Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

1 Przegląd Elektrotechniczny

1 2011

Znaleziono wyników: 1

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: charakterystyki przejściowe

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Analysis of CMOS circuits having multiple DC operating points

Hałgas M., Tadeusiewicz M.

Przegląd Elektrotechniczny

2011

R. 87, nr 5

40-42

This paper is devoted to the analysis of the circuits containing short-channel MOS transistors, having multiple DC solutions (operating points). The transistors are characterized by the PSP model, the most advanced surface-potential-based compact MOSFET model, selected (since December 2005) as standard for the new generation of integrated circuits. This paper offers an algorithm enabling us to find multiple DC solutions and trace multivalued input-output characteristics of integrated circuits using the latest PSP 103.1.1 MOSFET model. The main idea of the algorithm is based on a single-valued driving point characteristic, called a test characteristic and the section-wise piecewise-linear approximations. The approach proposed in this paper is illustrated via a numerical example.

Praca dotyczy analizy układów zawierających tranzystory MOS z krótkim kanałem, mających wiele rozwiązań DC. Tranzystory są opisane za pomocą modelu PSP, najbardziej zaawansowanego, opartego na koncepcji potencjału powierzchniowego modelu MOSFET, uznanego w 2005 roku za standardowy w zastosowaniu do nowej generacji układów scalonych. W pracy zaproponowano algorytm obliczania wielokrotnych rozwiązań DC oraz wyznaczania wielowartościowych charakterystyk typu wejście-wyjście układów scalonych, z użyciem najnowszej wersji PSP 103.1.1 modelu MOSFET. W algorytmie wykorzystano pewne jedno-wartościowe charakterystyki wejściowe, zwane charakterystykami testowymi oraz uogólnioną odcinkowo-liniową aproksymację. Dla ilustracji podano przykład liczbowy.