ZnO nanowire photoanodes were prepared by a simple chemical bath method. The influence of doping Al into ZnO seed layer, dipping times of seed layers and the growth times of ZnO nanowires on the morphology of ZnO nanowires and photoelectric performance of dye-sensitized solar cells were mainly investigated. The results showed that when the ZnO seed layer was doped with 9 at.% Al, both dipping times of seed layer solution and growth times of films were 9; ZnO photoanodes with nanowires and nanosheets composite structure were obtained. The length of the ZnO nanowires reached about 15μm. The power conversion efficiency, open circuit voltage, short-circuit photocurrent density and fill factor of the corresponding cells were 2.36%, 0.66 V, 5.28 mA•cm-2, and 0.62, respectively.
PL
Fotoanody zbudowane z nanodrutów ZnO zostały przygotowane prostą metodą kąpieli chemicznej. Badano głównie wpływ domieszkowania Al warstwy zarodkowej ZnO, czasu zanurzenia warstw zarodkowych i czasu wzrostu nanodrutów ZnO na morfologię nanodrutów ZnO i parametry fotoelektryczne ogniw słonecznych uświatłoczulonych barwnikiem. Wyniki pokazały, że gdy warstwa zaszczepiająca ZnO była domieszkowana 9% at. Al, zarówno czasy zanurzania w roztworze zaszczepiającym warstwę, jak i czasy wzrostu filmów wynosiły 9; otrzymano wówczas fotoanody ZnO z nanodrutami i strukturą kompozytową nanoskładników. Długość nanodrutów ZnO osiągnęła około 15 μm. Efektywność konwersji mocy, napięcie w obwodzie otwartym, gęstość zwarciowa fotoprądu i współczynnik wypełnienia odpowiednich ogniw wynosiły odpowiednio 2,36%, 0,66 V, 5,28 mA•cm-2 i 0,62.
2
Dostęp do pełnego tekstu na zewnętrznej witrynie WWW
CdS thin films with (1 1 1) orientation were prepared by chemical bath deposition technique at 80±5 °C using the reaction between NH4OH, CdCl2 and CS(NH2)2. The influence of annealing temperature varying from 150 °C to 250 °C was studied. X-ray diffraction studies revealed that the films are polycrystalline in nature with cubic structure. Various parameters, such as dislocation density, stress and strain, were also evaluated. SEM analysis indicated uniformly distributed nano-structured spherically shaped grains and net like morphology. Optical transmittance study showed the wide transmittance band and absence of absorption in the entire visible region. I-V characterization of p-Si/n-CdS diode and photoluminescence studies were also carried out for the CdS films.
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.