Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

Znaleziono wyników: 2

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: chemiczne osadzanie z fazy gazowej wspomagane plazmowo

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Plasma Assisted Chemical Vapour Deposition – Technological Design Of Functional Coatings

Januś M., Kyzioł K., Kluska S., Konefał-Góral J., Małek A., Jonas S.

Archives of Metallurgy and Materials

2015

Vol. 60, iss. 2A

909--914

Plasma Assisted Chemical Vapour Deposition (PA CVD) method allows to deposit of homogeneous, well-adhesive coatings at lower temperature on different substrates. Plasmochemical treatment significantly impacts on physicochemical parameters of modified surfaces. In this study we present the overview of the possibilities of plasma processes for the deposition of diamond-like carbon coatings doped Si and/or N atoms on the Ti Grade2, aluminum-zinc alloy and polyetherketone substrate. Depending on the type of modified substrate had improved the corrosion properties including biocompatibility of titanium surface, increase of surface hardness with deposition of good adhesion and fine-grained coatings (in the case of Al-Zn alloy) and improving of the wear resistance (in the case of PEEK substrate).

Metoda chemicznego otrzymywania warstw z fazy gazowej w warunkach plazmy (PA CVD – Plasma Assisted Chemical Vapour Deposition) umożliwia otrzymywanie homogenicznych struktur warstwowych w niskich temperaturach, o dobrej adhezji do podłoży. Warunki w jakich prowadzone są procesy plazmochemiczne w znacznym stopniu decydują o właściwościach fizykochemicznych modyfikowanych powierzchni. W pracy przedstawiono możliwości w zakresie projektowania procesów plazmochemicznych z otrzymaniem warstw DLC (Diamond-like Carbon) dotowanych atomami Si i/lub N. W zależności od rodzaju modyfikowanego podłoża uzyskano poprawę właściwości korozyjnych przy zachowaniu biokompatybilności powierzchni (w przypadku Ti Grade2), poprawę twardości powierzchni na drodze otrzymania drobnoziarnistej powłoki o dobrej adhezji do podłoża (w przypadku Al-Zn) i poprawę odporności na zużycie (w przypadku PEEK).

Amorphous a-C:N:H layers formation by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition.

Dul K., Łagosz I., Jonas S., Ptak W.

Inżynieria Materiałowa

2001

R. XXII, nr 4

296-298

Amorphous a-C:N:H layers were deposited at room temperature on (100) silicon, quartz glass, steel substrates by RFCVD (radio frequency chemical vapour deposition) and MWCVD (microwave chemical vapour deposition). A gas mixture of methane, nitrogen and argon is used as the reactive gas. The films have been characterised by XPS, FTIR.

Amorficzne warstwy a:C:N:H na (100) krzemie, kwarcowym szkle i stali otrzymano w pokojowej temperaturze metodą chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganej plazmą o częstotliwości radiowej oraz mikrofalowej. Jako reagenty stosowano mieszaninę metanu, azotu i argonu. Skład chemiczny i strukturę warstw badano rentgenowską spektoskopią fotoelektronów (XPS) i fourierowską spektroskopią w podczerwieni (FTIR).