Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: compact thermal model

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Modelling thermal properties of large LED modules

Ptak Przemysław, Górecki Krzysztof, Dziurdzia Barbara

Materials Science Poland

2019

Vol. 37, No. 4

628--638

In this paper a problem of modelling thermal properties of large LED modules is considered. The compact thermal model of such modules is proposed. The form of this model is presented and a method of parameters estimation is described. The practical usefulness of this model is verified experimentally by comparing the results of calculations and measurements of internal temperature of selected LEDs included in LED modules. The modules were fabricated by Fideltronic, Poland and measurements of temperature distribution on the surface of the modules at selected variants of power dissipation were performed at the Gdynia Maritime University. Good agreement between the results of measurements and modelling was obtained.

Zależność parametrów modelu przejściowej impedancji termicznej tranzystora MOS mocy od konstrukcji układu chłodzenia

Bisewski D., Górecki K., Zarębski J.

Przegląd Elektrotechniczny

2015

R. 91, nr 4

139--143

W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych, ilustrujących wpływ takich czynników jak wielkość pól lutowniczych, powierzchnia miedzi na płytce drukowanej oraz zastosowanie wodnego systemu chłodzenia na parametry modelu przejściowej impedancji termicznej Zth(t) tranzystora MOS mocy. Pomiary Zth(t) wykonano pośrednią metodą elektryczną, a wartości parametrów jej modelu wyznaczono przy wykorzystaniu autorskiego algorytmu. W oparciu o uzyskane wyniki badań wskazano zależność między konstrukcją układu chłodzenia a parametrami modelu cieplnego tego elementu.

The paper presents the results of experimental studies that illustrate the influence of the selected factors, i.e. the size of soldering pads, the PCB copper area as well as the use of aqueous cooling system on the transient thermal impedance model parameters of MOSFET. Measurements of thermal parameters were performed using the indirect electrical method. Parameters of the transient thermal impedance model were calculated using the estimation procedure elaborated by the authors. The obtained results show an influence of the system cooling parameters on the thermal model parameters of the semiconductor device.