Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: cienkie warstwy SnO2

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Improved Photovoltaic Properties Of Dye-Sensitized Solar Cells Using Laser Patterned F-Doped SnO2 Thin Films

An H.-R., An H., Riu D.-H., Ahn H. J.

Archives of Metallurgy and Materials

2015

Vol. 60, iss. 2B

1241--1245

We modified the surfaces of F-doped SnO2 thin films using laser patterning to improve the photovoltaic properties of dye-sensitized solar cells. To do so, we varied the laser power density and the distance between laser-patterned lines. First, we investigated three power densities. Higher densities led to higher sheet resistances owing to increases in surface roughnesses. The lowest power density increased surface roughness without electrical degradation. Next, we explored three line spacings at a fixed power density. The films with the narrowest spacing exhibited the highest power conversion efficiency (~7.00%), the highest short-circuit photocurrent density (16.28 mA/cm2), and a good fill factor (58.82%).

Teoretyczna analiza adsorpcji tlenu na powierzchni ziaren SnO₂ o powierzchni płaskiej

Izydorczyk W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 10

45-48

W pracy przedstawiono wyniki teoretycznej analizy wpływu adsorpcji tlenu na przewodnictwo nanowarstw SnO₂. W wyniku analitycznego rozwiązania jednowymiarowego równania Poissona-Boltzmanna dla próbki o skończonych wymiarach i płaskiej geometrii ziarna, otrzymano potencjał powierzchniowy dla całkowicie zubożonych warstw o grubości w zakresie 30..,500 nm. Na tej podstawie obliczono zależność energetycznej bariery potencjału od grubości warstwy. Zbadano wpływ ruchliwości oraz stopnia jonizacji donorów na stopień pokrycia powierzchni różnymi jonami tlenu. Obliczono profile głębokościowe koncentracji nośników, rozkład ruchliwych donorów oraz zbadano wpływ temperatury oraz ciśnienia cząstkowego tlenu na konduktancję nanowarstw SnO₂.

In this work, the results of theoretical analysis of the influence of surface oxidation on the conductance of SnO₂ nanofilms were presented. From the one-dimensional analytical solution of the Poisson-Boltzmann equation in the case of finite grains with slab geometry, the in-depth profiles of the potential V(r) were obtained for full depleted layers. On this basis, the surface energy barrier dependence on grain size (30...500 nm) was obtained. The effect of the donor mobility (oxygen vacancies in the bulk) and degree of donor ionization on coverages by oxygen ions was discussed. The in-depth profiles of carrier concentrations and distribution of donors were obtained. Furthermore, the influence of temperature and partial oxygen pressure on the SnO₂ nano-film per-square conductance was studied.