Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki

1 2003

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: chemically sensitive sensor

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Czujniki pehametryczne typu p-well ISFET

Pijanowska D., Torbicz W., Jaroszewicz B., Grabiec P.

Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki

2003

Vol. 23, nr 6

26-30

O długookresowej stabilności parametrów i trwałości czujników pehametrycznych typu ISFET decyduje odpowiednie wykonanie zewnętrznej, czułej chemicznie warstwy dieelektrycznej w obszarze bramki tranzystora i dobrej hermetyzacji za pomocą żywicy gotowego czujnika, obejmującej strukturę półprzewodnikową oraz przewodnikowe odprowadzenia. Ułatwienie problemu hermetyzacji uzyskuje się za pomocą planarnej technologii w której struktura ISFET-u jest wykonana na wyspie typu p, wytworzonej w płycie krzemowej typu n (p-well ISFET), lub dzięki takiej konstrukcji ISFET-u, w której struktura ISFET-u i kontakty są wykonane na przeciwnych stronach płytki krzemowej (BSC ISFET).

Long term stability and durability of pH ISFETs depend on a proper manufacturing of the chemically sensitive dielectric outer gate layer and on a method of ISFETs sealing, both semiconductor structure and conducting leads, with use of resin. Diminishing of the sealing problem may be obtained in a planar technological process in which ISFET structure is manufactured on a p type island created on a n type silicon plate (p-well ISFET), or if ISFET structure and conducting contacts will be placed on the opposite sides of the plate (back side contact -- BSC ISFET).