Wyniki wyszukiwania - BazTech

1

The Influence of the Base Material Parameters on Quantum and Photoconversion Efficiency of the Si Solar Cells

Panek P.

Archives of Metallurgy and Materials

|

2016

|

Vol. 61, iss. 4

1889--1894

EN

The influence of a p-type Si with different resistivity, charge carrier lifetime and emitter dopant impurities concentration on the crystalline silicon solar cells parameters were analyzed and experimentally checked. The findings were determined by quasi-steady-state photoconductance, current-voltage and spectral response methods. The study was accompanied by solar device simulation using a numerical PC1D program. The highest photoconversion efficiency of 15.13 % was obtained for the moncrystalline (Cz-Si) solar cell with a base resistivity of 1.8 Ωcm and an effective charge carrier lifetime of 22.9 μs. The results clearly confirmed the importance concerning the dopant level in a Si base material in relation to open circuit voltage and short circuit current possible to obtain from the solar cell. Reduction of a base material resistivtiy leads to a lower value of an effective charge carrier lifetime and photoconversion efficiency both for Cz-Si and multicrystalline (mc-Si) solar cells. The experimental results and calculation showed, that in the case of a solar cell produced on the basis of crystalline silicon, the most important spectral range for an efficiency of a cell is covering a wavelength range of 587 ÷ 838 nm.

2

Wyznaczanie czasu życia nośników ładunku w płytkach krzemowych z pomiaru absorpcji na nośnikach swobodnych

Piotrowski T., Kasjaniuk S.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 9

100-102

PL

Przedstawiono metodykę określania czasu życia nośników ładunku, wykorzystującą pomiar absorpcji optycznej nośników swobodnych w podczerwieni, pozwalającą na szybki, bezdotykowy i przeprowadzany z dużą rozdzielczością przestrzenną pomiar tego głównego parametru rekombinacyjnego. Metodyka ta uzupełnia dotychczas stosowane bezdotykowe metody pomiarowe czasu życia nośników ładunku stosowane w diagnostyce przemysłowej a może znaleźć szczególne zastosowanie do charakteryzacji multikrystalicznego krzemu.

EN

A method of charge carrier lifetime determination by using free carriers absorption measurement is presented. The method is quick, contactless and has good spatial resolution. It complements known contactless lifetime measurement methods applied in industry diagnostics and can be especially useful for multicrystalline silicon characterization.

3

Pomiary czasu życia nadmiarowych nośników ładunku w obszarach bliskich granicom ziaren z wykorzystaniem barierowego efektu fotowoltaicznego

Piotrowski T., Sikorski S., Kasjaniuk S., Lipiński M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

|

2010

|

Vol. 51, nr 5

74-76

PL

W pracy przedstawiono sposób określania efektywnego czasu życia nadmiarowych nośników prądu w obszarach granic ziaren krzemowych płytek multikrystalicznych przeznaczonych do wytwarzania ogniw słonecznych. Do pomiaru wykorzystano efekt fotowoltaiczny powstający na barierze potencjału związanej z granicą ziaren. Pomiary weryfikowano standardową metodą pomiaru zaniku fotoprzewodnictwa w czasie z detekcją mikrofalową.

EN

A method of effective carrier lifetime determination near grain boundaries in multicrystalline silicon wafers for solar cells is presented. Photovoltaic effect on potential barrier at grain boundary is used for measurements. Obtained results are werified by method of photoconductivity decay with microwave beam detection.