Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

2 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2 Modzelewski J.

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: class-C amplifier

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Drgania pasożytnicze poniżej częstotliwości roboczej w rezonansowych wzmacniaczach mocy z obwodem wyjściowym typu π1a

Modzelewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 4

28-31

Typowym czwórnikiem stosowanym jako obwód wyjściowy w tranzystorowych rezonansowych wzmacniaczach mocy w. cz. jest obwód typu π1. Zapewnia on niski poziom harmonicznych w sygnale wyjściowym oraz możliwość dopasowania obciążenia o rezystancji mniejszej, równej albo większej od rezystancji wymaganej przez tranzystor. Obwód π1 jest często stosowany w zmodyfikowanej wersji z dodatkowym kondensatorem włączonym szeregowo z cewką w celu zredukowania jej reaktancji, nazywanym obwodem π1a. We wzmacniaczach z takim obwodem mogą powstawać drgania pasożytnicze na częstotliwościach poniżej częstotliwości roboczej. W artykule wykazano, że takie drgania są powodowane przez rezonans między indukcyjnością dławika w obwodzie zasilania a pojemnością wejściową obwodu π1a. Wykazano również, że drgania te mogą być usunięte, jeśli zamiast indukcyjnego dławika w. cz. zastosujemy dławik rezonansowy dostrojony do częstotliwości roboczej.

A typical network used as the output reactive filter in high-frequency transistor tuned power amplifiers is the π1 resonant circuit. It ensures low harmonic distortions in the output signal and can match the load the resistance of which is lower, equal or higher than the optimum value required by the transistor. The π1 resonant circuit is often used in a modified version with the additional capacitor connected in series with the coil to reduce its reactance (so-called π1a circuit). In amplifiers with the π1a circuit parasitic oscillations are often generated at the frequencies below the operating frequency. In the paper there is shown that the parasitic oscillations are caused by the high-quality-factor resonance between the inductance of the DC supply RF choke and the input capacitance of the π1a circuit. It was also proven that these oscillations can be eliminated if the inductive RF choke is replaced by the resonant choke tuned to the operating frequency.

Uproszczona metoda projektowania rezonansowych wzmacniaczy mocy wielkiej częstotliwości z tranzystorami MOSFET

Modzelewski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2007

Vol. 48, nr 11

51-53

Przedstawiono metodę projektowania wzmacniaczy mocy wielkiej częstotliwości klasy A, AB, B i C opartą na uproszczonym modelu tranzystora mocy MOSFET. Model ten składa się z charakterystyki statycznej tranzystora ID (UGS', UDS) i jego pojemności międzyelektrodowych, przy czym pojemności te traktowane są jako elementy wejściowego i wyjściowego obwodu rezonansowego wzmacniacza. Jeśli wzmacniacz nie jest przewzbudzony, wówczas tranzystor MOSFET może być opisany pojedynczą statyczną charakterystyką przejściową lD (UGS). Dla dwuodcinkowo-liniowej aproksymacji charakterystyki lD (UGS) wartość szczytową prądu drenu, rezystancję obciążenia i sprawność energetyczną wzmacniacza można wyrazić wzorami w funkcji mocy wyjściowej, napięcia zasilania, kąta przepływu prądu drenu i rezystancji tranzystora w stanie włączenia.

A method for design of h. f. resonant Class A, AB, B, C power amplifiers based on the simplified model of MOSFET power transistors is presented. This model consists of the static characteristic lD (UGS', UDS) and inter-electrode capacitances which are included in the input and output resonant circuits of the amplifier. If the amplifier is not overdriven then the MOSFET transistor can be described by the single transfer static characteristic ID (UGS). For the two-piece linear approximation of the characteristics lD (UGS) the peak value of the drain current, the load resistance, and the efficiency of the amplifier can be expressed by formulas as functions of the output power, the supply voltage, the drain-current conduction angle, and on-resistance of the transistor.