gęstości. Warstwy Al2O3 nie zawierające węgla syntezowano na szkle kwarcowym metodą MOCVD z użyciem acetyloacetonianu glinu oraz powietrza jako reagentów w temperaturach 700-1000°C. Gazem nośnym był argon, a także powietrze. Otrzymane warstwy były przezroczyste, co świadczyło o tym, że w trakcie wzrostu warstw nie występował proces nukleacji homogenicznej. Warstwy syntezowane w niższych temperaturach były poddawane krystalizacji w temperaturach powyżej 900°C. Badano przebieg procesu krystalizacji w funkcji czasu i temperatury. Otrzymane warstwy charakteryzowały się nanokrystaliczną budową.