Wyniki wyszukiwania - BazTech

Ograniczanie wyników

3 Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Znaleziono wyników: 3

Liczba wyników na stronie

Wyniki wyszukiwania

Wyszukiwano:
w słowach kluczowych: charakterystyki DC

Sortuj według:

Ogranicz wyniki do:

Charakterystyki DC tranzystorów MOSFET SiC oraz Si pracujących w obszarze silnego przewodzenia, w szerokim zakresie temperatur

Hapka A., Janke W., Kraśniewski J., Oleksy M.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2012

Vol. 53, nr 9

98-101

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk izotermicznych i nieizotermicznych tranzystorów MOSFET z węglika krzemu oraz krzemowych, o podobnych parametrach dopuszczalnych. Określono wpływ temperatury na rezystancję R DS(on) oraz przeanalizowano jej wpływ na charakterystyki nieizotermiczne tranzystorów.

In the paper, the measurements of isothetmal and nonisothermal characteristics of silicon and silicon carbide power MOSFETs are presented. The influence of the temperature on the ON-state resistance and, as a consequence - on the nonisothermal characteristics has been specified.

Symulacja charakterystyk diod Schottky'ego z węglika krzemu z uwzględnieniem efektów termicznych

Hapka A., Janke W.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2009

Vol. 50, nr 10

92-95

W pracy badane są charakterystyki DC diod Schottky'ego z węglika krzemu. Charakterystyki izotermiczne, obliczone w oparciu o model dla PSPICE dostarczany przez Cree porównano z charakterystykami zmierzonymi, zamieszczonymi w notach aplikacyjnych Cree. Uwzględniono zależność rezystancji szeregowej elementów od temperatury, niekompletny model PSPICE od producenta uzupełniono o odpowiednie współczynniki. W pracy zamieszczono również charakterystyki DC z uwzględnionym efektem samonagrzewania. Charakterystyki te otrzymano po zastosowaniu nowego modelu.

In the paper, the DC characteristics of SiC Schottky diodes are considered. Isothermal characteristics, obtained with the use of PSPICE model, developed by Cree are compared with the real characteristics. measured by Cree. The dependence of the diode series resistance on the temperature is taken into account, and the adequate coefficients are placed into the incomplete Cree model for PSPICE. The DC characteristics with the self - heating included are also presented in this paper. Mentioned characteristics are obtained with the use of a new, compact model for PSPICE.

Stałoprądowy elektrotermiczny model tranzystora JFET dla programu SPICE

Górecki K., Zarębski J.

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

2003

Vol. 44, nr 1

3-6

Praca dotyczy problemu modelowania nieizotermicznych charakterystyk statycznych tranzystora JFET w programie SPICE. W pracy zaproponowano stałoprądowy elektrotermiczny model tranzystora JFET, słuszny dla dowolnej polaryzacji tego elementu. Model uwzględnia podstawowe zjawiska zachodzace w tym elemencie oraz efekty drugorzędne, takie jak: przebicie złącza bramka-dren, prądy generacyjne złączy i samonagrze- wanie. Poprawność rozważań teoretycznych zweryfikowano eksperymentalnie.

This paper concerns problem of the modelling of the nonisothermal d.c. JFET characteristics by the use of SPICE software. The lumped d.c. electrothermal model of JFET, based on Shichman-Hodges model, is proposed. This model takes into consideration the basic phenomena, which occur in the considered device, the generation current, the avalanche breakdown, the drain and source series resistances and the selfheating. The theoretical considerations are verified by measurements.