Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

1 2011

Powiadomienia systemowe

Sesja wygasła!
Sesja wygasła!
Sesja wygasła!

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: charge-based modeling

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Model prądu drenu i pojemności w dwubramkowym tranzystorze MOS o krótkim kanale

Sawicka A., Łukasiak L., Jakubowski A., Tomaszewski D.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2011

Vol. 52, nr 2

80-84

Przedstawiono nowy model prądu drenu i pojemności w symetrycznym, niedomieszkowanym, dwubramkowym tranzystorze MOS. Model obejmuje wybrane efekty krótkiego kanału (zależność napięcia progowego od długości kanału, nasycenie prędkości nośników, modulacja efektywnej długości kanału i napięcia dren-żródło, wzrost gęstości ładunku w kanale indukowany napięciem drenu, obniżenie wysokości bariery indukowane napięciem drenu). Model zaimplementowano w języku opisu sprzętu Verilog-A, a jego dokładność została zweryfikowana w oparciu o symulacje przeprowadzone za pomocą pakietu ATLAS.

A new model of drain current and capacitances in a symmetrical, undoped DG MOSFET is proposed. The new model includes several short-channel effects (dependence of threshold voltage on channel length, velocity saturation, effective channel-length and drain-source voltage modulation, drain-induced charge enhancement, drain induced barrier lowering). The model was implemented in Verilog-A Hardware Description Language. Its accuracy is verified by means of a comparison with ATLAS simulations.