Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2008

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: chemical sensor array

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

p well type ion sensitive field effect transistor array in a flow-thru system for detection of H+, K+, NH4+ ions and urea

Dawgul M., Pijanowska D., Jaroszewicz B., Kruk J., Grabiec P., Torbicz W.

Przegląd Elektrotechniczny

2008

R. 84, nr 5

27-32

This paper presents methods of manufacturing of a flow-thru system in Plexiglas based on a p-well type ISFETs six-sensor array fabricated in a CMOS technology as well as chemical and enzymatic modifications of sensors. The modifications led to diversification to of sensors sensitivity to different species. The sensors in the array are electrically insulated that prevents cross-talk between them. Application of the sensor array resulted in significant simplification of construction of the multi-parameter analytical system. As a model, the flow-thru system with the ISFET array sensitive to: hydrogen, potassium and ammonium ions, as well as urea is described.

W artykule przedstawiono metodę wytwarzania układu przepływowego w tworzywie pleksiglas opartego na matrycy sześciu czujników typu p-well ISFET wykonanych w technologii CMOS oraz sposoby modyfikacji chemicznej i enzymatycznej poszczególnych struktur. Poszczególne struktury są w pełni izolowane elektrycznie, co zapobiega ich wzajemnemu oddziaływaniu między sobą. Zastosowanie matrycy czujników pozwoliło znacznie uprościć układ do wieloparametrowej analizy cieczy. Przedstawiono charakterystykę przykładowego układu przepływowego z detektorem w postać matrycy czujników czułych na jony wodorowe, potasowe, amonowe oraz na mocznik.