Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: chemiczne osadzanie z pary

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Growth of high quality diamond films on silicon substrate

Benzhour K., Nowak L., Nowak Z., Rozpłoch F.

Karbo

2003

Nr 4

236-239

Thin polycrystalline diamond films were deposited on prepared (100) Si substrate by hot filament chemical vapor deposition (HF-CVD). For all deposition processes, parameters as: substrate temperature, total pressure and gas flow were held on the same level. One sample was deposited using a method of three-step growth in HF-CVD chamber. Morphology investigations of diamond films using scanning electron microscopy (SEM), Raman spectroscopy (RS) and electron paramagnetic resonance (EPR) were performed. The EPR analysis revealed the presence of two kinds of paramagnetic centers related to diamond and nan-diamond phase.

Polikrystaliczne warstwy diamentowe były osadzane metodą gorącego włókna z fazy gazowej (HF-CVD) na monokrystalicznym podłożu krzemowym o orientacji powierzchni (100). Temperatura podłoża, przepływy gazów i całkowite ciśnienie gazu były utrzymywane na stałym poziomie podczas wszystkich procesów osadzania. Jedna próbka była osadzana metodą trój stopniowego wzrostu w komorze HF-CVD. Morfologia i jakość uzyskiwanych warstw diamentowych były badane za pomocą elektronowej mikroskopii skaningowej (SEM), spektroskopii ramanowskiej (RS) i elektronowego rezonansu paramagnetycznego (EPR). Badania EPR ujawniły istnienie dwóch rodzajów centrów paramagnetycznych związanych z fazą diamentową i z fazą niediamentową.

Structure of interfaces in heteroepitaxial diamond films.

Jager W., Wittorf D., Urban K.

Inżynieria Materiałowa

1998

R. XIX, nr 4

785-790

High-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) studies of diamond films grown on Si (100) substrates by microwave-assisted chemical vapour deposition show that, under optimized conditions, epitaxially oriented diamond grains may form directly on Si or on thin interlayers of nanocrystalline Beta-SiC. The orientation relationships between the crystal lattices can be described by a near-coincidence site lattice model if small elastic lattice distortions are taken into account. Characteristic of the structure of large-angle grain boundaries are facets parallel to the {111} planes of the diamond lattice. Lattice images of the {110}-diamond lattice planes in <001>-zone axes orientations depict that the structure of small-angle grain boundaries can be described by a dislocation model. Large open volumes and additional second carbon phases are not found at the grain boundaries in diamond films beyond 10 micrometers. Such microscopic investigations of the structure of interfaces in diamond films on silicon are essential for a fundamental understanding of the deposition process and of the correlation of structural with physical interface properties, such as e.g. thermal transport.