PL
 |
EN
Preferencje help
Polish version English version Język
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników

Znaleziono wyników: 6

Liczba wyników na stronie
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
Wyniki wyszukiwania
Wyszukiwano:
w słowach kluczowych:  class AB
help Sortuj według:

help Ogranicz wyniki do:
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
1
Szerokopasmowe transformatorowe wzmacniacze mocy klasy AB na zakres fal krótkich i UKF
Modzelewski J., Bartosik A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2015
|
Vol. 56, nr 7
52-58
PL
Głównym problemem przy projektowaniu, budowie i uruchamianiu liniowych szerokopasmowych przeciwsobnych wzmacniaczy na zakres fal krótkich i UKF są obwód wejściowy i obwód wyjściowy realizujące dopasowanie impedancji i symetryzację/desymetryzację obciążenia. Transformatory z magnetycznym sprzężeniem uzwojeń mogą być używane jedynie do kilku MHz, ponieważ pojemności pasożytnicze pomiędzy uzwojeniem pierwotnym i wtórnym powodują asymetrię napięć między każdym z zacisków symetrycznego wejścia (wyjścia) a ziemią. Dla większych częstotliwości muszą być używane transformatory z dopasowaną linia transmisyjną. Niestety transformator wyjściowy wzmacniacza przeciwsobnego wymaga co najmniej dwóch elementarnych transformatorów z taką linią o przekładni 1:1. Dodatkowo konieczne są dwa kondensatory sprzęgające o dużej dobroci, przystosowane do dużych prądów w zakresie w. cz. Przedstawiono doświadczalny liniowy przeciwsobny wzmacniacz o mocy 100 W i paśmie – 30 MHz z transformatorami na liniach transmisyjnych.
EN
The main problem in design, construction, and tuning of wide-band linear push-pull HF and VHF amplifiers are the input and output circuits to the impedance matching and balancing/unbalancing the load. Magnetic-coupled transformers can be used only up to a few MHz because parasitic capacitances between their primary and secondary windings cause asymmetry of voltages between each terminal of their balanced input (output) and ground. At the higher frequencies the matched transmission-line transformers must be applied. Unfortunately, the output transformer of the push-pull amplifier needs at least two elementary 1:1 transmission-line transformer, and two highcurrent, high Q-factor, high-frequency coupling capacitors. An experimental 100 W 3–30 MHz linear push-pull Class-AB power amplifier with the transmission-line transformers in the input and output circuits is presented.
2
Content available remote Low Voltage and Wide Bandwidth Class AB Variable Gain Amplifier in 0.18-μm CMOS Technology
Bhuiyan M. A. S., Idris M. I. B., Reaz M. B. I., Minhad K. N., Husain H.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2014
|
R. 90, nr 6
184--187
EN
Variable gain amplifier (VGA) is the key element for amplifying process in analog to digital converter (ADC). In this paper, a low voltage and wide bandwidth class AB VGA is designed using CEDEC 0.18-μm CMOS process for high speed applications. The result show that, the designed VGA has a wide bandwidth of 100-MHz and consumes power less than 125uW at 1V supply voltage. From the results it is also evident that the circuit is capable of working with high linearity and wide bandwidth. The frequency response (Gain) and the wide bandwidth of this class AB VGA is better than previously reported class AB VGA. Smaller transistors are used to make the chip small and it occupies only 0.003 μm2. Such a VGA is suitable for high-performance RF devices.
PL
W artykule opisano niskonapięciowy, szerokopasmowy wzmacniacz klasy AB typu VGA (variable gain amplifier – wzmacniacz o zmiennym wzmocnieniu). Wzmacniacz zaprojektowano wykorzystując proces 0.18 um CMOS. Wykonano wzmacniacz o pasmie 100 mHz i poborze mocy mniejszym niż 125 uW przy napięciu zasilania 1 V.
3
Liniowy wzmacniacz mocy na pasmo 26-29 MHz z tranzystorami przełącznikowymi
Modzelewski J., Bartosik A.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2013
|
Vol. 54, nr 9
131-134
PL
Przedstawiono projektowanie, symulacje komputerowe, budowę, regulacje i testowanie przeciwsobnego liniowego wzmacniacza klasy AB o założonej mocy 20 W w paśmie 26-29 MHz z tranzystorami przełącznikowymi MOSFET powszechnego użytku (IRF510). Uzyskano liniową charakterystykę przejściową i płaską charakterystykę częstotliwościową w paśmie 26-29 MHz, natomiast moc wyjściowa, sprawność energetyczna i wzmocnienie mocy są niższe od oczekiwanych (13,5W, 27% i 14,7dB, odpowiednio).
EN
Design, computer simulations, building, tuning, and testing of linear high-frequency class-AB push-pull power amplifier with switch-mode general-purpose transistors (IRF510) are presented. The assumed output power is 20 W in the 26-29 MHz band. Measured transfer characteristic of this amplifier is linear and its frequency response is flat between 26 MHz and 29 MHz. In contrast, measured output power, efficiency, and power gain are lower than assumed (13,5 W, 27%, and 14,7 dB respectively).
4
Content available An improved calculation method of inductance and capacitances in ?1 circuits for resonant power amplifiers
Modzelewski J., Kulma K.
Archives of Electrical Engineering
|
2012
|
Vol. 61, nr 2
221-237
EN
In the paper an improved method of calculation of the inductance and capacitances in the ?1 circuit for Class A, AB, B, and C resonant power amplifiers is presented. This method is based on an assumption that the quality factor of the inductor is inite and the capacitors are lossless. The input parameters for calculations are the amplifier load resistance, the transistor load resistance, the quality factor of the inductor, the loaded quality factor of the designed circuit, and the operating frequency. The presented method allows reducing the required regulation range of ?1 circuits elements In built resonant amplifiers as compared to the traditional calculation methods assuming lossless capacitors and inductor. This advantage is important, in particular, for long- and medium-wave transistor power amplifiers, where capacitances in ?1 circuits are high comparing to typical trimming capacitors.
5
Właściwości obwodów typu π1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy dla różnych wartości dobroci wypadkowej
Modzelewski J.
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
|
2010
|
Vol. 51, nr 2
17-23
PL
W artykule przeanalizowano wpływ dobroci wypadkowej na charakterystyki częstotliwościowe impedancji wejściowej i transimpedancji obwodów rezonansowego typu π1 o różnych wartościach przekładni rezystancyjnej. Wyznaczono przebieg charakterystyk częstotliwościowych unormowanej impedancji wejściowej i transimpedancji tego obwodu w otoczeniu częstotliwości rezonansowej dla kilku typowych wartości dobroci wypadkowej i przekładni. Dla obwodów π1 o różnych wartościach przekładni obliczono także zależność współczynników tłumienia drugiej i trzeciej harmonicznej prądu wejściowego od dobroci wypadkowej. Przedstawione charakterystyki pozwalają uprościć projektowanie obwodów Vπ1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy AB, klasy B i klasy C.
EN
In the paper an influence of the loaded quality factor on frequency response of input impedance and transimpedance of the π1 resonant circuits with different values of resistance-transformation ratio is analyzed. Normalized input impedance and transimpedance frequency responses in the neighbourhood of the resonant frequency for a few typical values of the loaded quality factor and resistance-transformation ratio are calculated. Attenuation coefficients of the second and third harmonic of the input current versus the loaded quality factor are also determined for the π1 circuits with different values of the resistance transformation ratio. Presented characteristics allow to simplify the design of the π1 circuits for class AB, class B and class C tuned power amplifiers.
6
Content available remote Uproszczona metoda projektowania obwodów [pi]1 do rezonansowych wzmacniaczy moc
Modzelewski J.
Przegląd Elektrotechniczny
|
2009
|
R. 85, nr 11
167-170
PL
Przedstawiono metodę obliczania indukcyjności cewki i pojemności kondensatorów obwodu typu [pi]1 do rezonansowych wzmacniaczy mocy klasy AB, B i C przy założeniu braku strat w tych elementach. W rzeczywistym obwodzie straty te powinny być bowiem jak najniższe, aby zapewnić wysoką sprawność energetyczną. W przypadku typowej cewki (dobroć własna co najmniej 100) przedstawiona metoda nie powoduje istotnego niedopasowania impedancji wejściowej obwodów [pi]1 o dobroci wypadkowej nie większej niż 10 (błąd modułu do 10%, błąd argumentu do 5o).
EN
A method of calculation of inductance of the inductor and capacitances of the capacitors in the [pi]1 circuit for Class AB, Class B, and Class C tuned power amplifiers is presented. It was assumed that the inductor and capacitors are loss-less beŹcause their losses should be as small as possible to ensure the high efficiency. For a typical inductor (quality factor at least 100) the presented method does not cause significant mismatch of the input impedance for [pi]1 circuits with the loaded quality factor lower than 10 (magnitude error lower than 10%, phase error lower than 5o).
first rewind previous Strona / 1 next fast forward last
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.