Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

Design of the integrated dual stage charge sensitive amplifier

Kasiński K, Kłeczek R

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2013

|

Vol. 54, nr 12

28-31

EN

This paper presents a dual stage charge sensitive amplifier designed for long silicon strip detectors. It allows to obtain a linear transfer characteristics of the Time-over-Threshold processing using a constant current feedback for input charge pulse and its arrival time measurements when working with large capacitance sensors (at the order of tens pF). The paper includes details of architecture and simulation results. Moreover, a study towards implementation of switchable amplifier’s bandwidth for enhanced charge measurements is presented.

PL

Artykuł prezentuje dwustopniowy wzmacniacz ładunkowy zaprojektowany do pracy z długimi krzemowymi detektorami paskowymi. Umożliwia on uzyskanie liniowej charakterystyki przetwarzania typu Time-over-Threshold z rozładowaniem prądem stałym przy pracy z sensorami o dużej pojemności (np. 30 pF). Artykuł zawiera szczegółowy opis architektury i wyników symulacyjnych. Ponadto, przedstawione zostały badania w kierunku wykorzystania wzmacniacza z przełączalnym pasmem w celu podwyższenia dokładności pomiaru ładunku.

2

Projekt scalonego wzmacniacza ładunkowego na potrzeby przetwarzania typu Time-over-Threshold

Kasiński K., Szczygieł R.

Pomiary Automatyka Kontrola

|

2010

|

R. 56, nr 9

1043-1046

PL

Praca przedstawia projekt scalonego wzmacniacza ładunkowego zaprojektowanego dla aplikacji w układzie do odczytu detektorów paskowych w eksperymencie fizyki wysokich energii wykorzystującego przetwarzanie typu Time-over-Threshold. Zastosowane rozwiązania zostały zapożyczone z układów pikselowych. Projekt wykonano dla technologii United Microelectronics Corporation 180 nm. Zaprojektowany wzmacniacz charakteryzuje się niskim poborem mocy, niskimi szumami a także bardzo szerokim zakresem liniowej pracy zachowując swoje właściwości dla obu polarności ładunków wejściowych.

EN

New High Energy Physics experiments require new and better solutions for the detector readout systems. This paper presents the project of the charge sensitive amplifier (CSA) for the silicon strip detector readout chip implementing the Wilkinson-type analog to digital converter (called also Time-over-Threshold processing). This allows to implement the reasonable resolution and speed ADC in each channel while keeping the overall power consumption low. This is due to the fact that the information about the input charge is kept in the CSA output pulse length and can be then easily converted to digital domain. It has been designed for the UMC (United Micro-electronics Corporation) 180nm technology and should fit into 50 Μm pitch channel slot. Some solutions were adapted from the pixel-oriented integrated circuits and are optimized for much higher detec-tor capacitances. Presented charge sensitive amplifier shows very high dynamic range - much higher than required 0-16 fC. The dynamic range is not limited by the dynamic range of the amplifier itself which is a feature of the implemented discharge circuit. The processing chain has an ability to operate for both holes and electrons while keeping the low power consumption (625 ΜW) and low noise (720 e- at 30 pF detector capacitance). The paper presents the simulation-based performance of the circuit.

3

Analiza projektowa właściwości szumowych wzmacniacza impulsów ładunkowych

Podmiotko W.

Kwartalnik Elektroniki i Telekomunikacji

|

1998

|

Vol. 44, nr 1

109-118

PL

W artykule przedstawiono podstawy teoretyczne i wyniki analizy projektowej właściwości szumowych wzmacniacza impulsów ładunkowych z tranzystorami CMOS w aspekcie optymalizacji poboru mocy w układzie przedwzmacniacza, a także wpływ charakterystyki przenoszenia układu kształtującego. Przeprowadzono obliczenia parametrów szumowych w funkcji prądu polaryzacji oraz rozmiarów konstrukcyjnych tranzystora wejściowego dla dwóch standardowych technologii CMOS, różniących się minimalnymi wymiarami charakterystycznymi. Analiza prezentowana w pracy uwzględnia zarówno szumy termiczne jak i szumy typu 1/f. Rezultaty pracy mogą być pomocne w projektowaniu niskoszumnych scalonych wzmacniaczy impulsów ładunkowych CMOS przeznaczonych do współpracy z pojemnościowymi źródłami sygnałów (detektorami, sensorami).

EN

In the paper theoretical background and results of noise performance analysis of charge pulse amplifier implemented in CMOS technology in the aspects of power supplies optimization were presented. Calculation of noise parameters in function of bias current and design dimensions of input MOS transistor for two CMOS standard CMOS processes of different design rules were carried out. In the presented analyse thermal and 1/f type noise in preamplifier in effect of pulse characteristics were taken. Results of the work can be helpful in design of low-noise, CMOS charge sensitive amplifiers intended to readout systems with capacivite detectors and sensors.